一种数据读取方法及装置

    公开(公告)号:CN108255634A

    公开(公告)日:2018-07-06

    申请号:CN201611239752.9

    申请日:2016-12-28

    Inventor: 石亮 李乔 王元钢

    Abstract: 本申请公开了一种数据读取方法及装置,以解决现有的LDPC纠错机制需要较长的读取时延和解码时延,影响闪存的读性能的问题。该方法为:闪存控制器接收到读取指令时,在待读取数据所在页加载预设参考电压,获取待读取数据所在页中存储元的第一电压状态信息;闪根据第一电压状态信息对待读取数据进行解码,确定解码失败时,判断待读取数据所在页所属块的编程擦除次数是否小于预设阈值,以判断继续加载电压的位置是位于预设参考电压左侧还是右侧,以此减少错误率较低的一边冗余的参考电压,提高LDPC解码性能。

    一种闪存设备的访问方法和装置

    公开(公告)号:CN107710169A

    公开(公告)日:2018-02-16

    申请号:CN201680000818.0

    申请日:2016-02-19

    CPC classification number: G06F12/02

    Abstract: 本发明实施例提供了一种闪存设备的访问方法和装置,实现对闪存设备的访问效率的优化。该方法包括:存储控制器接收访问请求;存储控制器获取待访问存储区域的历史访问信息,其中,历史访问信息中包含对待访问存储区域的历史访问类型,对闪存设备访问的访问类型包括写操作和读操作;存储控制器根据历史访问信息和该访问请求的访问类型,对待访问存储区域进行访问操作。将数据分为只读、只写和交叉访问三类,并利用历史访问信息和本次访问请求的访问类型,对三类数据进行区分,从而加快只读数据的读取速读,加快只写数据的写入速度,从而在提升对闪存设备的整体访问效率。

    一种闪存设备的访问方法和装置

    公开(公告)号:CN107710169B

    公开(公告)日:2024-03-26

    申请号:CN201680000818.0

    申请日:2016-02-19

    Abstract: 本发明实施例提供了一种闪存设备的访问方法和装置,实现对闪存设备的访问效率的优化。该方法包括:存储控制器接收访问请求;存储控制器获取待访问存储区域的历史访问信息,其中,历史访问信息中包含对待访问存储区域的历史访问类型,对闪存设备访问的访问类型包括写操作和读操作;存储控制器根据历史访问信息和该访问请求的访问类型,对待访问存储区域进行访问操作。将数据分为只读、只写和交叉访问三类,并利用历史访问信息和本次访问请求的访问类型,对三类数据进行区分,从而加快只读数据的读取速读,加快只写数据的写入速度,从而在提升对闪存设备的整体访问效率。

    数据读取方法及闪存设备

    公开(公告)号:CN110100236B

    公开(公告)日:2021-03-23

    申请号:CN201680091823.7

    申请日:2016-12-29

    Abstract: 一种数据读取方法及闪存设备(1000),在读取的数据出现错误时,所述闪存设备(1000)优先增加错误率较高的相邻状态之间的参考电压,从而,能够在保证读取正确数据的概率基础上尽量减少参考电压的数量,从而能够减少读数数据过程中的电压比较次数,缩短读取出正确数据的时间,进而缩短了读操作的执行时间。

    一种数据读取的方法及闪存控制器

    公开(公告)号:CN109411002A

    公开(公告)日:2019-03-01

    申请号:CN201710698122.6

    申请日:2017-08-15

    CPC classification number: G11C16/26 G11C16/30

    Abstract: 一种数据读取的方法及闪存控制器,该方法包括闪存控制器获取数据读取请求,所述数据读取请求包括待读取数据的地址,根据所述待读取数据的地址,确定所述待读取数据所在的闪存块,闪存控制器在所述待读取数据所在的闪存块所处的读取阶段为第一阶段时,根据所述闪存块当前导通电压的降低量,确定出所述闪存块的非读字线上降低后的导通电压,并设置待读字线的读取电压;其中,所述第一阶段为当前读操作所使用的参考电压小于等于LDPC当前支持的参考电压、且所述闪存块当前导通电压的降低量大于第一阈值的阶段,然后根据所述闪存块上非读字线上的降低后的导通电压和所述待读字线的读取电压,读取数据。闪存控制器通过确认闪存块所处的读取阶段位于第一段时,将全部非读字线上的导通电压降低,来实现保证在额外读错误不影响性能的前提下,减少字线上的读干扰错误,从而改善闪存访问性能。

    一种数据读取的方法及闪存控制器

    公开(公告)号:CN109411002B

    公开(公告)日:2021-01-29

    申请号:CN201710698122.6

    申请日:2017-08-15

    Abstract: 一种数据读取的方法及闪存控制器,该方法包括闪存控制器获取数据读取请求,所述数据读取请求包括待读取数据的地址,根据所述待读取数据的地址,确定所述待读取数据所在的闪存块,闪存控制器在所述待读取数据所在的闪存块所处的读取阶段为第一阶段时,根据所述闪存块当前导通电压的降低量,确定出所述闪存块的非读字线上降低后的导通电压,并设置待读字线的读取电压;根据所述闪存块上非读字线上的降低后的导通电压和所述待读字线的读取电压,读取数据。闪存控制器通过确认闪存块所处的读取阶段位于第一段时,将全部非读字线上的导通电压降低,来实现保证在额外读错误不影响性能的前提下,减少字线上的读干扰错误,从而改善闪存访问性能。

    数据读取方法及闪存设备

    公开(公告)号:CN110100236A

    公开(公告)日:2019-08-06

    申请号:CN201680091823.7

    申请日:2016-12-29

    Abstract: 一种数据读取方法及闪存设备(1000),在读取的数据出现错误时,所述闪存设备(1000)优先增加错误率较高的相邻状态之间的参考电压,从而,能够在保证读取正确数据的概率基础上尽量减少参考电压的数量,从而能够减少读数数据过程中的电压比较次数,缩短读取出正确数据的时间,进而缩短了读操作的执行时间。

    一种数据读取方法及装置

    公开(公告)号:CN108255634B

    公开(公告)日:2020-08-07

    申请号:CN201611239752.9

    申请日:2016-12-28

    Inventor: 石亮 李乔 王元钢

    Abstract: 本申请公开了一种数据读取方法及装置,以解决现有的LDPC纠错机制需要较长的读取时延和解码时延,影响闪存的读性能的问题。该方法为:闪存控制器接收到读取指令时,在待读取数据所在页加载预设参考电压,获取待读取数据所在页中存储元的第一电压状态信息;闪根据第一电压状态信息对待读取数据进行解码,确定解码失败时,判断待读取数据所在页所属块的编程擦除次数是否小于预设阈值,以判断继续加载电压的位置是位于预设参考电压左侧还是右侧,以此减少错误率较低的一边冗余的参考电压,提高LDPC解码性能。

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