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公开(公告)号:CN109887537A
公开(公告)日:2019-06-14
申请号:CN201910085242.8
申请日:2019-01-29
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
Abstract: 本发明公开了一种阈值电压飘移感知的LDPC码译码方法,包括:获得待译码数据所属闪存页P当前的飘移参数,以根据存储单元阈值电压分布与飘移参数的对应关系,获得当前闪存页P中存储单元的阈值电压分布D;将标准读参考电压和阈值电压分布D的各尾端点处的电压均作为采样电压,通过施加不同的采样电压确定各存储单元的阈值电压所在的电压范围[vi,vj];根据电压范围[vi,vj]计算软判决信息,并根据软判决信息对待译码数据进行LDPC码译码;其中,飘移参数包括擦写次数和数据保存时间,vi<vj。本发明能够利用存储单元阈值电压的飘移特征精确获取软判决信息,从而能够提高LDPC码的译码性能,并降低译码延迟。
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公开(公告)号:CN109887537B
公开(公告)日:2021-04-06
申请号:CN201910085242.8
申请日:2019-01-29
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
Abstract: 本发明公开了一种阈值电压漂移感知的LDPC码译码方法,包括:获得待译码数据所属闪存页P当前的漂移参数,以根据存储单元阈值电压分布与漂移参数的对应关系,获得当前闪存页P中存储单元的阈值电压分布D;将标准读参考电压和阈值电压分布D的各尾端点处的电压均作为采样电压,通过施加不同的采样电压确定各存储单元的阈值电压所在的电压范围[vi,vj];根据电压范围[vi,vj]计算软判决信息,并根据软判决信息对待译码数据进行LDPC码译码;其中,漂移参数包括擦写次数和数据保存时间,vi<vj。本发明能够利用存储单元阈值电压的漂移特征精确获取软判决信息,从而能够提高LDPC码的译码性能,并降低译码延迟。
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公开(公告)号:CN119440906A
公开(公告)日:2025-02-14
申请号:CN202411540933.X
申请日:2024-10-31
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了适用于三维NAND闪存的动态纠错方法、控制器和存储系统,属于半导体存储技术领域,包括:编码阶段:对于待写入三维NAND闪存的数据进行极化码编码,得到长度为N的码字序列;译码阶段:对于从三维NAND闪存读出的长度为N的数据,计算每一位的LLR值;设定SCL译码算法的列表长度后,将N位LLR值输入SCL译码算法,实现译码;设定SCL译码算法的列表长度包括:获取三维NAND闪存当前的原始误码率下,SCL译码算法在不同列表长度下的误码率,从中筛选出误码率低于预设性能阈值的列表长度,将SCL译码算法的列表长度设定为筛选出的最小长度。本发明与三维NAND闪存的错误特性相适应,能够在保证满足纠错需求的情况下降低开销。
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公开(公告)号:CN117558299A
公开(公告)日:2024-02-13
申请号:CN202311599012.6
申请日:2023-11-28
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了四阶RLL(1,3)调制码的编解码方法及读写方法,属于光存储技术领域,包括:编码步骤:将用户数据划分为4位源数据,从起始状态开始,按照预先建立的编解码表,将源数据转化为4位信道码元,按顺序拼接得到RLL序列;解码步骤:将RLL序列划分为4位信道码元,按照编解码表将各信道码元转换为4位源数据,将各源数据按顺序拼接,得到用户数据;其中,编解码表用于记录16种4位源数据与3状态48种4位信道码元之间的映射关系,以及下一组映射关系的状态,信道码元为0X00、000X、0X0X、X00X、X000、X0X0、0X00、00X0中的48个(不同状态允许有相同码字);X的取值为1~3。本发明能够在不改变光学参数的前提下,显著提高光存储系统的容量。
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公开(公告)号:CN117079705A
公开(公告)日:2023-11-17
申请号:CN202310839668.4
申请日:2023-07-10
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于数据压缩的全息存储方法、装置及系统,属于全息存储领域,写入过程包括:按照压缩比r对待写入的k比特信息数据D0进行压缩后,按照#imgabs0#的编码码率进行LDPC编码,得到#imgabs1#比特的校验数据P1;将压缩后的比特数据、校验数据P1以及#imgabs2#比特的冗余数据组合为n比特的LDPC码字C1;生成与C1等量的参考数据后,将C1和参考数据划分为比特数据页;对各比特数据页进行相位调制,得到相应的相位数据页,并将各相位数据页写入全息存储介质。本发明能够在不增加编码/译码难度的情况下提高全息存储系统的存储可靠性。
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公开(公告)号:CN111611246B
公开(公告)日:2023-04-25
申请号:CN202010446193.9
申请日:2020-05-25
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于持久性存储器优化B+树索引性能的方法。传统的B+树索引是根据DRAM和磁盘特性设计的,没有考虑持久性存储器写延时较长、写次数有限以及掉电数据不一致等特性,直接迁移索引性能会大幅下降。为提高索引并发性能,减少B+树在持久性存储器中的写次数,延长持久性存储器的使用寿命,本方法对叶节点采用“追加写”策略,对内部节点进行延迟刷新,减少插入过程中为维护条目有序性带来的大量移位写;为进一步提高索引效率,本方法在内部节点采用无锁搜索,多线程可同时访问同一节点,提高索引并发性。
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公开(公告)号:CN112860594B
公开(公告)日:2022-11-01
申请号:CN202110081274.8
申请日:2021-01-21
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06F12/06 , G06F12/1018
Abstract: 本发明公开了一种固态盘地址重映射方法、设备及固态盘,属于存储技术领域,方法包括:将固态盘的存储空间划分为数据存储区域和地址重映射元数据存储区域,将元数据存储区域划分为多个元数据存储段,将每个元数据存储段划分为多个用于存储地址重映射元数据条目的槽位,并按需为数据存储区域的每个物理块分配零到多个元数据存储段;地址重映射时,通过修改正向地址映射表将目标逻辑页L2重映射到源逻辑页L1所对应的物理页P1,并生成包含P1到L2反向地址映射信息的地址重映射元数据条目,追加持久化到P1所属物理块对应的元数据存储段中。本发明能够在保证正向和反向地址映射信息一致性的情况下,提高反向地址映射信息的查询效率和扩展性。
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公开(公告)号:CN114489848A
公开(公告)日:2022-05-13
申请号:CN202210060502.8
申请日:2022-01-19
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于可计算存储架构的任务卸载方法及可计算存储系统,属于计算机存储领域,包括:初始化步骤:在SSD盘内系统的内核地址空间中创建虚拟的字符设备,并将其内核地址空间映射到用户进程的地址空间;在字符设备中维护命令队列和数据队列,分别用于存储命令结构体和任务执行结果;计算步骤:在内核态,接收到计算任务后,将命令结构体存储到命令队列中;在用户态,根据命令结构体在命令队列中的偏移值到命令队列中读取命令结构体,并从中解析出任务类型和参数,以执行计算任务,将执行结果存储到数据队列中;在内核态,将执行结果的长度和在数据队列中的偏移值返回给主机。本发明能够减少盘内系统数据拷贝,提高PIS任务执行效率。
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公开(公告)号:CN111026329B
公开(公告)日:2021-04-20
申请号:CN201911125920.5
申请日:2019-11-18
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06F3/06
Abstract: 本发明公开了基于主机管理瓦记录磁盘的键值存储系统及数据处理方法,属于信息存储技术领域。包括:LSM树键值存储模块,用于接收用户的请求,LSM树键值存储模块的每一层空间都是由若干个主机管理瓦记录磁盘的分区组成,每一层的数据严格分离;空间管理模块,用于连接LSM树键值存储模块和主机管理瓦记录磁盘,负责主机管理瓦记录磁盘的空间分配与回收。本发明将随机写转化为顺序写,符合瓦记录磁盘的特性,LSM树键值存储系统的每一层数据在磁盘中分离存储,由于每层的数据流动速度不同,有效降低垃圾回收的开销,磁盘空间管理采用按zone分配,空间分配与分层存储结合,使各层数据更加集中。
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公开(公告)号:CN110232948B
公开(公告)日:2020-10-30
申请号:CN201910453247.1
申请日:2019-05-28
Applicant: 华中科技大学
IPC: G11C29/56
Abstract: 本发明公开了一种UFS存储设备中UFS芯片健康度的度量方法及系统,属于存储技术领域,包括:(1)向待测UFS存储设备中写入预定数据量的数据;(2)根据待测UFS存储设备在写入数据前、后的属性参数获得用于表征其中UFS芯片的可用容量的第一特征参数,以及用于表征UFS芯片的磨损程度的第二特征参数;(3)以第一特征参数和第二特征参数为输入信息,利用预先定义的度量模型对UFS芯片的健康度进行度量;其中,度量模型用于根据表征UFS芯片的可用容量和磨损程度的参数度量该UFS芯片的健康度,其度量结果与UFS芯片的可用容量正相关且与UFS芯片的磨损程度反相关。本发明能够实时、准确地度量UFS存储设备中UFS芯片的健康度,为UFS存储设备的数据安全性提供可靠的支持。
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