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公开(公告)号：CN113546622B
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202110621947.4
申请日：2021-06-03
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种低温高活性催化氧化甲苯催化剂及其制备方法和应用，属于催化剂技术领域。将六水合氯铂酸、氯化铱的乙二醇混合溶液及氢氧化钠的乙二醇溶液加入溶有聚乙烯吡咯烷酮的乙二醇中，利用微波辐照法制备铂铱合金，将离心分离好的合金分散在乙醇中，在室温下负载于二氧化铈上，经过干燥、焙烧、还原，最终制得低温高活性催化氧化甲苯催化剂。利用本方法制备得到的铂铱合金催化剂对甲苯进行催化氧化，具有优异的低温催化活性，其中Pt67Ir33/CeO2样品T50仅需121℃。本申请提供的催化剂及其制备方法，在VOCs催化净化领域拥有广阔的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113546622A
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202110621947.4
申请日：2021-06-03
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种低温高活性催化氧化甲苯催化剂及其制备方法和应用，属于催化剂技术领域。将六水合氯铂酸、氯化铱的乙二醇混合溶液及氢氧化钠的乙二醇溶液加入溶有聚乙烯吡咯烷酮的乙二醇中，利用微波辐照法制备铂铱合金，将离心分离好的合金分散在乙醇中，在室温下负载于二氧化铈上，经过干燥、焙烧、还原，最终制得低温高活性催化氧化甲苯催化剂。利用本方法制备得到的铂铱合金催化剂对甲苯进行催化氧化，具有优异的低温催化活性，其中Pt67Ir33/CeO2样品T50仅需121℃。本申请提供的催化剂及其制备方法，在VOCs催化净化领域拥有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN118213854A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410374980.5
申请日：2024-03-29
Applicant: 南京大学
IPC: H01S5/12 , H01S5/125 , H01S5/0625 , H01S5/065 , H01S5/10
Abstract: 本发明提供一种用于NG‑PON2突发模式的三段式半导体激光器，由DFB区和两个反射区组成，三者共用一个光栅反馈层；光栅整体采用线性渐变啁啾结构，并在DFB区中间引入π相移。本发明还给出了三段式半导体激光器的制作及应用方法，工作时，DFB区注入正常工作电流，反射区注入小电流，反射区提供反馈以维持DFB的正常激射，反射区中小电流对芯片的热效应贡献较小，但是其提供的反馈可以维持正常的激射；当反射区中不注入电流时，DFB区因缺乏反馈不能实现激射。本发明通过控制反馈区中小电流从而实现大消光比的突发模式，且突发模式实现的过程中，DFB有源区结温几乎无变化，因此没有发生波长漂移。本发明为NG‑PON2中突发模式激光器的实现提供了解决方案。
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公开(公告)号：CN118315921A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410431742.3
申请日：2024-04-11
Applicant: 南京大学
IPC: H01S5/02345 , H01S5/02251 , H01S5/14 , H01S5/06 , H01S5/12 , H01S5/40
Abstract: 本发明公开了一种基于光子引线键合技术的可调谐光发射芯片及制备方法，包括可调谐激光器、外调制器和光纤阵列，可调谐激光器为由若干个激光器组成的矩阵式多波长分布式反馈激光器阵列，通过若干波导将多个激光器连成阵列，其中波长相近的激光器分布在不同的波导上，各波导的光波输出端级联耦合；可调谐激光器与外调制器之间、外调制器与光纤阵列之间均为通过光子引线键合技术进行耦合连接。本发明通过光子引线键合技术使可调谐激光器、调制器与光纤阵列之间高效耦合，并根据激光器的波长形成阵列排布，降低光栅之间的串扰，实现稳定的单模工作。
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公开(公告)号：CN117394130A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311347254.6
申请日：2023-10-18
Applicant: 南京大学
IPC: H01S5/024 , H01S5/10 , H01S5/065 , H01S5/0237 , H01S5/0234 , H01S5/40 , H01S5/042
Abstract: 本发明公开了一种采用倒装焊的多波长阵列激光器装置及其制备方法，包括由下至上依次叠设的衬底、缓冲层、下限制层、多量子阱层、上限制层、光栅层、InP缓冲层、腐蚀阻挡层、波导层和接触层；其中光栅层由激光器光栅构成，采用基于重构等效啁啾技术的非对称等效相移的光栅结构，激光器腔面两端分别采用HR镀膜、AR镀膜，将光栅等效相移位置于HR镀膜端面1/5腔长处，且激光器光栅具有光栅周期线性渐变；本发明的激光器倒装焊在特殊制作的过渡热沉上。本发明能改善多波长半导体激光器阵列的散热性能，降低激光器芯片的温升。本发明具有多通道阵列同时出光、结温低、输出光功率高、结构简单、集成度高等特性。
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公开(公告)号：CN119447995A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411549646.5
申请日：2024-11-01
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明提供一种基于非对称多量子阱技术的多通道光发射芯片阵列，其中，非对称多量子阱层由间隔分布的压应变InGaAlAs量子阱和拉应变InGaAlAs量子垒构成，压应变InGaAlAs量子阱的发光波长由上至下逐渐减小，形成非对称结构；光栅层为若干光栅组成的阵列结构，形成若干激光器单元，光栅层采用重构等效啁啾技术制作，依次通过全息光刻和紫外光刻在每个激光器单元制作光栅周期均匀的取样光栅结构，且取样光栅中心设置π相移。本发明还给出了上述多通道光发射芯片阵列的制备方法。本发明能够实现发射波长的精准控制，通过非对称结构的量子阱为每个激光器单元提供足够的增益，提高了单模良率和传输容量，简化了光栅的制备难度，满足新兴计算应用对互联网传输速率的需求。
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