线性化电路、功率放大器、芯片以及设备

    公开(公告)号:CN118117977B

    公开(公告)日:2024-11-29

    申请号:CN202410197808.7

    申请日:2024-02-22

    Abstract: 本发明公开了一种线性化电路、功率放大器、芯片以及设备,属于移动通信领域;其中,线性化电路包括功率检测单元、变容管单元以及开关电感单元;所述功率检测单元以及所述开关电感单元与所述变容管单元连接,所述功率检测单元提供的随功率变化的偏置电压来控制流经所述开关电感单元的电流大小以及所述变容管单元的等效电容大小;实现所述功率放大电路的等效输入电容随功率变化平坦化。本发明还提供一种自适应宽带功率放大器,结合线性化电路可以有效提高功率放大器的线性度。

    收发匹配网络和射频前端电路、芯片

    公开(公告)号:CN118199665A

    公开(公告)日:2024-06-14

    申请号:CN202410344161.6

    申请日:2024-03-25

    Abstract: 本申请公开了一种收发匹配网络和射频前端电路、芯片,该收发匹配网络包括:依次连接的发射端输出匹配网络、接收端耦合谐振式开关网络和第一传输线;所述发射端输出匹配网络,用于发射端阻抗匹配且在接收模式下提供第一谐振点;所述接收端耦合谐振式开关网络,用于接收端阻抗匹配,切换收发模式;所述第一传输线用于在接收模式下提供第二谐振点。本申请实施例通过去除发射支路的开关有效提升前端发射线性输出功率及效率,同时在接收支路利用耦合谐振式开关结构保证接收具有宽带、低插入损耗特性,综合提升射频前端的射频收发性能。本申请实施例可以广泛应用于无线通信技术领域。

    毫米波功率放大器、芯片及设备
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118041252A

    公开(公告)日:2024-05-14

    申请号:CN202410214459.5

    申请日:2024-02-27

    Abstract: 本发明公开了毫米波功率放大器、芯片及设备,属于移动通信和雷达探测领域。其中,毫米波功率放大器包括输入正交耦合器、载波放大电路、峰值放大电路和移相输出网络;载波放大电路和峰值放大电路均采用多路功率合成;峰值放大电路具有自适应偏置功能,可对输入的射频信号进行功率检测并实时调整工作状态。该毫米波功率放大器将多尔蒂功率放大器架构与自适应偏置电路相结合,能够同时提高回退效率和输出功率,可广泛应用于移动通信和雷达探测领域。

    一种三维异构集成的毫米波系统封装结构

    公开(公告)号:CN116895614B

    公开(公告)日:2024-03-29

    申请号:CN202310917977.9

    申请日:2023-07-25

    Abstract: 本发明提供了一种三维异构集成的毫米波系统封装结构,由上层天线板和下层芯片载板组装构成,上层天线板为一体化结构,内部设置有封装天线及馈电网络,下层芯片载板为模块化结构,设置有异构集成的第一芯片组和第二芯片组,各芯片组包含同种或不同工艺的若干颗芯片。第二芯片组位于第一芯片组的下方,两组芯片的有源面相对,但在垂直方向上错开排布;上层天线板和下层芯片载板均设置有若干金属化过孔,通过金属化过孔实现任意层互连;第一芯片组利用金属互连,通过金属化过孔和/或焊球与第二芯片组电性连接。本发明集成天线、射频控制芯片和射频前端芯片,进行整体化生产设计,提高集成度和封装的良率,满足不同天线的封装需求。

    频分瞬时多波束反射相控阵天线
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117353028A

    公开(公告)日:2024-01-05

    申请号:CN202311380932.9

    申请日:2023-10-23

    Abstract: 本发明公开了一种频分瞬时多波束反射相控阵天线,包括:馈源,用于将输入的射频信号分配给反射阵面上的各个阵元;反射阵面,由多个阵元组成,阵元用于反射入射电磁波;多个滤波移相模块,每个阵元连接一个滤波移相模块,滤波移相模块包括分频单元和多个移相器;分频单元用于选择特定频率范围的信号,移相器用于调整不同频率反射波的相位;波束控制系统,与滤波移相模块连接,用于对整个相控阵天线进行协调和控制,以实现所需的波束方向。本发明采用反射相控阵,通过分频移相控制使得各频率下产生的波束不互相干扰,同时实现波束的灵活扫描,最终实现一种低成本、波束灵活可控的瞬时多波束反射相控阵系统,可广泛应用于天线技术领域。

    一种Doherty功率放大器
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN114785289B

    公开(公告)日:2023-01-06

    申请号:CN202210355365.0

    申请日:2022-04-02

    Abstract: 本发明申请公开了一种Doherty功率放大器,包括正交耦合器,包括第一耦合电感和第二耦合电感,所述正交耦合器用于将输入信号分为第一信号和第二信号;第一放大电路,用于放大第一信号;第二放大电路,用于放大第二信号;负载调制网络,为采用T型模型等效的输出电压合成式Doherty负载调制网络。利用耦合电感的交叠部分提供分布式寄生电容,使得正交耦合器中无需设置额外的电容器,从而减小了面积;通过T等效模型将四分之一波长线等效为本发明实施例的负载调制网络,将多电感合并为面积更小的变压器,在提升功率放大器回退效率的同时减小了Doherty结构的面积,并降低了连接损耗,提升了功率放大器的整体性能。

    一种单片集成的振荡器及制备方法

    公开(公告)号:CN115412057A

    公开(公告)日:2022-11-29

    申请号:CN202211005028.5

    申请日:2022-08-22

    Abstract: 本发明公开了一种单片集成的振荡器及制备方法,其中振荡器包括氮化镓体声波谐振器、HEMT器件、电阻、电感和电容,所有的元件集成在同一芯片上。制备方法包括:台阶刻蚀;欧姆接触:制作HEMT器件的源极和漏极;肖特基接触:制作氮化镓体声波谐振器的上电极、HEMT器件的栅极、电感及电容的第一层金属;介质层图形化:实现HEMT器件钝化,以及实现第一层金属和第二层金属的隔离,形成电容和电感;第二金属层图形化:形成电感和电容的第二层金属;硅衬底释放:制作氮化镓体声波谐振器的谐振腔;底电极沉积:完成体声波谐振器的底电极制作。本发明的振荡器的振荡频率高,机电耦合强,可广泛应用于微机电系统振荡器技术领域。

    一种双频高效率功率放大器及芯片

    公开(公告)号:CN114978061A

    公开(公告)日:2022-08-30

    申请号:CN202210536527.0

    申请日:2022-05-17

    Abstract: 本发明公开了一种双频高效率功率放大器及芯片,其中放大器包括:输入级电路、第一放大电路、第二放大电路和输出级电路,第一放大电路和第二放大电路的电路结构相同,且相对称;第一放大电路包括依次连接的第一双频匹配电路、第一放大晶体管、第二双频匹配电路、第二放大晶体管以及第三双频匹配电路;第一双频匹配电路的输入端连接输入级电路的输出端,第三双频匹配电路的输出端连接输出级电路的输入端。本发明采用了两路两级对称结构,第一级放大电路为增益级,能提供电路足够的增益,第二级放大电路为功率级,能提供电路足够高的输出功率;且末级两路功率合成结构实现了3W的输出功率。本发明可广泛应用于无线通信技术领域。

    一种可开关式声波滤波器、模组及制作方法

    公开(公告)号:CN114785315A

    公开(公告)日:2022-07-22

    申请号:CN202210707770.4

    申请日:2022-06-22

    Abstract: 本发明公开了一种可开关式声波滤波器、模组及制作方法,包括串联支路、并联支路及两个高迁移率晶体开关管,所述两个高迁移率晶体开关管设置在串联支路的两端,所述高迁移率晶体开关管与串联支路及并联支路集成在同一芯片,可开关式滤波器模组可由多个不同频段不同种类的可开关式声波滤波器单片集成,可实现多频段可重构的滤波功能。本发明实现了传统射频前端中的声波滤波器与射频开关的融合与集成,提高了射频前端的整体性能并减小了尺寸。

    一种MEMS谐振器及其制备方法

    公开(公告)号:CN114172487A

    公开(公告)日:2022-03-11

    申请号:CN202111305252.1

    申请日:2021-11-05

    Abstract: 本发明申请公开了一种MEMS谐振器及其制备方法,采用由直流偏置、T型锚结构和压阻梁组合的压阻换能器,具有锚损耗低的优势,同时使得用于压阻换能的压阻梁不作支撑功能,能通过减小压阻梁的宽度提高压阻换能效率;通过T型锚结构的横梁连接两个负电极,并通过压阻梁与正电极连通,使得设置于谐振体上的压阻换能器中的偏置电流不会流经谐振体,防止焦耳热效应导致的谐振体温度升高,从而避免了因温度升高导致的谐振体弹性系数改变,缓解了谐振频率的偏移程度;同时,由于偏置电流不会流经谐振体,使得电流通路的长度较短,进而降低了总功耗,可广泛应用于微电子技术领域。

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