-
公开(公告)号：CN113381300B
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202110641959.3
申请日：2021-06-09
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于四通道并联DFB激光器阵列的线性扫频激光器，包括蝶形封装的四通道并联DFB激光器阵列模块和外围驱动电路；外围驱动电路包括中心控制模块、稳流模块、温控模块；四通道并联DFB激光器阵列模块与稳流模块、温控模块电连接；稳流模块、温控模块与中心控制模块电连接；中心控制模块用于发送激光器所需工作电流、选择激光器通道、获取激光器内部实时温度信息；稳流模块用于接收来自中心控制模块的电流信息并为激光器阵列模块输出其所需的驱动电流；温控模块用于控制激光器工作温度。本发明可以实现为四个通道的激光器提供可编程控制的工作电流，并且选择任意几通道的激光器，实现多通道的激光器扫频。
-
公开(公告)号：CN113381300A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110641959.3
申请日：2021-06-09
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于四通道并联DFB激光器阵列的线性扫频激光器，包括蝶形封装的四通道并联DFB激光器阵列模块和外围驱动电路；外围驱动电路包括中心控制模块、稳流模块、温控模块；四通道并联DFB激光器阵列模块与稳流模块、温控模块电连接；稳流模块、温控模块与中心控制模块电连接；中心控制模块用于发送激光器所需工作电流、选择激光器通道、获取激光器内部实时温度信息；稳流模块用于接收来自中心控制模块的电流信息并为激光器阵列模块输出其所需的驱动电流；温控模块用于控制激光器工作温度。本发明可以实现为四个通道的激光器提供可编程控制的工作电流，并且选择任意几通道的激光器，实现多通道的激光器扫频。
-
公开(公告)号：CN100504564C
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200710025127.9
申请日：2007-07-13
Applicant: 南京大学
Abstract: 硅基光子分子的设置方法，以气相共形薄膜生长制备的光子分子，在玻璃和硅衬底设有直径尺寸为0.5-5μm，高度为0.4-2μm的柱形平台，并以共形薄膜生长方法制备含两个或多个有源层为a-SiNz的三维限制微腔结构：即形成两个有源层的三维DBR限制结构的微腔；设有两个DBR位于两个有源层两侧微腔的谐振波长为λ，DBR包括4±10个周期的中低折射率层和高折射层的a-SiNx和a-SiNy薄膜，每个折射层厚度为λ/(4n)；n是折射率，有源层是折射率在低折射率层和高折射层的折射率之间a-SiNz薄膜，厚度为λ/(2n)；两个有源层之间的距离为m个周期，DBR的厚度d＝m×L，m为0.5-9.5，L为一个周期高低折射率薄膜的厚度。
-
公开(公告)号：CN101246817B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200810020317.6
申请日：2008-02-29
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/02 , H01L21/308
Abstract: 本发明涉及一种制备绝缘层上硅量子线的方法，属于微纳电子学技术领域。该方法包括SOI衬底顶层硅减薄、清洗衬底、涂敷电子束抗蚀剂、绘制设计由量子岛构成量子线图形、曝光、显影、蒸铝、剥离、刻蚀、去铝步骤，使衬底材料的顶层形成所需量子线。本发明的方法巧妙利用电子束曝光过程中的邻近效应，用低端的曝光机实现了在SOI之类半导体衬底材料上刻蚀得到硅的纳米尺度的量子线。由于本发明的实施是用价格相对低廉的曝光机完成的，将大大降低器件的制作成本，因此有望应用于纳米电子学和光电子学器件的制作。
-
公开(公告)号：CN100483744C
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200710021060.1
申请日：2007-03-23
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/788 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L27/115 , H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/8247
Abstract: 基于双层纳米硅结构的半导体非挥发性浮栅存储器，以p型硅(电阻率为1-10Ω·cm)作为衬底(20)，源漏极(22、28)在衬底的两侧，在衬底上先设有第一层隧穿介质层形成的SiO2层(23)，厚度为1-2nm或SiNx层，厚度为3-5nm；然后是第一纳米Si层(24)，晶粒尺寸为2-7nm；衬底上第二层隧穿介质层亦为SiO2层(26)，厚度为1-2nm或SiNx层，厚度为3-5nm；然后是第二纳米Si层，晶粒尺寸为2-7nm；第二纳米Si层上淀积形成控制氮化硅介质层，厚度为8-20nm；氧化硅或氮化硅介质层上是多晶硅栅。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101246817A
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200810020317.6
申请日：2008-02-29
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/02 , H01L21/308
Abstract: 本发明涉及一种制备绝缘层上硅量子线的方法，属于微纳电子学技术领域。该方法包括SOI衬底顶层硅减薄、清洗衬底、涂敷电子束抗蚀剂、绘制设计由量子岛构成量子线图形、曝光、显影、蒸铝、剥离、刻蚀、去铝步骤，使衬底材料的顶层形成所需量子线。本发明的方法巧妙利用电子束曝光过程中的邻近效应，用低端的曝光机实现了在SOI之类半导体衬底材料上刻蚀得到硅的纳米尺度的量子线。由于本发明的实施是用价格相对低廉的曝光机完成的，将大大降低器件的制作成本，因此有望应用于纳米电子学和光电子学器件的制作。
-
公开(公告)号：CN101114102A
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN200710025127.9
申请日：2007-07-13
Applicant: 南京大学
Abstract: 硅基光子分子的设置方法，以气相共形薄膜生长制备的光子分子，在玻璃和硅衬底设有直径尺寸为0.5－5μm，高度为0.4－2μm的柱形平台，并以共形薄膜生长方法制备含两个或多个有源层为a－SiNz的三维限制微腔结构：即形成两个有源层的三维DBR限制结构的微腔；设有两个DBR位于两个有源层两侧微腔的谐振波长为λ，DBR包括4±10个周期的中低折射率层和高折射层的a－SiNx和a－SiNy薄膜，每个折射层厚度为λ/4n)；n是折射率，有源层是折射率在低折射率层和高折射层的折射率之间a－SiNz薄膜，厚度为λ/(2n)；两个有源层之间的距离为m个周期，DBR的厚度d＝m×L，m为0.5－9.5，L为一个周期高低折射率薄膜的厚度。
-
公开(公告)号：CN111884030B
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202010597537.6
申请日：2020-06-28
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于串并联阵列激光器的快速调谐控制系统，包括中心控制模块，稳流模块，开关模块，温控模块，激光器阵列模块，功率控制模块，所述中心控制模块分别与稳流模块、温控模块、开关模块电连接，所述开关模块与激光器阵列模块电连接，所述激光器阵列模块与功率控制模块电连接；所述中心控制模块用于发送电流、通道选择、温度的控制信息。本发明可以对激光器阵列模块的各个通道精确提供工作电流，并按控制信号同步进行通道的开启与关断，以完成激光器波长的快速切换，从而实现出射信号波长的快速可调谐；最后经EDFA控制可调谐激光器的输出信号功率。
-
公开(公告)号：CN111884030A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010597537.6
申请日：2020-06-28
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于串并联阵列激光器的快速调谐控制系统，包括中心控制模块，稳流模块，开关模块，温控模块，激光器阵列模块，功率控制模块，所述中心控制模块分别与稳流模块、温控模块、开关模块电连接，所述开关模块与激光器阵列模块电连接，所述激光器阵列模块与功率控制模块电连接；所述中心控制模块用于发送电流、通道选择、温度的控制信息。本发明可以对激光器阵列模块的各个通道精确提供工作电流，并按控制信号同步进行通道的开启与关断，以完成激光器波长的快速切换，从而实现出射信号波长的快速可调谐；最后经EDFA控制可调谐激光器的输出信号功率。
-
公开(公告)号：CN101026194A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200710021060.1
申请日：2007-03-23
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/788 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L27/115 , H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/8247
Abstract: 基于双层纳米硅结构的半导体非挥发性浮栅存储器，以p型硅(电阻率为1－10Ω·cm)作为衬底(20)，源漏极(22、28)在衬底的两侧，在衬底上先设有第一层隧穿介质层形成的SiO2层(23)，厚度为1－2nm或SiNx层，厚度为3－5nm；然后是第一纳米Si层(24)，晶粒尺寸为2－7nm；衬底上第二层隧穿介质层亦为SiO2层(26)，厚度为1－2nm或SiNx层，厚度为3－5nm；然后是第二纳米Si层，晶粒尺寸为2－7nm；第二纳米Si层上淀积形成控制氮化硅介质层，厚度为8－20nm；氧化硅或氮化硅介质层上是多晶硅栅。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
10
records
(took 0.024 seconds)
