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公开(公告)号:CN100377378C
公开(公告)日:2008-03-26
申请号:CN200610019082.X
申请日:2006-05-16
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L35/34
Abstract: 本发明提供了一种Bi-Sb-Te系热电材料的制备方法,其步骤为:将原料粉末按原子比Bi∶Sb∶Te=2x∶2-2x∶3配比,0.1≤x≤0.3,混合后进行高能球磨处理,得到合金粉末,球料重量比10∶1~20∶1,球磨转速300~400r/min,球磨时间8~12h,球磨时通惰性气体保护;将上述合金粉末采用等离子体活化烧结成形,升温速率30~100℃/min,烧结温度300℃~500℃,升温阶段压力15~25MPa,保温阶段压力40~60MPa,保温时间10~30min,整个烧结过程在真空或惰性气体保护下进行。该方法所得材料室温下热电优值达到了5.26×10-3/K。
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公开(公告)号:CN1843667A
公开(公告)日:2006-10-11
申请号:CN200610019082.X
申请日:2006-05-16
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明提供了一种Bi-Sb-Te系热电材料的制备方法,其步骤为:将原料粉末按原子比Bi∶Sb∶Te=2x∶2-2x∶3配比,0.1≤x≤0.3,混合后进行高能球磨处理,得到合金粉末,球料重量比10∶1~20∶1,球磨转速300~400r/min,球磨时间8~12h,球磨时通惰性气体保护;将上述合金粉末采用等离子体活化烧结成形,升温速率30~100℃/min,烧结温度300℃~500℃,升温阶段压力15~25MPa,保温阶段压力40~60MPa,保温时间10~30min,整个烧结过程在真空或惰性气体保护下进行。该方法所得材料室温下热电优值达到了5.26×10-3/K。
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