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公开(公告)号：CN112436070A
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN202011381986.3
申请日：2020-12-01
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: H01L31/113 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种量子点异质结日盲紫外探测芯片及其制备方法，该芯片自下至上依次为基底、底栅电极、栅绝缘层、p型半导体层、本征层和n型半导体层，p型半导体层上设置有源电极，n型半导体层上设置有漏电极，p型半导体层、本征层和n型半导体层构成p‑i‑n异质结场效应沟道，该芯片的制备方法包括以下步骤：(1)在基底制备底栅电极；(2)制备栅绝缘层；(3)制备p型半导体层；(4)制备源电极；(5)制备宽禁带半导体量子点本征层；(6)制备n型半导体层；(7)制备漏电极。该芯片能够在提高内量子效率同时降低暗电流，加速分离光生电子和空穴，使光生电子和空穴分别快速转移到n区和p区，继而分别到达源电极和漏电极，提高其响应度。
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公开(公告)号：CN107267142A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710543758.3
申请日：2017-07-05
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明提供了一种具有高紫外摩尔吸光系数的硫化锌量子点及其制备方法。其制备步骤如下：将70℃的乙酸锌乙醇溶液与0℃的硫代乙酰胺乙醇溶液混合，在60℃恒定温度强力搅拌下，通过控制生长时间调整ZnS量子点的尺寸。提纯过程，加入正庚烷，离心析出。再次加入正庚烷/乙醇混合溶液(体积比例4:1)，溶解后再次离心，干燥得到产物，可悬浮于乙醇中以用于喷涂、印刷工艺。与现有技术相比，其显著优点是：本发明所制备ZnS量子点具有较高的摩尔吸光系数，制备工艺非常的简单。所制备的ZnS量子点，直径在2nm附近。禁带宽度可达4.23eV，可用于日盲紫外光电探测。
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公开(公告)号：CN109714535B
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN201910036331.3
申请日：2019-01-15
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明公开了一种基于色差的自动对焦机器视觉测量装置及方法，装置包括上位机、标定板、成像模块、照明模块、电动平移台、照明驱动模块、电机驱动模块和电源模块；待测物体放置于电动平移台上，电动平移台控制待测物体位置；照明模块轮流点亮不同中心波长处的LED，照明待测物体；上位机采集成像模块拍摄的图像信息；上位机在多幅图像中选择对比度最高的图像作为聚焦图像并进行后续图像处理。本发明通过控制光源波长代替电机移动，消除了聚焦过程中的震动，速度更快，可靠性更高，结构及控制简单，且成本较低，只需更换原装置中的镜头及照明光源即可，无需增加额外元器件，易于改进现有设备实现，有助于推广该技术的应用。
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公开(公告)号：CN106596354B
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201611120200.6
申请日：2016-12-08
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明提供一种基于微透镜阵列的光散射特性测量装置及方法，其中，所述装置包括照明模块、探测模块、半透半反棱镜、激光强度模块、升降机构、物镜、待测颗粒、样品池、上位机及运动控制器，其中，所述照明模块产生的激光通过所述半透半反棱镜进入所述物镜，并根据所述照明模块和所述物镜的位置关系，生成对应类型的光束；所述光束作用于位于所述样品池中的所述待测颗粒，生成后向散射光；所述后向散射光依次通过所述物镜和所述半透半反棱镜后进入所述探测模块；所述探测模块根据接收所述后向散射光的微透镜孔径，确定所述后向散射光对应的散射角度。本发明提供的一种基于微透镜阵列的光散射特性测量装置及方法，能够提高光散射特性测量的精度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107267142B
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201710543758.3
申请日：2017-07-05
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明提供了一种具有高紫外摩尔吸光系数的硫化锌量子点及其制备方法。其制备步骤如下：将70℃的乙酸锌乙醇溶液与0℃的硫代乙酰胺乙醇溶液混合，在60℃恒定温度强力搅拌下，通过控制生长时间调整ZnS量子点的尺寸。提纯过程，加入正庚烷，离心析出。再次加入正庚烷/乙醇混合溶液(体积比例4:1)，溶解后再次离心，干燥得到产物，可悬浮于乙醇中以用于喷涂、印刷工艺。与现有技术相比，其显著优点是：本发明所制备ZnS量子点具有较高的摩尔吸光系数，制备工艺非常的简单。所制备的ZnS量子点，直径在2nm附近。禁带宽度可达4.23eV，可用于日盲紫外光电探测。
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公开(公告)号：CN108649082B
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201810347600.3
申请日：2018-04-18
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/108 , H01L31/113 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种ZnS碳量子点日盲紫外探测器及其制备方法，所述日盲紫外探测器包括ZnS量子点‑碳量子点混合层。其制备方法是先分别制备ZnS量子点溶液和碳量子点溶液，然后将其按一定比例混合后通过印刷、滴涂或旋涂的方式在印有金属电极的基底上制成ZnS量子点‑碳量子点混合层。本发明解决了基于ZnS量子点的日盲紫外探测器中，由于ZnS量子点载流子迁移率低而导致器件光电流、响应度和探测度偏低的问题，提供了一种ZnS碳量子点日盲紫外探测器及其制备方法，利用碳量子点作为载流子传输层，可以极大程度的提高探测器的光响应电流，从而提高响应度，达到提高器件性能的目的。
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公开(公告)号：CN109974583A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201910287491.5
申请日：2019-04-11
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 一种非接触光学元件表面面形测量装置及方法，包括上位机、电子控制模块、探头支撑结构、光学探头、待测元件、元件夹持装置、Z轴电动平移台、千分表及XY轴电动平移台。光学探头向待测元件表面投影聚焦光点，光点反射回物镜后通过三孔光阑形成三孔亮斑。由于亮斑之间距离与光点高度位置有关，因此实时采集图像计算亮斑之间距离可获得表面厚度。为了增加高度测量范围，使用Z轴电动平移台上下移动待测元件并使用千分表测量元件位置。相比传统的接触式面形测量系统，本发明具有非接触的优点，可避免影响元件表面并同时获得大测量范围及高精度。
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公开(公告)号：CN108538927A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810286974.9
申请日：2018-03-30
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: H01L31/02 , H01L31/0392 , H01L31/09 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种柔性日盲紫外探测器。所述柔性日盲紫外探测器，其特征在于：包括从下往上依次设置的透明基底、石墨烯网格层和ZnS量子点层，且所述石墨烯网格层是由石墨烯刻蚀后的石墨烯网格形成。本发明的有益效果在于：所述柔性日盲紫外探测器制备工艺简单、可实现柔性以及大面积应用。所制备的日盲紫外探测器，对日盲区内紫外光响应度高而对日盲区外响应度低，减少背景干扰影响。本发明还提供一种柔性日盲紫外探测器的制备方法。
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公开(公告)号：CN112185818A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202011070446.3
申请日：2020-10-09
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: H01L21/4763
Abstract: 一种ZnO薄膜的干法刻蚀方法，包括如下步骤：对ZnO薄膜进行清洗，吹干后待用；在ZnO薄膜表面旋涂一层光刻胶；通过掩模紫外曝光和丙酮清洗获得所需图案；对ICP刻蚀的刻蚀腔进行抽真空；向刻蚀腔内通入甲烷、氢气和氩气，气体流量分别为3 sccm、8 sccm和5sccm，调节真空腔压强为0.13Pa；对刻蚀腔进行预刻蚀；在刻蚀腔内载入ZnO薄膜，调节刻蚀温度为20摄氏度，射频功率设置为200 W，ICP功率设置为500W或1000W，进行刻蚀，完成后取出样品，使用丙酮超声清洗去除光刻胶，获得最终样品。本发明方法能够形成表面光滑，刻蚀界面清晰的ZnO刻蚀界面。
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