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公开(公告)号：CN101147976A
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200710053669.7
申请日：2007-10-26
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种制备纳米粉末和薄膜材料的装置，其结构为：坩埚位于真空腔体的底部，衬底装置由电动机，衬底支架和衬底组成，衬底支架位于真空腔体的内腔顶部，电动机与衬底支架连接，衬底安装在衬底支架的下面；粉末收集器的收集口与真空腔体相通，送粉器安装在真空腔体的内壁上，送粉器的出粉口位于坩埚的上方，真空腔体上开有进水口、出水口和保护气体进口；高真空机组与真空腔体相连，硅整流器的正、负极分别与位于真空腔体内的钨极氩弧焊枪和坩埚连接，钨极氩弧焊枪与坩埚的距离为3－20mm之间。该装置既可以制备纳米粉末又可以沉积薄膜材料。制备的粉末纯度高，颗粒均匀；沉积的薄膜均匀，沉积速率较高，该装置的成本较低。
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公开(公告)号：CN101799440B
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN201010133486.8
申请日：2010-03-28
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01N25/20
Abstract: 本发明公开了一种测试薄膜热导率的新方法。通过样品上两个金属加热薄膜对有膜区域与无膜区域的同时加热，通过调整串联在电路中的精密可调电阻箱，使两个金属加热薄膜具有相同的加热功率密度。当两个金属加热薄膜具有相同的功率密度，形状相同，尺寸高度相近，作用在同一个较小的样品上时，可以认为两个金属加热薄膜的温升差，即为待测薄膜样品两个侧面的温差。通过高精度高速数据采集卡采集两个已知精密参考电阻和两个金属加热薄膜的电压信号，处理后得到两个金属薄膜的加热功率和温度变化，即待测薄膜的传热功率密度和薄膜两侧的温差，结合薄膜厚度，计算得到薄膜膜厚方向热导率。该方法原理简单，设备和测试成本较低，精度较高，数据处理容易。
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公开(公告)号：CN101038265A
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200710051933.3
申请日：2007-04-23
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种测量半导体薄膜材料室温下塞贝克系数和电阻率的装置，热电堆与冷、热端导热铜块固定一体，其下部形成空腔，空腔内布置有电位探针。Seebeck电势检测点和冷、热端热电偶安置在导热铜块的下端；电位探针，检测点、热电偶分别与采集模块相连；参考电阻与转换开关串接，并与检测点相连；恒流源与转换开关相连；转换开关与数据采集模块相连；采集模块与计算机相连，采集的数据通过虚拟仪器软件处理获得检测结果。测试台分为上下两部分，上部分固定测试组件，下部分支撑样品，并有螺杆向上抬升样品，实现样品与各检测点的接触。该装置可以同时进行测定塞贝克系数和电阻率但不破坏薄膜，并且测试过程简单，装置和测试成本较低。
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公开(公告)号：CN101799440A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN201010133486.8
申请日：2010-03-28
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01N25/20
Abstract: 本发明公开了一种测试薄膜热导率的新方法。通过样品上两个金属加热薄膜对有膜区域与无膜区域的同时加热，通过调整串联在电路中的精密可调电阻箱，使两个金属加热薄膜具有相同的加热功率密度。当两个金属加热薄膜具有相同的功率密度，形状相同，尺寸高度相近，作用在同一个较小的样品上时，可以认为两个金属加热薄膜的温升差，即为待测薄膜样品两个侧面的温差。通过高精度高速数据采集卡采集两个已知精密参考电阻和两个金属加热薄膜的电压信号，处理后得到两个金属薄膜的加热功率和温度变化，即待测薄膜的传热功率密度和薄膜两侧的温差，结合薄膜厚度，计算得到薄膜膜厚方向热导率。该方法原理简单，设备和测试成本较低，精度较高，数据处理容易。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100377378C
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200610019082.X
申请日：2006-05-16
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L35/34
Abstract: 本发明提供了一种Bi-Sb-Te系热电材料的制备方法，其步骤为：将原料粉末按原子比Bi∶Sb∶Te＝2x∶2-2x∶3配比，0.1≤x≤0.3，混合后进行高能球磨处理，得到合金粉末，球料重量比10∶1～20∶1，球磨转速300～400r/min，球磨时间8～12h，球磨时通惰性气体保护；将上述合金粉末采用等离子体活化烧结成形，升温速率30～100℃/min，烧结温度300℃～500℃，升温阶段压力15～25MPa，保温阶段压力40～60MPa，保温时间10～30min，整个烧结过程在真空或惰性气体保护下进行。该方法所得材料室温下热电优值达到了5.26×10-3/K。
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公开(公告)号：CN1843667A
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：CN200610019082.X
申请日：2006-05-16
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明提供了一种Bi－Sb－Te系热电材料的制备方法，其步骤为：将原料粉末按原子比Bi∶Sb∶Te＝2x∶2－2x∶3配比，0.1≤x≤0.3，混合后进行高能球磨处理，得到合金粉末，球料重量比10∶1～20∶1，球磨转速300～400r/min，球磨时间8～12h，球磨时通惰性气体保护；将上述合金粉末采用等离子体活化烧结成形，升温速率30～100℃/min，烧结温度300℃～500℃，升温阶段压力15～25MPa，保温阶段压力40～60MPa，保温时间10～30min，整个烧结过程在真空或惰性气体保护下进行。该方法所得材料室温下热电优值达到了5.26×10－3/K。
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公开(公告)号：CN100553832C
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200710053669.7
申请日：2007-10-26
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种制备纳米粉末和薄膜材料的装置，其结构为：坩埚位于真空腔体的底部，衬底装置由电动机，衬底支架和衬底组成，衬底支架位于真空腔体的内腔顶部，电动机与衬底支架连接，衬底安装在衬底支架的下面；粉末收集器的收集口与真空腔体相通，送粉器安装在真空腔体的内壁上，送粉器的出粉口位于坩埚的上方，真空腔体上开有进水口、出水口和保护气体进口；高真空机组与真空腔体相连，硅整流器的正、负极分别与位于真空腔体内的钨极氩弧焊枪和坩埚连接，钨极氩弧焊枪与坩埚的距离为3-20mm之间。该装置既可以制备纳米粉末又可以沉积薄膜材料。制备的粉末纯度高，颗粒均匀；沉积的薄膜均匀，沉积速率较高，该装置的成本较低。
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公开(公告)号：CN100547398C
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200710051933.3
申请日：2007-04-23
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种测量半导体薄膜材料室温下塞贝克系数和电阻率的装置，热电堆与冷、热端导热铜块固定一体，其下部形成空腔，空腔内布置有电位探针。Seebeck电势检测点和冷、热端热电偶安置在导热铜块的下端；电位探针，检测点、热电偶分别与采集模块相连；参考电阻与转换开关串接，并与检测点相连；恒流源与转换开关相连；转换开关与数据采集模块相连；采集模块与计算机相连，采集的数据通过虚拟仪器软件处理获得检测结果。测试台分为上下两部分，上部分固定测试组件，下部分支撑样品，并有螺杆向上抬升样品，实现样品与各检测点的接触。该装置可以同时进行测定塞贝克系数和电阻率但不破坏薄膜，并且测试过程简单，装置和测试成本较低。
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公开(公告)号：CN201041559Y
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200720084694.7
申请日：2007-05-11
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本实用新型公开了一种测量半导体薄膜材料室温下塞贝克系数和电阻率的装置，热电堆与冷、热端导热铜块固定一体，其下部形成空腔，空腔内布置有电位探针。Seebeck电势检测点和冷、热端热电偶安置在导热铜块的下端；电位探针，检测点、热电偶分别与采集模块相连；参考电阻与转换开关串接，并与检测点相连；恒流源与转换开关相连；转换开关与数据采集模块相连；采集模块与计算机相连，采集的数据通过虚拟仪器软件处理获得检测结果。测试台分为上下两部分，上部分固定测试组件，下部分支撑样品，并有螺杆向上抬升样品，实现样品与各检测点的接触。该装置可以同时进行测定塞贝克系数和电阻率但不破坏薄膜，并且测试过程简单，装置和测试成本较低。
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