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公开(公告)号:CN108340634B
公开(公告)日:2024-03-01
申请号:CN201810205436.2
申请日:2018-03-13
Applicant: 华侨大学
Abstract: 本发明公开了由超声振动滚压实现的止裂结构,具有层基体,该层基体的顶底双面中有一面含有止裂结构,该止裂结构包括多条凸设在该含有止裂结构的面上且同向布置的条状凸起,该止裂结构通过超声振动器采用超声振动滚压实现。它具有如下优点:层基体中有一面含有止裂结构,止裂结构包括多条同向布置的条状凸起,止裂结构的材料能在某一特定方向上阻止(延缓)裂纹的扩展,且止裂结构通过超声振动器采用超声振动滚压实现,加工方便快速,生产效率高,加工出的止裂结构的可靠性高。
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公开(公告)号:CN108344684B
公开(公告)日:2023-12-29
申请号:CN201810116604.0
申请日:2018-02-06
Applicant: 华侨大学
IPC: G01N19/04
Abstract: 本发明公开了砂轮磨粒结合强度测试装备,单颗磨粒通过钎焊或者电镀的方式固结在工具头上,通过主轴电机带动工具头做圆周旋转运动,通过角度微调装置调整工件划擦表面与Z向平行,测试过程中通过Z向直线运动机构和X向直线运动机构的联动进给,在工件表面划擦出若干个深度逐渐变大的划痕,随着划擦深度的增加,作用在单颗磨粒上的力越来越大,直至单颗磨粒脱落,通过测力仪判断是否脱落,在脱落时通过测力仪获得并记录作用在单颗磨粒的法向力和切向力,采用该切向力和法向力综合评价单颗磨粒的结合强度,采用该测试方式能真实模拟砂轮磨削过程磨粒与工件的相对运动形式以及磨粒与工件之间的相互作用历程,能够较为准确的测得磨削过程中磨粒的结合强度。
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公开(公告)号:CN108344684A
公开(公告)日:2018-07-31
申请号:CN201810116604.0
申请日:2018-02-06
Applicant: 华侨大学
IPC: G01N19/04
Abstract: 本发明公开了砂轮磨粒结合强度测试装备,单颗磨粒通过钎焊或者电镀的方式固结在工具头上,通过主轴电机带动工具头做圆周旋转运动,通过角度微调装置调整工件划擦表面与Z向平行,测试过程中通过Z向直线运动机构和X向直线运动机构的联动进给,在工件表面划擦出若干个深度逐渐变大的划痕,随着划擦深度的增加,作用在单颗磨粒上的力越来越大,直至单颗磨粒脱落,通过测力仪判断是否脱落,在脱落时通过测力仪获得并记录作用在单颗磨粒的法向力和切向力,采用该切向力和法向力综合评价单颗磨粒的结合强度,采用该测试方式能真实模拟砂轮磨削过程磨粒与工件的相对运动形式以及磨粒与工件之间的相互作用历程,能够较为准确的测得磨削过程中磨粒的结合强度。
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公开(公告)号:CN108225962A
公开(公告)日:2018-06-29
申请号:CN201810116520.7
申请日:2018-02-06
Applicant: 华侨大学
IPC: G01N3/56
Abstract: 本发明公开了单颗磨粒钟摆式划擦试验装备,该X向直线运动机构带动Z向直线运动机构、转接板、角度微调装置、夹具和试件沿X向直线运动;该Z向直线运动机构带动转接板、角度微调装置、夹具和试件沿Z向直线运动;该角度微调装置带动夹具和试件沿Y向旋转;该主轴电机带动回转盘绕Z向转动,该工具头固设在回转盘的回转周壁上,该工具头装接有单颗磨粒。X向控制划擦深度,角度微调装置调整试件划擦表面与Z向进给方向平行,Z向的进给速度与单颗磨粒的转速控制划痕的间距,当划痕间距较小时,划痕间相互重合,该试验装备可用于单颗磨粒的干涉划擦与非干涉划擦。
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公开(公告)号:CN108387474B
公开(公告)日:2023-12-29
申请号:CN201810116554.6
申请日:2018-02-06
Applicant: 华侨大学
IPC: G01N3/56
Abstract: 本发明公开了超声辅助单颗磨粒钟摆式划擦试验装备,X向直线运动机构装设在床身和Z向直线运动机构之间,Z向直线运动机构装设在X向直线运动机构和转接板之间,角度微调装置装设在转接板和支架之间,超声换能器与变幅杆连接在一起并固定在支架上,试件与变幅杆一起做高频周期振动;主轴电机带动回转盘绕Z向转动,回转盘外回转周壁上固设有工具头,该工具头上固设有单颗磨粒。它具有如下优点:X向进给用于控制划擦深度,角度微调装置用于调整试件划擦表面与Z向进给方向平行,Z向进给用于在试件表面形成若干个等切深等长度的划痕,可以实现单颗磨粒的干涉划擦与非干涉划擦,可以用于研究超声辅助单颗磨粒划擦过程的材料去除机理。
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公开(公告)号:CN108161603B
公开(公告)日:2023-08-29
申请号:CN201810116553.1
申请日:2018-02-06
Applicant: 华侨大学
Abstract: 本发明公开了磁场辅助平面磨削设备,包括数控平面磨床和磁场辅助装置。该数控平面磨床包含床身、主轴、磨盘、夹具和工作台。该磁场辅助装置包含电磁铁装置,该电磁铁装置包括两线圈、两极头、极柱和一磁轭,该磁轭呈U形结构且具有一中间部和两开口部,该线圈装接在开口部,该极头装接在线圈上;还配设有直流电源控制系统,该直流电源控制系统电接电磁铁装置;该电磁铁装置装设在工作台之上,以使电磁铁装置随工作台一起做往复进给运动,该夹具及夹接在夹具上的工件相对固定地位于两极头的中间位置,以使工件始终处于磁场区域内。它具有如下优点:工件始终处于磁场区域内,使工件磨削区域始终受到定向磁场作用,有效提升工件表面质量。
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公开(公告)号:CN108416109A
公开(公告)日:2018-08-17
申请号:CN201810117188.6
申请日:2018-02-06
Applicant: 华侨大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了加工过程数值仿真用材料本构模型的校正方法,包括:(1)进行准静态试验及准静态试验的数值仿真,数值仿真使用原始本构模型Ⅰ,比较准静态试验和数值仿真的结果以验证应变强化项是否准确,若不准确则校正应变强化项,校正后得本构模型Ⅱ再执行(2);(2)通过高温硬度试验验证温度软化项是否准确,若不准确则校正温度软化项,校正后得本构模型Ⅲ再执行(3);(3)进行加工试验及该加工的过程的数值仿真,数值仿真使用本构模型Ⅲ,比较加工试验结果和数值仿真结果验证应变率强化项是否准确,若不准确则校正应变率强化项,校正后得本构模型Ⅳ。它具有如下优点:有效提高材料本构模型的精度,进而保证了加工过程数值仿真的精度。
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公开(公告)号:CN108387474A
公开(公告)日:2018-08-10
申请号:CN201810116554.6
申请日:2018-02-06
Applicant: 华侨大学
IPC: G01N3/56
Abstract: 本发明公开了超声辅助单颗磨粒钟摆式划擦试验装备,X向直线运动机构装设在床身和Z向直线运动机构之间,Z向直线运动机构装设在X向直线运动机构和转接板之间,角度微调装置装设在转接板和支架之间,超声换能器与变幅杆连接在一起并固定在支架上,试件与变幅杆一起做高频周期振动;主轴电机带动回转盘绕Z向转动,回转盘外回转周壁上固设有工具头,该工具头上固设有单颗磨粒。它具有如下优点:X向进给用于控制划擦深度,角度微调装置用于调整试件划擦表面与Z向进给方向平行,Z向进给用于在试件表面形成若干个等切深等长度的划痕,可以实现单颗磨粒的干涉划擦与非干涉划擦,可以用于研究超声辅助单颗磨粒划擦过程的材料去除机理。
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公开(公告)号:CN108340633A
公开(公告)日:2018-07-31
申请号:CN201810205433.9
申请日:2018-03-13
Applicant: 华侨大学
Abstract: 本发明公开了粘接固定层叠的止裂型材,包括多层含有止裂结构的单层部,该每层单层部的顶底双面中有一面含有止裂结构,该多层单层部以预设角度交错叠加固接形成止裂型材,该多层单层部的交错叠加是通过3D打印的选择性层片粘结实现。它具有如下优点:止裂结构的材料能在某一特定方向上阻止裂纹的扩展,固接牢固,加工效率高。
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公开(公告)号:CN108223522A
公开(公告)日:2018-06-29
申请号:CN201810117186.7
申请日:2018-02-06
Applicant: 华侨大学
IPC: F16B11/00
Abstract: 本发明公开了用于霍普金森压杆与应变片粘贴定位装置,包括支座、主支架、定位杆、定位部件和工作台。该主支架包括横向部、左、右凸耳,横向部能上下滑动连接在支座的竖座,左、右凸耳上都开设有第一横向孔,右凸耳上还开设有第一纵向孔。该定位杆能转动穿过左、右凸耳的第一横向孔,定位杆上还设有第二纵向孔,压杆能穿过第一、第二纵向孔,另配设能松释的锁接机构连接压杆和右凸耳。该定位部件连接定位杆和主支架。该工作台能移动地连接在支座的底座上,工作台上固设有导向柱,工作台侧面水平滑动连接有指示部,应变片置放在指示部顶面。它具有如下优点:提高应变片对称粘贴的精度和质量,提高定位效率,装置小型易装配、成本低。
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