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公开(公告)号：CN114121907A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202010866651.4
申请日：2020-08-25
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L25/07 , H01L25/00 , H01L23/367 , H01L23/482
Abstract: 本发明属于功率半导体模块的封装集成技术领域，公开了一种大功率全碳化硅模块的封装结构及封装方法。所述封装结构包括：底层直接覆铜陶瓷(DBC)基板、贴装在底层DBC基板上的碳化硅功率芯片(MOSFET)、驱动电阻、垫片、顶层DBC基板、连接端子。所述的封装结构主功率输入端子采用双端出线，功率引线存在电流流向相反的结构，利用互感抵消了部分功率回路上的寄生电感，并联芯片换流回路寄生电感更加均衡；上下面均可装配散热器，为功率芯片提供上下平行的两个散热路径，减小了芯片热阻；驱动回路采用Kelvin结构，减小了共源电感对驱动信号的影响，增强了驱动信号稳定性。所述的封装方法，为该封装结构提供了可靠的加工方法，使得该封装结构得以实现。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116387269B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202310434930.7
申请日：2023-04-21
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L23/492 , H01L25/07 , H05K1/18
Abstract: 本申请公开了一种功率模块，包括：上桥臂部分、下桥臂部分、第一基板和第二基板；上桥臂部分包括：若干上桥臂芯片、上桥臂驱动柔性PCB板、若干上桥臂垫片、第一正电极层、第二正电极层、铜CLIP和第一交流侧电极层；下桥臂部分包括：若干下桥臂芯片、下桥臂驱动柔性PCB板、若干下桥臂垫片、负电极层、中间铜柱和第二交流侧电极层。本申请功率模块没有使用双回路结构，正电极层被分为第一正电极层和第二正电极层两个部分，第一正电极层与正电极端子件连接，而第二正电极层与上桥臂垫片连接，中间选择铜CLIP完成两个正电极层的连接，使得回路结构交错，有利于减小回路寄生电感，进而减小开关损耗和开关时的电压尖峰。
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公开(公告)号：CN114725076A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210291178.0
申请日：2022-03-23
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L25/07 , H01L23/367 , H01L23/40 , H01L23/495
Abstract: 本发明公开了一种功率模块及三相电机驱动器，属于功率半导体器件领域。功率模块包括：封装结构、设置在封装结构内的底层DBC基板和顶层DBC基板、设置在底层DBC基板上的上、下桥臂功率芯片组、设置在底层和顶层DBC基板上的DC+铜块、DC‑铜块及上、下桥臂驱动电阻，以及设置在所述封装结构内并延伸出所述封装结构的接线端子，所述接线端子包括两个正极直流端子、两个负极直流端子。驱动器，包括三个功率模块、叠放在三个功率模块封装结构上下表面的散热器、放置散热器表面的直流母线电容以及与三个功率模块的驱动端子设置在同一侧的驱动板。本发明的功率模块及三相电机驱动器，能够均衡功率芯片电流回路的寄生电感，同时提升驱动器整体的功率密度。
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公开(公告)号：CN116387269A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310434930.7
申请日：2023-04-21
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L23/492 , H01L25/07 , H05K1/18
Abstract: 本申请公开了一种功率模块，包括：上桥臂部分、下桥臂部分、第一基板和第二基板；上桥臂部分包括：若干上桥臂芯片、上桥臂驱动柔性PCB板、若干上桥臂垫片、第一正电极层、第二正电极层、铜CLIP和第一交流侧电极层；下桥臂部分包括：若干下桥臂芯片、下桥臂驱动柔性PCB板、若干下桥臂垫片、负电极层、中间铜柱和第二交流侧电极层。本申请功率模块没有使用双回路结构，正电极层被分为第一正电极层和第二正电极层两个部分，第一正电极层与正电极端子件连接，而第二正电极层与上桥臂垫片连接，中间选择铜CLIP完成两个正电极层的连接，使得回路结构交错，有利于减小回路寄生电感，进而减小开关损耗和开关时的电压尖峰。
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公开(公告)号：CN114725076B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202210291178.0
申请日：2022-03-23
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L25/07 , H01L23/367 , H01L23/40 , H01L23/495
Abstract: 本发明公开了一种功率模块及三相电机驱动器，属于功率半导体器件领域。功率模块包括：封装结构、设置在封装结构内的底层DBC基板和顶层DBC基板、设置在底层DBC基板上的上、下桥臂功率芯片组、设置在底层和顶层DBC基板上的DC+铜块、DC‑铜块及上、下桥臂驱动电阻，以及设置在所述封装结构内并延伸出所述封装结构的接线端子，所述接线端子包括两个正极直流端子、两个负极直流端子。驱动器，包括三个功率模块、叠放在三个功率模块封装结构上下表面的散热器、放置散热器表面的直流母线电容以及与三个功率模块的驱动端子设置在同一侧的驱动板。本发明的功率模块及三相电机驱动器，能够均衡功率芯片电流回路的寄生电感，同时提升驱动器整体的功率密度。
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公开(公告)号：CN116455180A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310431329.2
申请日：2023-04-21
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明涉及一种功率模块，包括：上桥臂模块、下桥臂模块、电极层模块、基板模块和固定模块，所述上桥臂模块通过所述固定模块与所述电极层模块连接，所述下桥臂模块与所述电极层模块连接，所述上桥臂模块、所述下桥臂模块、所述电极层模块和所述固定模块均设置在所述基板模块上。本发明能够减小回路寄生电感，提高模块的热性能以及优化模块内部结构，保证功率模块可靠工作。
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