公开(公告)号：CN118603306A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202410653429.4

申请日：2024-05-24

Applicant: 南京大学

Inventor： 张蜡宝 ,  张宇 ,  杨承东 ,  马小松

IPC: G01J1/42 ,  B82Y40/00 ,  B82Y15/00 ,  C23C14/35 ,  C23C14/06 ,  C23C14/18 ,  C23C14/58 ,  C23C16/40 ,  C23C16/50 ,  C23C28/00

Abstract: 本发明公开了一种铌酸锂基底的氮化铌纳米线单光子探测器的制备方法，包括在铌酸锂基底上磁控溅射沉积氮化铌薄膜；在氮化铌薄膜上磁控溅射沉积金属层；lift‑off制备电极；进行RIE，制备氮化铌纳米线；制备二氧化硅保护层；采用EBL对氮化铌纳米线进行套刻、显彰；采用IBE对铌酸锂基底进行物理刻蚀，然后对器件进行清洗去胶；在器件上制备二氧化硅层；最后采用ICP刻蚀工艺，打开电极的窗口；得到以铌酸锂为基底的超导氮化铌纳米线单光子探测器，降低了薄膜沉积的不均匀性，提高薄膜的质量；并且本方案剔除了现有技术中用于保护LN免受NbN蚀刻过程中使用的二氧化铪蚀刻停止层，从而提高了SNSPD与铌酸锂波导的耦合效率。