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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103151066B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201110408473.1
申请日：2011-12-06
Applicant: 华邦电子股份有限公司
Abstract: 一种用于代码和数据存储的闪存，包含：代码内存阵列，其具有快速读取存储且适合执行；数据存储器阵列，其具有低成本和高密度存储的特性；以及合适的接口，其用以提供对所述代码和数据的存储。所述代码内存阵列可为NOR阵列或性能增强的NAND阵列。可在单芯片封装或多芯片封装解决方案中实施该内存。
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公开(公告)号：CN104134462B
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201310693686.2
申请日：2013-12-17
Applicant: 华邦电子股份有限公司
IPC: G11C16/30
Abstract: 本发明提供了一种快闪存储器装置及其设定方法，该快闪存储器装置可在两种供应电压操作，一种是外部提供的供应电压，另一种则是通过该外部提供的供应电压产生于该快闪存储器装置内部的供应电压。该快闪存储器装置可具有一可选电位的缓冲器，作为与低供应电压或高供应电压集成电路的连接接口。为了提供装置的运用弹性，该快闪存储器装置可设计为可由外部电压源接收一第二供应电压的形式。其中，接收自外部电压源的该第二供应电压，可较该内部产生的供应电压优先使用、或与该内部产生的供应电压结合使用。
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公开(公告)号：CN104103315A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201310578682.X
申请日：2013-11-18
Applicant: 华邦电子股份有限公司
IPC: G11C16/14
CPC classification number: G11C16/08 , G11C16/105 , G11C16/14 , G11C16/34 , G11C16/3427 , H01L27/11517
Abstract: 本发明有关于一种数据储存装置及其制作与控制方法。所述数据储存装置具有一第一次区块、一第二次区块、一第一井开关、一第二井开关以及一第一字线群。该第一井开关用于传递一第一井偏压作该第一次区块的偏压。该第二井开关用以传递一第二井偏压作该第二次区块的偏压。该第一次区块以及该第二次区块共同由该第一字线群控制。本发明所揭露的技术可有效降低前程序化、抹除以及后程序化步骤中所干扰的次区块数量，并进一步减少重刷新程序化步骤修复受干扰次区块的时间。
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公开(公告)号：CN104134462A
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201310693686.2
申请日：2013-12-17
Applicant: 华邦电子股份有限公司
IPC: G11C16/30
Abstract: 本发明提供了一种快闪存储器装置及其设定方法，该快闪存储器装置可在两种供应电压操作，一种是外部提供的供应电压，另一种则是通过该外部提供的供应电压产生于该快闪存储器装置内部的供应电压。该快闪存储器装置可具有一可选电位的缓冲器，作为与低供应电压或高供应电压集成电路的连接接口。为了提供装置的运用弹性，该快闪存储器装置可设计为可由外部电压源接收一第二供应电压的形式。其中，接收自外部电压源的该第二供应电压，可较该内部产生的供应电压优先使用、或与该内部产生的供应电压结合使用。
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公开(公告)号：CN103151066A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201110408473.1
申请日：2011-12-06
Applicant: 华邦电子股份有限公司
Abstract: 一种用于代码和数据存储的闪存，包含：代码内存阵列，其具有快速读取存储且适合执行；数据存储器阵列，其具有低成本和高密度存储的特性；以及合适的接口，其用以提供对所述代码和数据的存储。所述代码内存阵列可为NOR阵列或性能增强的NAND阵列。可在单芯片封装或多芯片封装解决方案中实施该内存。
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