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公开(公告)号：CN117835708A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410004982.5
申请日：2024-01-03
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明公开一种柔性非铅钙钛矿探测器及气体检测系统，属于气体检测技术领域；探测器是通过在PEN/ITO柔性衬底上旋涂碱离子钝化的非铅钙钛矿前驱体溶液，并在滴加反溶剂，形成薄膜，最后经退火制备而成；在气体检测系统设置两个柔性非铅钙钛矿探测器，耦合器将激光器射出的激光分为两路分别入射到气室和可调节光纤衰减器中，然后分别入射到两个探测器，之后两路信号输出的电流信号，经过放大电路模块进行信号放大，通过差分模块和锁相器模块对其信号进行分析，再将锁相器得到的二次谐波信号输入到计算机控制单元进行实时分析，从而实现气体浓度的检测；引入碱离子来抑制光生载流子的非辐射复合，提高光响应性能，更进一步的提升气体检测的准确性。
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公开(公告)号：CN116261379A
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202310171995.7
申请日：2023-02-27
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本申请公开了一种聚合物修饰的非铅钙钛矿发光二极管及其制备方法，属于发光二极管技术领域；本申请的发光二极管从下至上依次包括：ITO导电玻璃、空穴注入层、空穴传输层、非铅钙钛矿发光层、电子传输层、电极修饰层和金属电极；本申请还提供了所述非铅钙钛矿发光二极管的制备方法，本申请的非铅钙钛矿发光层由掺入聚合物聚环氧乙烷(PEO)修饰的非铅钙钛矿前驱体溶液和反溶剂通过抗溶剂结晶法制备而成，PEO的掺杂钝化了非铅钙钛矿的反位缺陷并促进了载流子的辐射复合，经过此方法得到的非铅钙钛矿薄膜显示出高的表面覆盖率和低的表面粗糙度，从而提高了非铅钙钛矿发光二极管的发光效率，最终呈现出高效且稳定的发光。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117337056A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311391085.6
申请日：2023-10-25
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明公开一种基于钙钛矿‑硫化铅异质结的红外光电探测器，属于光电探测器领域；一种基于钙钛矿‑硫化铅异质结的红外光电探测器从下至上依次包括：透明阳极、电子传输层、钙钛矿层、硫化铅量子点层和金属阴极；所述透明阳极所用材料为氧化铟锡、氧化锡、氧化铝或氧化镉；所述电子传输层所用材料为氧化锌、氧化锌镁和二氧化钛；所述钙钛矿层中，钙钛矿ABX3的A位阳离子元素为铯，B位阳离子元素为铅，X位卤素阴离子为溴、氯或碘；所述金属阴极所用材料为金、银或铝；通过多元金属离子协同掺杂策略和构筑钙钛矿‑硫化铅量子点异质结结构，可以从抑制载流子非辐射复合和提高光生载流子输运效率两方面共同改善器件在红外波段的响应性能。
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公开(公告)号：CN116096116A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202310010037.1
申请日：2023-01-04
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: H10K50/115 , H10K50/17 , H10K71/12 , H10K71/40
Abstract: 本发明公开一种基于超高功函数导电材料的QLEDs器件及其制备方法，属于发光二极管技术领域，包括所述QLEDs器件，自下而上依次包括ITO导电玻璃，空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、ZnMgO电子传输层以及金属阴极。本发明通过对有机材料半导体材料进行p型重掺杂得到超高功函数导电材料，并将其作为QLEDs的空穴注入层材料，构筑具有欧姆接触特性的空穴注入层/空穴传输层界面，大幅提高空穴注入效率以平衡器件中的载流子，最终实现高效、稳定的QLEDs器件。
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公开(公告)号：CN117355159A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311299189.4
申请日：2023-10-09
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: H10K50/11 , H10K50/12 , H10K50/84 , H10K85/50 , H10K71/30 , H10K71/12 , C30B29/22 , H10K85/60 , H10K85/10
Abstract: 本发明公开一种基于聚合物渗透抗溶剂结晶法的钙钛矿发光二极管，属于发光二极管技术领域；一种基于聚合物渗透抗溶剂结晶法的钙钛矿发光二极管包括：玻璃、ITO导电层、空穴注入层、空穴传输层、钙钛矿发光层、电子传输层、电极修饰层和金属电极；所述钙钛矿发光层由钙钛矿前体溶液和经聚合物掺杂的反溶剂通过抗溶剂结晶法在室温下制备于空穴传输层上侧面；本发明采用聚合物渗透抗溶剂结晶法，将聚合物通过反溶剂渗透进入钙钛矿层中，其中的特殊聚合物链可以与钙钛矿形成相互作用的化学键从而延缓钙钛矿晶粒的生长，最终达到钙钛矿薄膜缺陷钝化和晶体生长调节的双重效果。
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公开(公告)号：CN117202688A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311305574.5
申请日：2023-10-10
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明公开基于双重钝化策略的非铅钙钛矿发光二极管及其制备方法，属于发光二极管技术领域；基于双重钝化策略的非铅钙钛矿发光二极管包括从下至上依次包括：ITO导电玻璃、空穴注入层、空穴传输层、非铅钙钛矿发光层、电子传输层、电极修饰层和金属电极；所述非铅钙钛矿发光层由经过双重钝化后的非铅钙钛矿前驱体溶液旋涂于空穴传输层表面；经过双重钝化后的非铅钙钛矿前驱体溶液由PEA、PFMA阳离子中的任意一种以及EDA、PEI、TFA阴离子中的任意一种，通过与CsI、CuI、CsCl、CuCl、CsBr、CuBr中的任意两种固体，以0.1‑0.8M的浓度溶解于N,N‑二甲基甲酰胺、二甲基亚砜中的一种或两种而配置得到，可以同时对非铅铜基钙钛矿中固有的铜离子缺陷和卤化物缺陷进行双重钝化。
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公开(公告)号：CN116314523A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310009528.4
申请日：2023-01-04
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明公开一种碱离子钝化的非铅钙钛矿发光二极管及其制备方法，属于发光二极管技术领域，本发明的发光二极管从下至上依次包括ITO导电玻璃、空穴注入层、空穴传输层、非铅钙钛矿发光层、电子传输层、电极修饰层和金属电极。本发明还提供了所述非铅钙钛矿发光二极管的制备方法。本发明的非铅钙钛矿发光层由碱离子钝化的非铅钙钛矿前驱体溶液和反溶剂通过抗溶剂结晶法制备而成，通过引入碱离子以抑制非铅钙钛矿薄膜表面和晶界中的非辐射复合损失来增强发光效率，提高了非铅钙钛矿发光二极管器件的光电性能。
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