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公开(公告)号：CN114855259A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210344261.X
申请日：2022-03-31
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明涉及氯化铯铜晶体制备技术领域，尤其是一种大尺寸氯化铯铜晶体的制备方法，现提出如下方案，其包括如下步骤：将CsCl和CuCl2混合、研磨得到多晶粉体，将多晶粉体溶解在去离子水中形成晶体生长母液，将晶体生长母液置于40℃下恒温蒸发，得到氯化铯铜晶体。本发明制备方法制备得到的氯化铯铜晶体物相纯，生长溶剂无污染，溶液透明，便于实时观测；可获得可以得到高质量、大尺寸形貌较好的单晶，本发明的工艺采用固相研磨法与水溶液蒸发法相结合，具有合成工艺简单，溶剂无污染，生长周期短的优点。
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公开(公告)号：CN107267142A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710543758.3
申请日：2017-07-05
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明提供了一种具有高紫外摩尔吸光系数的硫化锌量子点及其制备方法。其制备步骤如下：将70℃的乙酸锌乙醇溶液与0℃的硫代乙酰胺乙醇溶液混合，在60℃恒定温度强力搅拌下，通过控制生长时间调整ZnS量子点的尺寸。提纯过程，加入正庚烷，离心析出。再次加入正庚烷/乙醇混合溶液(体积比例4:1)，溶解后再次离心，干燥得到产物，可悬浮于乙醇中以用于喷涂、印刷工艺。与现有技术相比，其显著优点是：本发明所制备ZnS量子点具有较高的摩尔吸光系数，制备工艺非常的简单。所制备的ZnS量子点，直径在2nm附近。禁带宽度可达4.23eV，可用于日盲紫外光电探测。
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公开(公告)号：CN103225076B
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201310172642.5
申请日：2013-05-10
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明采用磁控溅射技术通过在石墨烯表面嵌入金属元素形成柱状的柱状阵列结构，通过表面微结构化起到降低摩擦，提高耐磨寿命的目的。本发明的耐磨石墨烯表面改性方法包括1）化学气相沉积法制备石墨烯：2）石墨烯表面嵌入柱状的阵列结构：所述石墨烯表面嵌入柱状的阵列结构分为以下几步：第一步，将石墨烯及衬底放入磁控溅射炉内，石墨烯表面放置金属掩膜板，金属掩膜板设有呈阵列排布的孔，源极为99.99%纯金属靶；第二步，打开真空泵，将磁控溅射炉内抽到极限真空1.0～5.0×10-5Pa，充入高纯氩气到2～6Pa，对试样进行1～3分钟左右预轰击；第三步，室温状态下，以30～80W功率进行溅射，溅射时间为10～15min；第四步，关闭源极电源，将炉内抽到极限真空，冷却到室温出炉。
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公开(公告)号：CN103225076A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201310172642.5
申请日：2013-05-10
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明采用磁控溅射技术通过在石墨烯表面嵌入金属元素形成柱状的柱状阵列结构，通过表面微结构化起到降低摩擦，提高耐磨寿命的目的。本发明的耐磨石墨烯表面改性方法包括1）化学气相沉积法制备石墨烯：2）石墨烯表面嵌入柱状的阵列结构：所述石墨烯表面嵌入柱状的阵列结构分为以下几步：第一步，将石墨烯及衬底放入磁控溅射炉内，石墨烯表面放置金属掩膜板，金属掩膜板设有呈阵列排布的孔，源极为99.99%纯金属靶；第二步，打开真空泵，将磁控溅射炉内抽到极限真空1.0～5.0×10-5Pa，充入高纯氩气到2～6Pa，对试样进行1～3分钟左右预轰击；第三步，室温状态下，以30～80W功率进行溅射，溅射时间为10～15min；第四步，关闭源极电源，将炉内抽到极限真空，冷却到室温出炉。
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公开(公告)号：CN103193476A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201310160017.9
申请日：2013-05-03
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: C04B35/453 , C04B35/622
Abstract: 本发明提供制备纯相BiFeO3陶瓷的湿化学方法，涉及无机非金属材料领域。该方法为：将Fe(NO3)3·9H2O和Bi(NO3)3·5H2O溶于水，加入酒石酸，然后在90-150℃持续搅拌，直到溶液为粘稠状，停止搅拌，烘干，在380-420℃预烧3-5h，研磨后得到前驱物粉末；将前驱物粉末在500-600℃预烧2-4h得到BiFeO3粉末；将BiFeO3粉末研磨、压片后得到BiFeO3陶瓷坯体；将BiFeO3陶瓷坯体在700-800℃密封烧结1-2h，得到纯相BiFeO3陶瓷。本发明工艺简单，得到的纯相BiFeO3陶瓷致密，颗粒的大小可以通过烧结温度进行调控。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114582991A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210162068.4
申请日：2022-02-22
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: H01L31/0232 , H01L31/0352 , H01L31/09 , H01L31/18 , G01J3/02
Abstract: 本发明提供一种量子点集成微型紫外光谱传感芯片及其制备方法，包括：基底；设置在基底底部的传感电极、量子点层和底部填充层；所述基底顶部设有第一反射层和第一驱动电极；与所述第一反射层相对地设有第二反射层，所述第二反射层设置在支承梁底部，所述支承梁底部还设有第二驱动电极，所述支撑梁与两侧的悬臂梁连接，所述悬臂梁通过键合层与所述基底连接；所述第一反射层、第二反射层与之间的空气间隙构成法布里‑珀罗干涉腔。本发明还提供了上述芯片的制备方法。本发明的传感芯片直接集成量子点紫外传感与变间隙法布里‑珀罗干涉滤波腔，工艺成本低，集成度高，方便作为微型紫外光谱仪应用于手机、可穿戴便携设备的紧凑空间使用。
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公开(公告)号：CN107267142B
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201710543758.3
申请日：2017-07-05
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明提供了一种具有高紫外摩尔吸光系数的硫化锌量子点及其制备方法。其制备步骤如下：将70℃的乙酸锌乙醇溶液与0℃的硫代乙酰胺乙醇溶液混合，在60℃恒定温度强力搅拌下，通过控制生长时间调整ZnS量子点的尺寸。提纯过程，加入正庚烷，离心析出。再次加入正庚烷/乙醇混合溶液(体积比例4:1)，溶解后再次离心，干燥得到产物，可悬浮于乙醇中以用于喷涂、印刷工艺。与现有技术相比，其显著优点是：本发明所制备ZnS量子点具有较高的摩尔吸光系数，制备工艺非常的简单。所制备的ZnS量子点，直径在2nm附近。禁带宽度可达4.23eV，可用于日盲紫外光电探测。
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公开(公告)号：CN108649082B
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201810347600.3
申请日：2018-04-18
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/108 , H01L31/113 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种ZnS碳量子点日盲紫外探测器及其制备方法，所述日盲紫外探测器包括ZnS量子点‑碳量子点混合层。其制备方法是先分别制备ZnS量子点溶液和碳量子点溶液，然后将其按一定比例混合后通过印刷、滴涂或旋涂的方式在印有金属电极的基底上制成ZnS量子点‑碳量子点混合层。本发明解决了基于ZnS量子点的日盲紫外探测器中，由于ZnS量子点载流子迁移率低而导致器件光电流、响应度和探测度偏低的问题，提供了一种ZnS碳量子点日盲紫外探测器及其制备方法，利用碳量子点作为载流子传输层，可以极大程度的提高探测器的光响应电流，从而提高响应度，达到提高器件性能的目的。
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公开(公告)号：CN108538927A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810286974.9
申请日：2018-03-30
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: H01L31/02 , H01L31/0392 , H01L31/09 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种柔性日盲紫外探测器。所述柔性日盲紫外探测器，其特征在于：包括从下往上依次设置的透明基底、石墨烯网格层和ZnS量子点层，且所述石墨烯网格层是由石墨烯刻蚀后的石墨烯网格形成。本发明的有益效果在于：所述柔性日盲紫外探测器制备工艺简单、可实现柔性以及大面积应用。所制备的日盲紫外探测器，对日盲区内紫外光响应度高而对日盲区外响应度低，减少背景干扰影响。本发明还提供一种柔性日盲紫外探测器的制备方法。
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公开(公告)号：CN104131352B
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201410340735.9
申请日：2014-07-17
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明公开了大尺寸钙钛矿结构甲胺碘铅晶体的制备方法，将PbI2用HI溶液溶解，配制Pb2+-HI溶液；将HI溶液与CH3NH2溶液按摩尔比1:1混合，在0℃下反应2h，得到CH3NH3I溶液；将上述Pb2+-HI溶液与CH3NH3I溶液混合，其中CH3NH3I与Pb2+的摩尔比为（1～2）:1，于95℃下预热48～72h，得到过饱和溶液，过滤，得到CH3NH3PbI3晶体生长的母液；于95.5～96℃的水浴中预热12～24h，置于晶体生长容器中，程序降温至45℃后保持恒温，得到CH3NH3PbI3晶体。本发明工艺中HI溶液既参与原料合成，又是晶体生长的溶剂，具有合成工艺简单，副反应少的优点；生长装置简易，能生长出高质量、大尺寸的晶体。
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