公开(公告)号：CN100483744C

公开(公告)日：2009-04-29

申请号：CN200710021060.1

申请日：2007-03-23

Applicant: 南京大学

Inventor： 陈坤基 ,  吴良才 ,  王久敏 ,  余林蔚 ,  李伟 ,  徐骏 ,  丁宏林 ,  张贤高 ,  刘奎 ,  王祥 ,  徐岭 ,  黄信凡

IPC: H01L29/788 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L27/115 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8247

Abstract: 基于双层纳米硅结构的半导体非挥发性浮栅存储器，以p型硅(电阻率为1-10Ω·cm)作为衬底(20)，源漏极(22、28)在衬底的两侧，在衬底上先设有第一层隧穿介质层形成的SiO2层(23)，厚度为1-2nm或SiNx层，厚度为3-5nm；然后是第一纳米Si层(24)，晶粒尺寸为2-7nm；衬底上第二层隧穿介质层亦为SiO2层(26)，厚度为1-2nm或SiNx层，厚度为3-5nm；然后是第二纳米Si层，晶粒尺寸为2-7nm；第二纳米Si层上淀积形成控制氮化硅介质层，厚度为8-20nm；氧化硅或氮化硅介质层上是多晶硅栅。

公开(公告)号：CN101026194A

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：CN200710021060.1

申请日：2007-03-23

Applicant: 南京大学

Inventor： 陈坤基 ,  吴良才 ,  王久敏 ,  余林蔚 ,  李伟 ,  徐骏 ,  丁宏林 ,  张贤高 ,  刘奎 ,  王祥 ,  徐岭 ,  黄信凡

IPC: H01L29/788 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L27/115 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8247

Abstract: 基于双层纳米硅结构的半导体非挥发性浮栅存储器，以p型硅(电阻率为1－10Ω·cm)作为衬底(20)，源漏极(22、28)在衬底的两侧，在衬底上先设有第一层隧穿介质层形成的SiO2层(23)，厚度为1－2nm或SiNx层，厚度为3－5nm；然后是第一纳米Si层(24)，晶粒尺寸为2－7nm；衬底上第二层隧穿介质层亦为SiO2层(26)，厚度为1－2nm或SiNx层，厚度为3－5nm；然后是第二纳米Si层，晶粒尺寸为2－7nm；第二纳米Si层上淀积形成控制氮化硅介质层，厚度为8－20nm；氧化硅或氮化硅介质层上是多晶硅栅。