公开(公告)号：CN216815827U

公开(公告)日：2022-06-24

申请号：CN202123348099.9

申请日：2021-12-28

Applicant: 南京信息工程大学

Inventor： 陈美意 ,  张加宏 ,  王超 ,  杨帆 ,  顾芳

IPC: G01L9/02

Abstract: 本实用新型公开了一种用于高空探测的微压传感器，属于传感器技术领域。该传感器包括SOI衬底硅片，所述SOI衬底硅片上刻蚀有梁‑岛应力增强结构、八个硅铝异质结构电阻和方形硅结构；所述梁‑岛应力增强结构包括四个对称连接的矩形梁和一个正方形中心岛；所述硅铝异质结构电阻设置在所述梁‑岛应力增强结构周围；所述方形硅结构中设有两个PNP三极管，八个所述硅铝异质结构电阻与两个所述PNP三极管电连接，作为两个所述PNP三极管的基极、发射极和集电极电阻，构成差分放大电路。本实用新型应力增强结构由梁‑岛结构组成，可在硅铝异质结构电阻位置上产生更高的应力，结合差分放大电路，将灵敏度提升了两个数量级，有利于50至100千米高度超微压测量。

公开(公告)号：CN216869858U

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN202123286004.5

申请日：2021-12-24

Applicant: 南京信息工程大学

Inventor： 陈美意 ,  张加宏 ,  顾芳 ,  王超 ,  李玲

IPC: G01L9/04 ,  H03F3/45

Abstract: 本实用新型公开了一种用于高空微压探测的压力传感器，SOI硅片的衬底硅经过光刻刻蚀等步骤形成应力薄膜并与底部的玻璃基座形成E型真空腔。SOI硅片的顶部器件层掺杂形成四个栅型电阻和两个PNP双极型三极管，四个栅型电阻分别作为两个三极管的基极电阻和集电极电阻，且两个三极管构成差分放大电路。电阻采用栅型纳米厚度的电阻，在梁‑岛应力增强结构中其受外部压力作用时阻值变化更明显，具有高的信噪比与灵敏性。位于上方和下方的栅型电阻受压力变化电阻阻值会上升，而位于左右两侧的栅型电阻阻值会下降，由于电阻变化而产生的电压信号输入到两个PNP三极管组成的差分放大电路，将压力引起的阻值变化信号进一步放大，从而达到高空微压测量的目的。