-
公开(公告)号：CN108345063B
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN201711196284.6
申请日：2017-11-25
Applicant: 华为技术有限公司
Inventor： 汤姆·柯林斯
IPC: G02B6/12
Abstract: 一种光子集成电路，其包含衬底和无源层，所述无源层形成于所述衬底上并包括无源光子设备。所述电路还包含III‑V族材料层。所述III‑V族材料层布置在所述无源层的凹槽中，并包括有源光子设备。所述III‑V族材料层配置成使得光能够在所述无源光子设备与所述有源光子设备之间传递。此光子集成电路提供了由III‑V族材料以易于平面化的布置形成的有源设备的优点，使得所述有源设备与电子组件之间能够紧密集成。
-
公开(公告)号：CN105938975A
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201610096175.6
申请日：2016-02-22
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H01S5/024
Abstract: 本发明涉及一种温度不敏感激光器(100)，包括：增益区(101)，用于产生激光辐射；反射区(103)，用于反射所述增益区(101)中产生的激光辐射；波导(105)，用于将所述增益区(101)产生的所述激光辐射引导至所述反射区(103)，以及将所述反射区(103)反射的激光辐射引导至所述增益区(101)，其中，所述增益区(101)、所述反射区(103)以及所述波导(105)构成所述半导体激光器(100)的谐振腔，所述波导(105)几乎无热。
-
公开(公告)号：CN107003478B
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN201580065460.5
申请日：2015-11-20
Applicant: 华为技术有限公司
Abstract: 提供了一种光耦合装置(10)，包括：光波电路(lightwave circuit，LC)(100)、耦合元件(200)和光波导元件(300)，其中，所述LC(100)具有第一表面区域(110)，并且所述耦合元件(200)附接到所述第一表面区域(110)，使得光信号可以从所述LC(100)传输到所述耦合元件(200)。所述光波导元件(300)在第一接合区(202)处附接到所述耦合元件(300)，使得所述光信号可以从所述耦合元件(200)传输到所述光波导元件(300)。所述耦合元件(200)用于对从所述LC(100)传输到所述光波导元件(300)的所述光信号进行模式转换，并且实现所述光信号到所述光波导元件(300)的绝热耦合。因此，可以实现更好的耦合效率。
-
公开(公告)号：CN105938975B
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201610096175.6
申请日：2016-02-22
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H01S5/024
Abstract: 本发明涉及一种温度不敏感激光器(100)，包括：增益区(101)，用于产生激光辐射；反射区(103)，用于反射所述增益区(101)中产生的激光辐射；波导(105)，用于将所述增益区(101)产生的所述激光辐射引导至所述反射区(103)，以及将所述反射区(103)反射的激光辐射引导至所述增益区(101)，其中，所述增益区(101)、所述反射区(103)以及所述波导(105)构成所述半导体激光器(100)的谐振腔，所述波导(105)几乎无热。
-
公开(公告)号：CN118235060A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202180104095.X
申请日：2021-12-08
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: G01S7/4911 , G01S7/4912 , G01S17/89 , G01S17/931
Abstract: 本发明提供了一种用于LiDAR系统的多波束发送器级(100)，多波束发送级(100)包括连续波激光器(102)、发送器阵列(104)和相干像素的接收器阵列。发送器阵列(104)包括一维光切换矩阵(optical switching matrix，OSM)(106A)，一维OSM(106A)包括沿第一轴延伸的多个元件(108A至108N)。OSM(106A)依次将激光束引导到元件中的每个元件。发送器阵列还包括多个一维发送器列(110A至110N)，其中，每个发送器列沿第二轴延伸，并用于接收来自OSM(106A)的对应元件的激光束，每个发送器用于输出输出波束。多波束发送级还包括透镜(112)，透镜(112)用于接收每个输出波束，并将每个输出波束的第一轴位置转换为波束的第一轴传播角。IQ调制器(114)用于执行频率啁啾。光抽头(116)用于提供本振信号。二元分离器(118)用于将激光束分成两个分支(120A、120B)，每个分支包括至少一个升压式半导体光放大器(122A、122B)和至少一个发送器阵列(104)。多波束发送级使用两个镜像切换模块提供了高效的多波束生成方法。这样，可以显著减少满足高级驾驶辅助系统(advanced driving assistance system，ADAS)应用的要求所需的一维光切换矩阵的数量。多波束发送级用于生成多波束，以实现LiDAR系统的并行化。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105372757B
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN201510458986.1
申请日：2015-07-30
Applicant: 华为技术有限公司
Abstract: 一种用于制造包括有源器件和无源波导电路的集成光路的方法包括：在源晶圆衬底(514)上应用(501)有源波导结构(510、511和512)；通过选择性移除所述有源波导结构(510、511和512)暴露(502)所述源晶圆衬底(514)的一部分(522)；在该源晶圆衬底(514)的所述暴露部分(522)上应用(503)无源波导结构(531、532和533)，其中，所述有源波导结构(510、511和512)和所述无源波导结构(531、532和533)的集合体形成所述有源器件(550)，所述有源器件(550)的下表面朝向所述源晶圆衬底(514)；从所述有源器件(550)移除(505)所述源晶圆衬底(514)；将所述有源器件(550)附着(506)于包括所述无源波导电路的目标衬底(562)，使得所述有源器件(550)的下表面朝向所述目标衬底(562)。
-
公开(公告)号：CN104335088B
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201380029344.9
申请日：2013-03-13
Applicant: 华为技术有限公司
Inventor： 汤姆·柯林斯
CPC classification number: H01L31/1804 , G02B6/13 , G02B6/132 , G02B6/136 , H01L27/144 , H01L31/02327
Abstract: 一种光子电路(400)制造工艺，包括：在第一晶片(101)上制造包含下包覆氧化层(102)和高折射率波导层(103)的第一层堆栈；确定所述高折射率波导层(103')的模型，以生成无源光子结构；平整所述第一层堆栈，所述第一层堆栈上厚度小于300纳米的平整氧化层(104)位于所述高折射率波导层(103)的上方；平整氧化层之前和/或之后，给所述模型化的高折射率波导层(103')退火；在第二晶片(201)上制造包含可分离的单晶硅波导层(203)的第二层堆栈；转移并键合所述第一层堆栈和所述第二层堆栈；在所述单晶硅波导层(203')内制造有源光子器件；及实现所述单晶硅波导层(203')和所述高折射率波导层(103")之间的渐逝波耦合。
-
公开(公告)号：CN104950390A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201510073693.1
申请日：2015-02-11
Applicant: 华为技术有限公司
CPC classification number: G02B6/126 , G02B6/1228 , G02B6/125 , G02B6/14 , G02B6/2726 , G02B6/2766 , G02B6/2773 , G02B6/2813 , G02B2006/1215
Abstract: 本发明涉及一种基于半导体的偏振相关模式转换器，包括：一种用SiNX波导材料或其他折射率在1.7至2.3之间的固态波导材料制成的波导，且内嵌于一种含SiO2的包层材料中或其他折射率低于1.6且高于1的固态包层材料中，其中所述波导包括在其纵向延伸部分的具有垂直非对称结构的第一段，所述非对称结构包括位于所述波导材料之上的薄硅层，在垂直方向的所述薄硅层的厚度小于相同垂直方向的所述波导材料的厚度。
-
公开(公告)号：CN104950390B
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201510073693.1
申请日：2015-02-11
Applicant: 华为技术有限公司
CPC classification number: G02B6/126 , G02B6/1228 , G02B6/125 , G02B6/14 , G02B6/2726 , G02B6/2766 , G02B6/2773 , G02B6/2813 , G02B2006/1215
Abstract: 本发明涉及一种基于半导体的偏振相关模式转换器，包括：一种用SiNX波导材料或其他折射率在1.7至2.3之间的固态波导材料制成的波导，且内嵌于一种含SiO2的包层材料中或其他折射率低于1.6且高于1的固态包层材料中，其中所述波导包括在其纵向延伸部分的具有垂直非对称结构的第一段，所述非对称结构包括位于所述波导材料之上的薄硅层，在垂直方向的所述薄硅层的厚度小于相同垂直方向的所述波导材料的厚度。
-
公开(公告)号：CN108345063A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201711196284.6
申请日：2017-11-25
Applicant: 华为技术有限公司
Inventor： 汤姆·柯林斯
IPC: G02B6/12
Abstract: 一种光子集成电路，其包含衬底和无源层，所述无源层形成于所述衬底上并包括无源光子设备。所述电路还包含III-V族材料层。所述III-V族材料层布置在所述无源层的凹槽中，并包括有源光子设备。所述III-V族材料层配置成使得光能够在所述无源光子设备与所述有源光子设备之间传递。此光子集成电路提供了由III-V族材料以易于平面化的布置形成的有源设备的优点，使得所述有源设备与电子组件之间能够紧密集成。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
15
records
(took 0.027 seconds)
