公开(公告)号：CN109942291B

公开(公告)日：2021-08-10

申请号：CN201910191986.8

申请日：2019-03-14

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 吕明 ,  贺凡

IPC: C04B35/47 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64 ,  H01G4/12

Abstract: 本发明公开了一种SrTiO3基晶界层陶瓷电容器及其制备方法，电容器的材质成分包括基本原料和无机单晶颗粒，单晶颗粒的加入量上限为基本原料总质量的20%，基本原料按质量百分比包括SrTiO394‑98%、Nb2O50.05‑1%、La2O30.05‑1%、SiO20.5‑2%、MgO0.2‑1%、Al2O30.2‑1%和TiO2 0.1‑1%，且基本原料的组分和为100%。将上述原料混均流延成型，还原气氛中烧成，然后在表面涂覆氧化物，空气中氧化烧成，施加电极，得到SrTiO3晶界层电容器。本发明直接将无机单晶颗粒加入流延成型浆料中，在还原烧成中促进了晶粒的均匀生长，有益于电容器耐电压可靠性的提高。

公开(公告)号：CN109942291A

公开(公告)日：2019-06-28

申请号：CN201910191986.8

申请日：2019-03-14

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 吕明 ,  贺凡

IPC: C04B35/47 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64 ,  H01G4/12

Abstract: 本发明公开了一种SrTiO3基晶界层陶瓷电容器及其制备方法，电容器的材质成分包括基本原料和无机单晶颗粒，单晶颗粒的加入量上限为基本原料总质量的20%，基本原料按质量百分比包括SrTiO394-98%、Nb2O50.05-1%、La2O30.05-1%、SiO20.5-2%、MgO0.2-1%、Al2O30.2-1%和TiO20.1-1%，且基本原料的组分和为100%。将上述原料混均流延成型，还原气氛中烧成，然后在表面涂覆氧化物，空气中氧化烧成，施加电极，得到SrTiO3晶界层电容器。本发明直接将无机单晶颗粒加入流延成型浆料中，在还原烧成中促进了晶粒的均匀生长，有益于电容器耐电压可靠性的提高。