公开(公告)号：CN1658069A

公开(公告)日：2005-08-24

申请号：CN200410065998.X

申请日：2004-12-29

Applicant: 南京大学

Inventor： 陈坤基 ,  张永军 ,  刘嘉瑜 ,  马忠元 ,  黄信凡 ,  李伟 ,  李卫 ,  徐骏

IPC: G03F7/00 ,  G03F1/00 ,  H01L21/00

Abstract: 纳米印章技术中纳米级模板的制备方法，先制备多层膜：多层膜为非晶硅(a－Si)/氮化硅(SiNx)、(a－SiC)/(SiNx)、(a－Ge)/(SiNx)、Ge/Si等多层膜调制结构，对上述多层膜样品的剖面进行切片、磨片与抛光，暴露出光洁的多层膜侧面，再进行选择性腐蚀，在多层膜样品的剖面形成纳米级浮雕模板。避免了使用昂贵的电子束光刻设备。采用等离子体化学汽相淀积(PECVD)技术制备的a－Si/SiNx多层膜的周期可精确控制到纳米量级，层厚最小可达到2nm，从而使模板的图案尺寸可减小到2nm，当图形转移到Si片上可产生纳米尺度的图案。

公开(公告)号：CN100437353C

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN200410065998.X

申请日：2004-12-29

Applicant: 南京大学

Inventor： 陈坤基 ,  张永军 ,  刘嘉瑜 ,  马忠元 ,  黄信凡 ,  李伟 ,  李卫 ,  徐骏

IPC: G03F7/00 ,  G03F1/00 ,  H01L21/00 ,  B82B3/00

Abstract: 纳米印章技术中纳米级模板的制备方法，先制备多层膜：多层膜为非晶硅(a-Si)/氮化硅(SiNX)、(a-SiC)/(SiNX)、(a-Ge)/(SiNX)、Ge/Si等多层膜调制结构，对上述多层膜样品的剖面进行切片、磨片与抛光，暴露出光洁的多层膜侧面，再进行选择性腐蚀，在多层膜样品的剖面形成纳米级浮雕模板。避免了使用昂贵的电子束光刻设备。采用等离子体化学汽相淀积(PECVD)技术制备的a-Si/SiNX多层膜的周期可精确控制到纳米量级，层厚最小可达到2nm，从而使模板的图案尺寸可减小到2nm，当图形转移到Si片上可产生纳米尺度的图案。