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公开(公告)号：CN114489848B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202210060502.8
申请日：2022-01-19
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于可计算存储架构的任务卸载方法及可计算存储系统，属于计算机存储领域，包括：初始化步骤：在SSD盘内系统的内核地址空间中创建虚拟的字符设备，并将其内核地址空间映射到用户进程的地址空间；在字符设备中维护命令队列和数据队列，分别用于存储命令结构体和任务执行结果；计算步骤：在内核态，接收到计算任务后，将命令结构体存储到命令队列中；在用户态，根据命令结构体在命令队列中的偏移值到命令队列中读取命令结构体，并从中解析出任务类型和参数，以执行计算任务，将执行结果存储到数据队列中；在内核态，将执行结果的长度和在数据队列中的偏移值返回给主机。本发明能够减少盘内系统数据拷贝，提高PIS任务执行效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114171095A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202111439248.4
申请日：2021-11-30
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种3D NAND闪存阈值电压分布预测方法、设备及存储系统，属于计算机存储领域，包括：获得已训练好的阈值电压分布预测模型，用于预测由N个干扰特征组合而成的输入特征集合SI对应的阈值电压分布；干扰特征为影响3D NAND闪存单元阈值电压分布的特征；N为正整数；获得3D NAND闪存的一个或多个干扰特征，组成待测特征集合SU；若则将SU中相对于SI缺失的干扰特征赋值为0，连同待测特征集合SU其余干扰特征的取值输入阈值电压分布预测模型，以预测得到3DNAND闪存的阈值电压分布；阈值电压分布预测模型由包含SI中的N个干扰特征以及对应的阈值电压分布的样本所构成的数据集训练而成。本发明能够提高3D NAND闪存阈值电压分布预测的精度和通用性。
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公开(公告)号：CN114171095B
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202111439248.4
申请日：2021-11-30
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种3D NAND闪存阈值电压分布预测方法、设备及存储系统，属于计算机存储领域，包括：获得已训练好的阈值电压分布预测模型，用于预测由N个干扰特征组合而成的输入特征集合SI对应的阈值电压分布；干扰特征为影响3D NAND闪存单元阈值电压分布的特征；N为正整数；获得3D NAND闪存的一个或多个干扰特征，组成待测特征集合SU；若则将SU中相对于SI缺失的干扰特征赋值为0，连同待测特征集合SU其余干扰特征的取值输入阈值电压分布预测模型，以预测得到3DNAND闪存的阈值电压分布；阈值电压分布预测模型由包含SI中的N个干扰特征以及对应的阈值电压分布的样本所构成的数据集训练而成。本发明能够提高3D NAND闪存阈值电压分布预测的精度和通用性。
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公开(公告)号：CN111611246B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202010446193.9
申请日：2020-05-25
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于持久性存储器优化B+树索引性能的方法。传统的B+树索引是根据DRAM和磁盘特性设计的，没有考虑持久性存储器写延时较长、写次数有限以及掉电数据不一致等特性，直接迁移索引性能会大幅下降。为提高索引并发性能，减少B+树在持久性存储器中的写次数，延长持久性存储器的使用寿命，本方法对叶节点采用“追加写”策略，对内部节点进行延迟刷新，减少插入过程中为维护条目有序性带来的大量移位写；为进一步提高索引效率，本方法在内部节点采用无锁搜索，多线程可同时访问同一节点，提高索引并发性。
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公开(公告)号：CN114489848A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210060502.8
申请日：2022-01-19
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于可计算存储架构的任务卸载方法及可计算存储系统，属于计算机存储领域，包括：初始化步骤：在SSD盘内系统的内核地址空间中创建虚拟的字符设备，并将其内核地址空间映射到用户进程的地址空间；在字符设备中维护命令队列和数据队列，分别用于存储命令结构体和任务执行结果；计算步骤：在内核态，接收到计算任务后，将命令结构体存储到命令队列中；在用户态，根据命令结构体在命令队列中的偏移值到命令队列中读取命令结构体，并从中解析出任务类型和参数，以执行计算任务，将执行结果存储到数据队列中；在内核态，将执行结果的长度和在数据队列中的偏移值返回给主机。本发明能够减少盘内系统数据拷贝，提高PIS任务执行效率。
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公开(公告)号：CN111611246A
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN202010446193.9
申请日：2020-05-25
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于持久性存储器优化B+树索引性能的方法。传统的B+树索引是根据DRAM和磁盘特性设计的，没有考虑持久性存储器写延时较长、写次数有限以及掉电数据不一致等特性，直接迁移索引性能会大幅下降。为提高索引并发性能，减少B+树在持久性存储器中的写次数，延长持久性存储器的使用寿命，本方法对叶节点采用“追加写”策略，对内部节点进行延迟刷新，减少插入过程中为维护条目有序性带来的大量移位写；为进一步提高索引效率，本方法在内部节点采用无锁搜索，多线程可同时访问同一节点，提高索引并发性。
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