公开(公告)号：CN106165136A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201480065927.1

申请日：2014-11-04

Applicant: 华威大学 ,  芬兰VTT技术研究中心

Inventor： 大卫·贡纳松 ,  伊万·帕克 ,  马丁·普雷斯特 ,  米卡·普伦尼拉 ,  特伦斯·霍尔

IPC: H01L39/22 ,  G01J5/20

CPC classification number: G01J5/046 ,  G01J5/024 ,  G01J5/20 ,  G01J2005/106 ,  G01J2005/208 ,  H01L31/09 ,  H01L39/22 ,  H01L39/24

Abstract: 描述了一种测辐射热仪。测辐射热仪包括超导体‑绝缘体‑半导体‑超导体结构(91；图2)或超导体‑绝缘体‑半导体‑绝缘体‑超导体结构(92)。半导体包括硅层、锗层或硅锗合金层(11)中的电子气(10)，在硅层、锗层或硅锗合金层(11)中，谷简并度至少部分地被提升。绝缘体或者其中的一个绝缘体或两个绝缘体可包括介电材料层(131、132)。绝缘体或者其中的一个绝缘体或两个绝缘体可包括非简并掺杂半导体层。

公开(公告)号：CN106165136B

公开(公告)日：2018-11-27

申请号：CN201480065927.1

申请日：2014-11-04

Applicant: 华威大学

Inventor： 大卫·贡纳松 ,  伊万·帕克 ,  马丁·普雷斯特 ,  米卡·普伦尼拉 ,  特伦斯·霍尔

IPC: H01L39/22 ,  G01J5/20

Abstract: 描述了一种测辐射热仪。测辐射热仪包括超导体‑绝缘体‑半导体‑超导体结构(91；图2)或超导体‑绝缘体‑半导体‑绝缘体‑超导体结构(92)。半导体包括硅层、锗层或硅锗合金层(11)中的电子气(10)，在硅层、锗层或硅锗合金层(11)中，谷简并度至少部分地被提升。绝缘体或者其中的一个绝缘体或两个绝缘体可包括介电材料层(131、132)。绝缘体或者其中的一个绝缘体或两个绝缘体可包括非简并掺杂半导体层。