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公开(公告)号：CN118074480B
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202410242655.3
申请日：2024-03-04
Applicant: 华中科技大学
IPC: H02M1/00 , H01L23/538 , H01L23/52 , H01L25/07 , H02M7/00
Abstract: 本发明涉及一种新型封装功率模块，包括：上层部件和下层部件，通过上层部件和下层部件构建叠层结构，实现三维换流回路；上层部件包括：若干个上桥臂芯片，上桥臂芯片设置在第一正电极层和第二正电极层上，若干个下桥臂芯片，下桥臂芯片设置在第一上层交流电极层和第二上层交流电极层上；下层部件包括：底层交流电极层，底层交流电极层分别与上桥臂芯片、第一上层交流电极层和第二上层交流电极层连接。本发明能够使得并联开关管芯片分组反相并联设置，相邻两组桥臂之间在同一平面内反向并联，能够减小寄生电感及提高开关性能。
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公开(公告)号：CN118694134A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410696200.9
申请日：2024-05-31
Abstract: 本发明公开了一种并联开关器件暂态电流的快速计算方法，包括：预设总计算时间，给定时间子步长进行迭代求解，在每个时间子步长内，基于开关器件参数、电路工作参数、电路寄生电感参数、器件并联数目和平均开关波形，通过主回路与驱动回路之间的互感参数计算主功率电流在驱动回路中各支路的感应电压不均衡值；通过驱动回路模型计算并联开关器件上的不均衡栅源电压；根据不均衡栅源电压计算并联开关器件之间的不均衡主功率电流；将不均衡主功率电流与平均电流相加，得到并联开关器件上的总暂态电流；判断是否达到总计算时间，若是，结束计算；否则，进入下一个时间子步长继续计算，直至计算时间达到总计算时间，计算完成并结束计算。
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公开(公告)号：CN114121909B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202010883663.8
申请日：2020-08-27
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L25/07 , H01L25/00 , H01L23/367 , H01L23/64
Abstract: 本发明公开了一种多芯片并联的高温功率模块的封装结构及封装方法，属于功率半导体器件领域。该封装结构及封装方法可以应用在硅功率模块以及碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体高温应用的功率模块中；封装结构包括：散热基板，一体化基板，附着于一体化基板上的功率单元、驱动电阻、热敏电阻、解耦电容、键合线、灌封胶、外壳及端子；该封装方法在封装材料上采用耐高温和高导热材料，使得整个封装结构实现高温环境下的应用。本发明的各种封装材料方案，可以使得模块在高温工作条件下保持良好的散热性能和机械性能，模块长期工作温度达到200℃。
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公开(公告)号：CN114725076B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202210291178.0
申请日：2022-03-23
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L25/07 , H01L23/367 , H01L23/40 , H01L23/495
Abstract: 本发明公开了一种功率模块及三相电机驱动器，属于功率半导体器件领域。功率模块包括：封装结构、设置在封装结构内的底层DBC基板和顶层DBC基板、设置在底层DBC基板上的上、下桥臂功率芯片组、设置在底层和顶层DBC基板上的DC+铜块、DC‑铜块及上、下桥臂驱动电阻，以及设置在所述封装结构内并延伸出所述封装结构的接线端子，所述接线端子包括两个正极直流端子、两个负极直流端子。驱动器，包括三个功率模块、叠放在三个功率模块封装结构上下表面的散热器、放置散热器表面的直流母线电容以及与三个功率模块的驱动端子设置在同一侧的驱动板。本发明的功率模块及三相电机驱动器，能够均衡功率芯片电流回路的寄生电感，同时提升驱动器整体的功率密度。
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公开(公告)号：CN117748934B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202311737775.2
申请日：2023-12-18
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于三电源并联分析模型的三相交错LLC均流分析方法，包括：将三相交错LLC变换器等效为具有耦合作用的三相并联电源，基于三电源并联模型计算各相电流，并根据基尔霍夫定律得到相间输出电流偏差；通过基波分析法获取谐振槽路两端电压，然后根据拓扑结构解耦到Δ结构的电路；根据谐振槽路阻抗计算各相电流并定义电流不平衡度，基于电流不平衡度评估不同拓扑在不同参数下的均流性能，对不同拓扑的情况进行比较得到满足设计需求的拓扑。本发明首次提出使用三电源并联模型分析三相交错LLC的均流特性，并由此给出了不同三相交错LLC均流特性的差异，可以为三相交错LLC拓扑的选取提供参考。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118098991A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410242559.9
申请日：2024-03-04
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种覆阵列式金属复合纳米线封装基板的制备方法，属于电子制造技术领域。本发明的覆阵列式金属复合纳米线的封装基板的制备方法包括以下步骤：在陶瓷基片的一测覆盖铜箔，得到陶瓷覆铜板；取含有阵列式纳米级贯穿孔的掩模版，制备含金属层的掩模版；将所述含金属层的掩模版的含金属层的一侧与所述陶瓷覆铜板的含铜箔的一侧对准，进行热压焊接，获得覆掩模版的陶瓷基板；在所述覆掩模版的陶瓷基板上电镀阵列式金属纳米线和外部金属；进行贴膜、光刻显影和线路刻蚀。本发明通过在覆掩模版的陶瓷基板上预制阵列式金属复合纳米线来取代焊膏涂敷工艺，可实现功率器件的低成本、高可靠封装互连。
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公开(公告)号：CN118074506A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202311741153.7
申请日：2023-12-18
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种集成共模EMI滤波器的功率模块，属于电子技术领域，所述模块包括电极层、接地层、共模电容、解耦电容、开关管芯片、反并联二极管、驱动金属层、共模电感和DBC基板。本发明将共模电感、第一共模电容、第二共模电容设置在同一DBC基板上，其中共模电感嵌入于DBC基板的窗口中。将共模EMI滤波器集成在功率模块内部，减小了共模EMI滤波器与功率模块互连带来的寄生电感，提高共模滤波器的高频特性，大大提升了共模EMI滤波器在高频范围的滤波性能。
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公开(公告)号：CN116455180A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310431329.2
申请日：2023-04-21
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明涉及一种功率模块，包括：上桥臂模块、下桥臂模块、电极层模块、基板模块和固定模块，所述上桥臂模块通过所述固定模块与所述电极层模块连接，所述下桥臂模块与所述电极层模块连接，所述上桥臂模块、所述下桥臂模块、所述电极层模块和所述固定模块均设置在所述基板模块上。本发明能够减小回路寄生电感，提高模块的热性能以及优化模块内部结构，保证功率模块可靠工作。
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公开(公告)号：CN114783746A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210256557.6
申请日：2022-03-16
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种降低磁芯涡流损耗的高频变压器，属于变压器技术领域，包括：磁芯柱、绕制在所述磁芯柱上的绕组、设置在所述磁芯柱顶部和底部的上盖板、下盖板，所述磁芯柱与上盖板之间开有气隙，且所述磁芯柱边缘处的气隙长度大于中心处的气隙长度。本发明的高频变压器，通过磁芯柱边缘位置和上盖板之间的气隙变大，增大了磁芯柱边缘位置和上盖板之间的磁阻，使流过磁芯柱边缘位置的磁通变小，使整个磁芯柱的磁通分布均匀，减小了磁芯的趋肤效应，进而减小了磁芯涡流损耗。与现有技术相比，本发明不需要增加额外的磁边柱，在减小磁芯涡流损耗的同时，能够减小磁芯材料与成本。
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公开(公告)号：CN114076860A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202010835429.8
申请日：2020-08-19
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于功率模块测试技术领域，具体公开了一种用于半桥型功率模块的电压检测装置；电压检测装置包括PCB板，位于PCB板上的正极连接孔、负极连接孔、输出电极连接孔和主功率电压测试孔；正极连接孔用于为被测模块的正极端子提供连接接口；负极连接孔用于为被测模块的负极端子提供连接接口；输出电极连接孔用于为被测模块的输出电极端子提供连接接口；主功率电压测试孔用于为被测模块中开关管上的电压测量提供接口。其中，各连接孔用于连接被测模块的端子；各电压测试孔用于连接示波器的探头，从而对各电压信号进行测量；解决了EconoDual3半桥型功率模块不便于测量的问题。
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