公开(公告)号：CN119753605A

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202411858793.0

申请日：2024-12-17

Applicant: 南京大学

Inventor： 张蜡宝 ,  张梦凡 ,  王昊 ,  陈奇 ,  贾小氢 ,  康琳 ,  吴培亨

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/06 ,  C23C14/54

Abstract: 本发明公开了一种高阻超导氮化物薄膜的可控制备方法及应用，该方法首先绘制氮化物薄膜的磁控溅射模式随溅射电流以及氩氮比变化的分布相图，并根据溅射电压随溅射电流的变化趋势，将磁控溅射模式划分为金属模式、竞争模式和中毒模式；然后选取相图中的一条磁控溅射伏安曲线，取不同磁控溅射模式下的典型工作条件生长氮化物薄膜；观察氮化物薄膜晶相以及电学特性分布，确定制备高阻超导氮化物薄膜的基本工作模式；最后根据基本工作模式的边界条件，生长高阻超导氮化物薄膜。本发明提出一种普适性的制备高阻超导氮化物薄膜的方法，制备的高阻值超导氮化铌薄膜具有显著高于目前氮化铌薄膜材料的电阻率，为制备高饱和量子效率的SNSPD探测提供有利保障。