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公开(公告)号：CN111883423A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010650670.3
申请日：2020-07-08
Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司 , 华虹半导体(无锡)有限公司
IPC: H01L21/28 , H01L21/331
Abstract: 本申请公开了一种IGBT器件的制作方法，涉及半导体制造领域。该IGBT器件的制作方法包括在衬底上形成沟槽；在所述沟槽内形成氧化层；利用多晶硅填充所述沟槽形成沟槽栅，并在所述衬底表面形成多晶硅层；刻蚀所述多晶硅层形成辅助栅，所述辅助栅半搭在所述沟槽栅上；在所述辅助栅的外侧形成侧墙；沉积层间介质层；解决了目前IGBT器件中高段差区域容易出现层间介质层发生断裂的问题；达到了避免层间介质层发生断裂，提高IGBT器件的性能和长期可靠性，优化高压IGBT器件的生产工艺的效果。
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公开(公告)号：CN111900087B
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202010897106.1
申请日：2020-08-31
Applicant: 华虹半导体(无锡)有限公司 , 上海华虹宏力半导体制造有限公司
IPC: H01L21/331 , H01L29/739
Abstract: 本申请公开了一种IGBT器件的制造方法，涉及半导体制造领域。该IGBT器件的制造方法包括在衬底上形成IGBT器件的源区，衬底为MCZ衬底；对衬底进行退火处理，在退火过程中源区表面形成一层氧化物；在衬底上形成层间介质层，层间介质层由氮化硅层、第一类氧化物层、第二类氧化层组成，用于形成第一类氧化物层的材料与用于形成第二类氧化物层的材料不同；使用氮气对衬底进行退火处理：解决了12＂产线上IGBT器件的击穿电压蠕变严重的问题；达到了改善IGBT器件的性能，优化利用MCZ衬底制造IGBT器件的生产工艺的效果。
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公开(公告)号：CN111900087A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN202010897106.1
申请日：2020-08-31
Applicant: 华虹半导体(无锡)有限公司 , 上海华虹宏力半导体制造有限公司
IPC: H01L21/331 , H01L29/739
Abstract: 本申请公开了一种IGBT器件的制造方法，涉及半导体制造领域。该IGBT器件的制造方法包括在衬底上形成IGBT器件的源区，衬底为MCZ衬底；对衬底进行退火处理，在退火过程中源区表面形成一层氧化物；在衬底上形成层间介质层，层间介质层由氮化硅层、第一类氧化物层、第二类氧化层组成，用于形成第一类氧化物层的材料与用于形成第二类氧化物层的材料不同；使用氮气对衬底进行退火处理：解决了12＂产线上IGBT器件的击穿电压蠕变严重的问题；达到了改善IGBT器件的性能，优化利用MCZ衬底制造IGBT器件的生产工艺的效果。
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公开(公告)号：CN115527855A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202211314707.0
申请日：2022-10-25
Applicant: 华虹半导体(无锡)有限公司
IPC: H01L21/331 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供一种改善IGBT器件铝穿通缺陷的方法，所述方法包括：提供一半导体结构，所述半导体结构包括硅衬底，且所述硅衬底的上方形成有接触孔；于所述半导体结构的表面形成金属阻挡层；于所述金属阻挡层的表面形成钨层；于所述钨层的表面形成铝层或铝合金层；刻蚀所述接触孔以外区域预设范围内的所述金属阻挡层、所述钨层及所述铝层/所述铝合金层。通过本发明解决了现有的钨回刻及铝刻蚀的工艺流程中较大关键尺寸的接触孔易发生铝穿通的问题。
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公开(公告)号：CN114256045A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202111541428.3
申请日：2021-12-16
Applicant: 华虹半导体(无锡)有限公司
IPC: H01J37/317
Abstract: 本发明提供一种改善离子注入机金属污染的方法，提供离子注入机，将离子注入机置于空机状态，离子注入机包括机台腔室和设置于其中的离子注入装置；将离子注入机置于空机状态；利用离子注入装置产生的离子束流对机台腔室进行轰击，利用离子注入机对裸晶圆进行离子注入，进行金属污染含量测试，得到金属污染含量数据；提供设置阈值，将金属含量污染数据与设置阈值进行对比；若金属污染含量数据大于设置阈值，则将金属含量污染数据与设置阈值进行对比，直至金属污染含量数据小于设置阈值。本发明的方法可净化机台内部环境，降低金属含量到规格以内，在接触式图像感应装置产品制造时，不会破坏会硅基底组织结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113628972B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202110775149.7
申请日：2021-07-07
Applicant: 华虹半导体(无锡)有限公司
IPC: H01L21/336
Abstract: 本申请公开了一种沟槽型MOS器件的制作方法，涉及半导体制造领域。该沟槽型MOS器件的制作方法包括提供制作有沟槽栅结构的衬底；在所述衬底表面形成可透过紫外线光的氮化硅层；在所述氮化硅层表面形成介质层；在所述介质层中形成接触孔；在介质层表面形成顶部金属层；沉积钝化层；对所述钝化层进行光刻和刻蚀；利用紫外线光照射所述衬底；解决了目前沟槽型MOS器件在介质层下方加垫氮化硅薄膜后，沟道漏电变大的问题；达到了改善沟槽型MOS器件沟道漏电的效果。
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公开(公告)号：CN115910780A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202310077549.X
申请日：2023-01-31
Applicant: 华虹半导体(无锡)有限公司
IPC: H01L21/331 , H01L21/768
Abstract: 本申请提供一种制造绝缘栅双极型晶体管(IGBT)时防止铝硅互溶的方法，包括：步骤S1，提供一衬底，衬底上形成有介质层，介质层中形成有接触孔；步骤S2，在衬底上依次沉积氮化钛膜层和氮化钽膜层；步骤S3，在衬底上沉积钨金属层，填满接触孔；步骤S4，回刻蚀钨金属层，以去除接触孔区域外的钨金属层；步骤S5，在衬底上沉积铝金属层。由氮化钛膜层和氮化钽膜层构成的叠层结构具有足够的强度，沉积铝金属层时，该叠层结构在接触孔的底侧位置(底部和侧壁的交界处)不会发生断裂，从而避免铝金属层在接触孔的底侧位置与衬底发生直接接触形成穿通缺陷，有效防止穿通缺陷导致的铝硅互溶的发生。
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公开(公告)号：CN115719704A
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202211508330.2
申请日：2022-11-29
Applicant: 华虹半导体(无锡)有限公司
IPC: H01L21/331 , H01L29/06
Abstract: 本申请提供一种制造绝缘栅双极型晶体管(IGBT)时避免产生滑移线缺陷的方法，包括：提供一衬底，在衬底上形成外延层；在外延层中形成多个沟槽；在沟槽中依次形成氧化层和多晶硅层，并完成IGBT器件的制作；对衬底的背面进行减薄处理，以满足IGBT器件的预设厚度要求。通过在衬底上形成具有稳定温度分布的外延层，可以有效避免制造绝缘栅双极型晶体管(特别是采用12吋晶圆)时实施的热过程工艺所导致的滑移线缺陷的出现。
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公开(公告)号：CN113628972A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202110775149.7
申请日：2021-07-07
Applicant: 华虹半导体(无锡)有限公司
IPC: H01L21/336
Abstract: 本申请公开了一种沟槽型MOS器件的制作方法，涉及半导体制造领域。该沟槽型MOS器件的制作方法包括提供制作有沟槽栅结构的衬底；在所述衬底表面形成可透过紫外线光的氮化硅层；在所述氮化硅层表面形成介质层；在所述介质层中形成接触孔；在介质层表面形成顶部金属层；沉积钝化层；对所述钝化层进行光刻和刻蚀；利用紫外线光照射所述衬底；解决了目前沟槽型MOS器件在介质层下方加垫氮化硅薄膜后，沟道漏电变大的问题；达到了改善沟槽型MOS器件沟道漏电的效果。
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公开(公告)号：CN114256045B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202111541428.3
申请日：2021-12-16
Applicant: 华虹半导体(无锡)有限公司
IPC: H01L21/265 , H01L21/263 , H01L21/26 , H01L21/66 , H01J37/317
Abstract: 本发明提供一种改善离子注入机金属污染的方法，提供离子注入机，将离子注入机置于空机状态，离子注入机包括机台腔室和设置于其中的离子注入装置；将离子注入机置于空机状态；利用离子注入装置产生的离子束流对机台腔室进行轰击，利用离子注入机对裸晶圆进行离子注入，进行金属污染含量测试，得到金属污染含量数据；提供设置阈值，将金属含量污染数据与设置阈值进行对比；若金属污染含量数据大于设置阈值，则将金属含量污染数据与设置阈值进行对比，直至金属污染含量数据小于设置阈值。本发明的方法可净化机台内部环境，降低金属含量到规格以内，在接触式图像感应装置产品制造时，不会破坏会硅基底组织结构。
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