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公开(公告)号：CN116261379A
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202310171995.7
申请日：2023-02-27
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本申请公开了一种聚合物修饰的非铅钙钛矿发光二极管及其制备方法，属于发光二极管技术领域；本申请的发光二极管从下至上依次包括：ITO导电玻璃、空穴注入层、空穴传输层、非铅钙钛矿发光层、电子传输层、电极修饰层和金属电极；本申请还提供了所述非铅钙钛矿发光二极管的制备方法，本申请的非铅钙钛矿发光层由掺入聚合物聚环氧乙烷(PEO)修饰的非铅钙钛矿前驱体溶液和反溶剂通过抗溶剂结晶法制备而成，PEO的掺杂钝化了非铅钙钛矿的反位缺陷并促进了载流子的辐射复合，经过此方法得到的非铅钙钛矿薄膜显示出高的表面覆盖率和低的表面粗糙度，从而提高了非铅钙钛矿发光二极管的发光效率，最终呈现出高效且稳定的发光。
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公开(公告)号：CN115312618A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202211130171.7
申请日：2022-09-15
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/18 , H01L31/032
Abstract: 本发明公开了一种基于PN异质结的日盲紫外光电探测器及其制备方法，探测器包括基底、P型传输层和阴极，所述基底与所述P型传输层之间设有阳极，所述P型传输层与所述阴极之间设有铜基卤化物；制备方法包括：对基底进行清洗和干燥；对干燥后的基底进行紫外臭氧处理；利用热蒸镀法制备阳极；在阳极上旋涂P型传输层；在P型传输层上旋涂铜基卤化物前驱体溶液和反溶剂，进行退火，制得铜基卤化物薄膜；利用热蒸镀法制备阴极，制得基于PN异质结的日盲紫外光电探测器。本发明制备的探测器能够降低器件的暗电流，提高响应速度和响应度，且具有环保的优点。
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公开(公告)号：CN117337056A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311391085.6
申请日：2023-10-25
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明公开一种基于钙钛矿‑硫化铅异质结的红外光电探测器，属于光电探测器领域；一种基于钙钛矿‑硫化铅异质结的红外光电探测器从下至上依次包括：透明阳极、电子传输层、钙钛矿层、硫化铅量子点层和金属阴极；所述透明阳极所用材料为氧化铟锡、氧化锡、氧化铝或氧化镉；所述电子传输层所用材料为氧化锌、氧化锌镁和二氧化钛；所述钙钛矿层中，钙钛矿ABX3的A位阳离子元素为铯，B位阳离子元素为铅，X位卤素阴离子为溴、氯或碘；所述金属阴极所用材料为金、银或铝；通过多元金属离子协同掺杂策略和构筑钙钛矿‑硫化铅量子点异质结结构，可以从抑制载流子非辐射复合和提高光生载流子输运效率两方面共同改善器件在红外波段的响应性能。
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公开(公告)号：CN116096116A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202310010037.1
申请日：2023-01-04
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: H10K50/115 , H10K50/17 , H10K71/12 , H10K71/40
Abstract: 本发明公开一种基于超高功函数导电材料的QLEDs器件及其制备方法，属于发光二极管技术领域，包括所述QLEDs器件，自下而上依次包括ITO导电玻璃，空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、ZnMgO电子传输层以及金属阴极。本发明通过对有机材料半导体材料进行p型重掺杂得到超高功函数导电材料，并将其作为QLEDs的空穴注入层材料，构筑具有欧姆接触特性的空穴注入层/空穴传输层界面，大幅提高空穴注入效率以平衡器件中的载流子，最终实现高效、稳定的QLEDs器件。
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公开(公告)号：CN115241402A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210727983.3
申请日：2022-06-23
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明公开了一种基于固相转移有机传输层的倒置型QLEDs及其制备方法与应用，属于发光二极管制备技术领域，自下而上依次包括ITO导电玻璃、Zn1‑xMgxO电子传输层、量子点发光层、基于固相转移的有机传输层、空穴注入层和金属阳极。所述制备方法包括以下步骤：分别采用去清洁剂、去离子水、丙酮、异丙醇超声清洗ITO导电玻璃；将清洗后的ITO导电玻璃烘干，进行紫外臭氧处理；在处理过的ITO导电玻璃上旋涂Zn1‑xMgxO纳米颗粒溶液，退火；取量子点溶液旋涂到所得物上，退火；利用固相转移方法在所得物上沉积有机传输层，退火；在所得物上旋涂PEDOT:PSS空穴注入层，退火；在所得物上蒸镀金属阳极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117355159A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311299189.4
申请日：2023-10-09
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: H10K50/11 , H10K50/12 , H10K50/84 , H10K85/50 , H10K71/30 , H10K71/12 , C30B29/22 , H10K85/60 , H10K85/10
Abstract: 本发明公开一种基于聚合物渗透抗溶剂结晶法的钙钛矿发光二极管，属于发光二极管技术领域；一种基于聚合物渗透抗溶剂结晶法的钙钛矿发光二极管包括：玻璃、ITO导电层、空穴注入层、空穴传输层、钙钛矿发光层、电子传输层、电极修饰层和金属电极；所述钙钛矿发光层由钙钛矿前体溶液和经聚合物掺杂的反溶剂通过抗溶剂结晶法在室温下制备于空穴传输层上侧面；本发明采用聚合物渗透抗溶剂结晶法，将聚合物通过反溶剂渗透进入钙钛矿层中，其中的特殊聚合物链可以与钙钛矿形成相互作用的化学键从而延缓钙钛矿晶粒的生长，最终达到钙钛矿薄膜缺陷钝化和晶体生长调节的双重效果。
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公开(公告)号：CN117202688A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311305574.5
申请日：2023-10-10
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明公开基于双重钝化策略的非铅钙钛矿发光二极管及其制备方法，属于发光二极管技术领域；基于双重钝化策略的非铅钙钛矿发光二极管包括从下至上依次包括：ITO导电玻璃、空穴注入层、空穴传输层、非铅钙钛矿发光层、电子传输层、电极修饰层和金属电极；所述非铅钙钛矿发光层由经过双重钝化后的非铅钙钛矿前驱体溶液旋涂于空穴传输层表面；经过双重钝化后的非铅钙钛矿前驱体溶液由PEA、PFMA阳离子中的任意一种以及EDA、PEI、TFA阴离子中的任意一种，通过与CsI、CuI、CsCl、CuCl、CsBr、CuBr中的任意两种固体，以0.1‑0.8M的浓度溶解于N,N‑二甲基甲酰胺、二甲基亚砜中的一种或两种而配置得到，可以同时对非铅铜基钙钛矿中固有的铜离子缺陷和卤化物缺陷进行双重钝化。
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公开(公告)号：CN116314523A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310009528.4
申请日：2023-01-04
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明公开一种碱离子钝化的非铅钙钛矿发光二极管及其制备方法，属于发光二极管技术领域，本发明的发光二极管从下至上依次包括ITO导电玻璃、空穴注入层、空穴传输层、非铅钙钛矿发光层、电子传输层、电极修饰层和金属电极。本发明还提供了所述非铅钙钛矿发光二极管的制备方法。本发明的非铅钙钛矿发光层由碱离子钝化的非铅钙钛矿前驱体溶液和反溶剂通过抗溶剂结晶法制备而成，通过引入碱离子以抑制非铅钙钛矿薄膜表面和晶界中的非辐射复合损失来增强发光效率，提高了非铅钙钛矿发光二极管器件的光电性能。
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公开(公告)号：CN218726637U
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202222763711.7
申请日：2022-10-19
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: G01N21/3504 , G01N21/01
Abstract: 本实用新型公开了一种高精度实时烟碱检测仪，包括光源、气室、传感器以及显示装置，所述光源为红外光源，所述气室与光源以及传感器连接，所述传感器与显示装置连接，所述气室上设置有进气管以及出气管，所述进气管以及出气管均与气室固定连接且贯通气室，所述气室通过光纤与光源以及传感器连接，所述传感器通过杜绑线与显示装置连接，本实用新型属于气体监测技术领域；本实用新型能够对烟碱气体进行高精度实时检测。
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公开(公告)号：CN216435731U
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN202122440197.9
申请日：2021-10-11
Applicant: 南京信息工程大学
Inventor： 毛磊
IPC: H01H13/14 , H01H13/04 , G10L15/22 , H04L67/025 , H04L67/125
Abstract: 本实用新型公开了一种人工智能控制的开关，包括开关本体，开关本体前端面设置有开关面板，开关面板前端面设置有保护壳体，保护壳体前端面中心处设置有仿造开关按钮；该一种人工智能控制的开关通过设置保护壳体，和控制装置配合使用，可以使得本开关的智能化程度高，功能较多，可以有效的起到保护和监测作用，通过设置的仿造开关按钮可以对小孩起到迷惑作用，此按钮不会直接连接电灯进而不能控制电灯打开和关闭，进而对电灯起到保护作用，小孩触动仿造开关按钮使得感应块和感应器接触，感应器将信号传递给控制装置，通过设置的保护壳体可以对开关的外端起到保护作用，需要拆除时，转动固定连接杆将安装保护壳体拆下。
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