公开(公告)号：CN113555467A

公开(公告)日：2021-10-26

申请号：CN202110675450.0

申请日：2021-06-17

Applicant: 南京大学

Inventor： 贾小氢 ,  杨舒超 ,  鲍涵 ,  徐韬 ,  秦志 ,  涂学凑 ,  张蜡宝 ,  赵清源 ,  康琳 ,  陈健 ,  吴培亨

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0352 ,  H01L39/24 ,  H01L39/12

Abstract: 本发明公开了一种大面积MoSi超导微米线单光子探测器的激光直写制备方法，将Si基片分别用丙酮、酒精和去离子水超声清洗；将清洗后的基片送入磁控溅射系统副室进行氩离子清洗；将离子铣后的基片送入主室，通过直流磁控溅射生长MoSi薄膜；在真空室中原位射频磁控溅射生长Nb5N6薄膜；绘制掩模版图形，并采用图形补偿的方法增加微米线拐角处的曝光面积；在样品表面旋涂S1805光刻胶，用激光直写光刻机进行光刻，然后放入正胶显影液显影30s，放入去离子水中定影1min，在光刻胶上形成微米线图案；用反应离子刻蚀的方式对做完激光直写的样品进行刻蚀，刻蚀后用丙酮超声1min除去残胶，从而形成微米线。本发明提高了大面积超导微米线单光子探测器的制备效率。

公开(公告)号：CN113555467B

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN202110675450.0

申请日：2021-06-17

Applicant: 南京大学

Inventor： 贾小氢 ,  杨舒超 ,  鲍涵 ,  徐韬 ,  秦志 ,  涂学凑 ,  张蜡宝 ,  赵清源 ,  康琳 ,  陈健 ,  吴培亨

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0352 ,  H10N60/01 ,  H10N60/85

Abstract: 本发明公开了一种大面积MoSi超导微米线单光子探测器的激光直写制备方法，将Si基片分别用丙酮、酒精和去离子水超声清洗；将清洗后的基片送入磁控溅射系统副室进行氩离子清洗；将离子铣后的基片送入主室，通过直流磁控溅射生长MoSi薄膜；在真空室中原位射频磁控溅射生长Nb5N6薄膜；绘制掩模版图形，并采用图形补偿的方法增加微米线拐角处的曝光面积；在样品表面旋涂S1805光刻胶，用激光直写光刻机进行光刻，然后放入正胶显影液显影30s，放入去离子水中定影1min，在光刻胶上形成微米线图案；用反应离子刻蚀的方式对做完激光直写的样品进行刻蚀，刻蚀后用丙酮超声1min除去残胶，从而形成微米线。本发明提高了大面积超导微米线单光子探测器的制备效率。

公开(公告)号：CN114563838B

公开(公告)日：2023-03-24

申请号：CN202210251952.5

申请日：2022-03-15

Applicant: 南京大学

Inventor： 贾小氢 ,  秦志 ,  范克彬 ,  鲍涵 ,  徐韬

IPC: G02B5/00 ,  C23C14/35 ,  C23C14/14 ,  C23C16/40 ,  C23C14/18 ,  C23C14/58 ,  C23C28/00

Abstract: 本发明公开了一种用于单光子探测的中红外频段高效吸收结构，并将这种结构与钨硅超导纳米线单光子探测器结合在一起来提高探测器的探测效率。所述高效吸收结构为金十字天线单元周期排布形成的超表面结构，将WSi纳米线与这种高效吸收结构结合起来，显著提高了WSi SNSPD在中红外波段的吸收率。此外，本发明也可以扩展到由其他薄膜材料制备成的SNSPD上。

公开(公告)号：CN114563838A

公开(公告)日：2022-05-31

申请号：CN202210251952.5

申请日：2022-03-15

Applicant: 南京大学

Inventor： 贾小氢 ,  秦志 ,  范克彬 ,  鲍涵 ,  徐韬

IPC: G02B5/00 ,  C23C14/35 ,  C23C14/14 ,  C23C16/40 ,  C23C14/18 ,  C23C14/58 ,  C23C28/00

Abstract: 本发明公开了一种用于单光子探测的中红外频段高效吸收结构，并将这种结构与钨硅超导纳米线单光子探测器结合在一起来提高探测器的探测效率。所述高效吸收结构为金十字天线单元周期排布形成的超表面结构，将WSi纳米线与这种高效吸收结构结合起来，显著提高了WSi SNSPD在中红外波段的吸收率。此外，本发明也可以扩展到由其他薄膜材料制备成的SNSPD上。