公开(公告)号：CN119447995A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202411549646.5

申请日：2024-11-01

Applicant: 南京大学

Inventor： 张悦 ,  孙振兴 ,  徐贾乐 ,  赵杰 ,  杨子江 ,  范亚强 ,  肖如磊 ,  陈向飞

IPC: H01S5/40 ,  H01S5/343 ,  H01S5/065 ,  H01S5/00

Abstract: 本发明提供一种基于非对称多量子阱技术的多通道光发射芯片阵列，其中，非对称多量子阱层由间隔分布的压应变InGaAlAs量子阱和拉应变InGaAlAs量子垒构成，压应变InGaAlAs量子阱的发光波长由上至下逐渐减小，形成非对称结构；光栅层为若干光栅组成的阵列结构，形成若干激光器单元，光栅层采用重构等效啁啾技术制作，依次通过全息光刻和紫外光刻在每个激光器单元制作光栅周期均匀的取样光栅结构，且取样光栅中心设置π相移。本发明还给出了上述多通道光发射芯片阵列的制备方法。本发明能够实现发射波长的精准控制，通过非对称结构的量子阱为每个激光器单元提供足够的增益，提高了单模良率和传输容量，简化了光栅的制备难度，满足新兴计算应用对互联网传输速率的需求。