公开(公告)号：CN115313145A

公开(公告)日：2022-11-08

申请号：CN202211015834.0

申请日：2022-08-24

Applicant: 南京大学

Inventor： 孙振兴 ,  徐真真 ,  王亚光 ,  杨子江 ,  王鸿基 ,  肖如磊 ,  陈向飞

IPC: H01S5/028 ,  H01S5/10 ,  H01S5/20 ,  H01S5/22 ,  H01S5/343

Abstract: 本发明公开了一种相干多波长激光器，包括F‑P激光器、可饱和吸收体和波长选择镀膜单元；所述F‑P激光器采用双异质结多量子阱结构作为增益介质提供增益，利用端面反射提供反馈实现多波长的激射；所述波长选择镀膜单元，用于在激光器输出端面和可饱和吸收体后端面进行指定光学带宽的光学镀膜；所述可饱和吸收体集成在F‑P激光器背光段，采用与F‑P激光器相同的双异质结多量子阱结构，F‑P激光器以及可饱和吸收体隔离分别加电。本发明不仅能满足WDM系统对高功率多波长光源的需求，还可同时兼顾DWDM和OFDM技术对波长相干性需求。

公开(公告)号：CN117060222A

公开(公告)日：2023-11-14

申请号：CN202311127856.0

申请日：2023-09-04

Applicant: 南京大学

Inventor： 赵杰 ,  王亚光 ,  孙振兴 ,  徐真真 ,  汤凯飞 ,  袁伟 ,  肖如磊 ,  陈向飞

IPC: H01S5/026 ,  H01S5/12

Abstract: 本发明提供了一种半导体多波长激光器装置，激光器光栅结构采用线性渐变光栅结构，用于增加激光器的禁带宽度，整体激光器光栅结构等分为多段结构，所设计激光器的整体光栅在激光器的腔体内呈现渐变过程，周期渐变变化。通过控制整体光栅周期变化实现多波长激射波长及波长间隔。激光器在各段光栅之间引入相移，达到相位匹配，激光器存在多相移结构从而实现多波长激射输出。本发明半导体多波长激光器装置由下至上依次由衬底、缓冲层、下限制层、多量子阱层、上限制层、光栅层、腐蚀阻挡层、波导层和接触层叠设而成，其中，光栅层由激光器光栅构成。本发明具有单颗激光器多波长输出，结构简单，功耗低，集成度高的优点。

公开(公告)号：CN115224585A

公开(公告)日：2022-10-21

申请号：CN202210872970.5

申请日：2022-07-21

Applicant: 南京大学

Inventor： 龚洋洋 ,  徐真真 ,  孙振兴 ,  肖如磊 ,  陈向飞

IPC: H01S5/10

Abstract: 本发明公开了一种单颗实现多波长激射的半导体激光器，包括激光器区域与集成在激光器地出光端的SOA区域；激光器区域与SOA区域均依次包括正电极层、电隔离、光栅层、有源层、缓冲层、负电极层；所述光栅层分为光栅分布区域和光栅空白区域，且光栅层的光栅由种子光栅和一次取样光栅、二次取样光栅叠加合成得到；正电极层由所述电隔离分隔为光栅电极与空白电极；光栅电极为光栅分布区域提供泵浦电流；空白电极为光栅空白区域提供透明电流；通过给SOA区域加电为激光提供额外的增益，提高激光器区域的输出功率。本发明满足WDM对于波长的需求，可有效解决现有多波长半导体激光器阵列存在的结构复杂、难集成、额外功耗大、不便用于密集波分复用系统，实现不同激光器或通道的快速切换需要特殊考虑等问题。

公开(公告)号：CN118315921A

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN202410431742.3

申请日：2024-04-11

Applicant: 南京大学

Inventor： 张悦 ,  孙振兴 ,  赵杰 ,  杨子江 ,  徐真真 ,  肖如磊 ,  陈向飞

IPC: H01S5/02345 ,  H01S5/02251 ,  H01S5/14 ,  H01S5/06 ,  H01S5/12 ,  H01S5/40

Abstract: 本发明公开了一种基于光子引线键合技术的可调谐光发射芯片及制备方法，包括可调谐激光器、外调制器和光纤阵列，可调谐激光器为由若干个激光器组成的矩阵式多波长分布式反馈激光器阵列，通过若干波导将多个激光器连成阵列，其中波长相近的激光器分布在不同的波导上，各波导的光波输出端级联耦合；可调谐激光器与外调制器之间、外调制器与光纤阵列之间均为通过光子引线键合技术进行耦合连接。本发明通过光子引线键合技术使可调谐激光器、调制器与光纤阵列之间高效耦合，并根据激光器的波长形成阵列排布，降低光栅之间的串扰，实现稳定的单模工作。