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公开(公告)号：CN119852198A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202411880738.1
申请日：2024-12-19
Applicant: 南京泛铨电子科技有限公司
Abstract: 本发明专利公开了一种平整固定晶圆小晶粒的方法，包括如下步骤：S1：在载具顶端的中心处滴上粘合剂；S2：将晶粒放置与粘合剂上，与载具顶端进行粘黏；S3：在载具上方平铺一张用于覆盖晶粒的菱格纸；S4：采用平面工具按压菱格纸，使晶圆小晶粒的顶端保持平整；S5：取下菱格纸，并通过检测装置对晶粒顶端平整度进行检测。本发明专利通过结合菱格纸与平面工具的使用，可以有效地平整晶圆小晶粒的顶端，这种方法不仅实现了平面工具按压前晶粒的初步平整，还通过后续的圆形压块的施压对晶粒进行了进一步平整，最后依赖橡胶软垫的均匀回弹力，确保了晶粒顶端的平整性，进而保证了晶粒取截后检测的准确度。
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公开(公告)号：CN113759148B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202010855090.8
申请日：2020-08-24
Applicant: 南京泛铨电子科技有限公司
IPC: G01Q60/24 , G01N23/2255 , G01N23/2251 , G01C11/00
Abstract: 本发明公开了一种人工智能辨识的半导体影像量测方法，其包括以下步骤：提供半导体的原始影像；利用人工智能判断前述原始影像所属的类型和/或种类；导入前述原始影像所属的类型和/或种类所预定的尺寸量测模式，并依照前述预定的尺寸量测模式，扫描前述原始影像，以获得前述原始影像的测量信号；以及将所获得的特定位置的测量信号输出，并经由计算以获得前述半导体中特定的物理参数。
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公开(公告)号：CN119722581A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411684026.2
申请日：2024-11-22
Applicant: 南京泛铨电子科技有限公司
IPC: G06T7/00 , G01N23/2251 , G06T7/70
Abstract: 本发明提供一种以数位方式辨别材料/故障分析中试片异常的方法，包括以下步骤：S1：扫描电子显微镜SEM的被动式VC方式检测半导体试片，获得SEM PVC图像；S2：准备半导体试片原始设计在金属接触层的Layout图；S3：将SEM PVC图像和Layout图进行数据处理；S4：故障分析；本发明利用数字处理方式，取得SEM PVC影像，分析灰阶值，并与原始设计Layout图做自动比对，以显著的红色星号标示有差异的位置，轻松辨认故障晶体管的位置。判定方法直观，精准度和正确率远胜于人眼辨别图像，避免人眼判断的失误，精准辨认不同晶体管的亮度，提高材料/故障分析的良率，有效提升材料/故障分析的质量与成功率。
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公开(公告)号：CN117233189B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311524375.3
申请日：2023-11-16
Applicant: 南京泛铨电子科技有限公司
IPC: G01N23/2202 , G01N23/2251
Abstract: 本发明提供一种增加材料分析FIB试片导电度的方法，包括以下步骤：S1：选择半导体试片，选择基板材料为硅、陶瓷或玻璃的半导体试片，试片上有分析目标物；S2：将半导体试片放置在FIB腔体内，FIB腔体内包括金属镀源、探针、移动平台，探针设置在移动平台前端，移动平台带动探针在半导体试片上方三维方向上自由移动；S3：利用离子束在分析目标物侧面制备截面；S4：利用金属镀源在FIB截面一侧制备金属块；S5：将半导体试片温度提高到100℃‑150℃，并保持该温度10分钟；S6：利用移动平台，将探针接近第一金属块并接触；S7：使用金属镀源在探针与第一金属块接触位置制备第二金属块；S8：确认半导体试片接地后，接续扫描式电子显微镜拍摄。
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公开(公告)号：CN117250067A
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202311544024.9
申请日：2023-11-20
Applicant: 南京泛铨电子科技有限公司
IPC: G01N1/28 , H01L21/66 , G01N23/2202 , G01N23/20008
Abstract: 本发明提供一种能填满与保护半导体试片材料分析的样本制备方法与系统，所述样本制备方法具体步骤如下：S1：将需要保护的半导体试片放置在材料分析样品制备系统上；S2：将步骤S1中的材料分析样品制备系统进行抽真空处理；S3：逐步向半导体试片内的微小缝隙进行第一前驱物的填充；S4：逐步向半导体试片内的微小缝隙进行第二前驱物的填充；S5：重复步骤S3‑S4，直至目标分析物上的微小缝隙填充完毕。通过本发明所述的方法，有效保护原本有微小裂缝的半导体试片，提升试片制备的质量与成功率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119839690A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202411880727.3
申请日：2024-12-19
Applicant: 南京泛铨电子科技有限公司
IPC: B24B1/00 , G01N23/2202 , G01N23/2251 , G01N1/28 , G01N1/32 , G01N1/34 , G01B21/30 , B24B49/02 , B24B55/06 , B24B27/033 , B24B7/10
Abstract: 本发明专利公开了一种增加芯片导电性的方法，涉及芯片检测技术领域，包括如下步骤：S1：对载具进行固定，并保持载具的接触面位于上方；S2：通过砂纸对载具的接触面进行研磨抛光；S3：对载具进行检查；S4：进入扫描电子显微镜检测。本发明专利通过精细化的研磨抛光工艺、全面的质量检测体系以及严格的工艺控制，有效提升了芯片与载具之间的导电性，从而确保芯片在扫描电子显微镜检测中检测结果的准确性和有效性。
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公开(公告)号：CN119574608A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411682817.1
申请日：2024-11-22
Applicant: 南京泛铨电子科技有限公司
IPC: G01N23/2251 , G02B5/20 , G01N23/2202
Abstract: 本发明提供一种针对感光元件中增强彩色滤光膜影像对比的方法，主要是利用RGB彩色滤光膜的材料与X射线或紫外光反应的特性，利用彩色滤光膜在X射线或紫外光照射后所产生的质变，使得在SEM观察时可以清楚分辨不同RGB染料的彩色滤光膜。本发明通过利用RGB彩色滤光膜的材料与X射线或紫外光反应的特性，利用彩色滤光膜在X射线或紫外光照射后所产生的质变，使得在SEM观察时可以清楚分辨不同RGB染料的彩色滤光膜。本发明所述方法有效提升材料分析中SEM分析的质量，在实际使用中不仅增加不同彩色滤光膜材料在SEM影像上的对比，虽然彩色滤光膜材料有产生质变，但并没有影响其形貌，不会影响分析结果。
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公开(公告)号：CN117233189A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311524375.3
申请日：2023-11-16
Applicant: 南京泛铨电子科技有限公司
IPC: G01N23/2202 , G01N23/2251
Abstract: 本发明提供一种增加材料分析FIB试片导电度的方法，包括以下步骤：S1：选择半导体试片，选择基板材料为硅、陶瓷或玻璃的半导体试片，试片上有分析目标物；S2：将半导体试片放置在FIB腔体内，FIB腔体内包括金属镀源、探针、移动平台，探针设置在移动平台前端，移动平台带动探针在半导体试片上方三维方向上自由移动；S3：利用离子束在分析目标物侧面制备截面；S4：利用金属镀源在FIB截面一侧制备金属块；S5：将半导体试片温度提高到100℃‑150℃，并保持该温度10分钟；S6：利用移动平台，将探针接近第一金属块并接触；S7：使用金属镀源在探针与第一金属块接触位置制备第二金属块；S8：确认半导体试片接地后，接续扫描式电子显微镜拍摄。
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公开(公告)号：CN119843227A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202411879475.2
申请日：2024-12-19
Applicant: 南京泛铨电子科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种改良适用于低熔点材料截面FIB分析的制备方法，包括：S1：准备一半导体试片；半导体试片内包含目标区；S2：在半导体试片的上表面溅镀第一白金层；S3：在第一白金层上涂覆高分子层；高分子层厚度为300‑1000 nm；S4：在高分子层的上表面制备第二白金层；S5：在第二白金层的上表面制备第三白金层；本发明在目标区上方，于第一与第二白金层之间增加一层导热较佳的高分子层，使FIB切削分析时累积的热量有效地被导出目标区，降低低熔点金属向外迁移的机会，同时方便制备，以简单涂覆方式在室温实施即可，高分子材料不会与试片内组成元素产生反应，能够减缓高能量离子束轰击所造成试片的损伤与刀痕效应。
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公开(公告)号：CN116519413A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310454235.7
申请日：2023-04-25
Applicant: 南京泛铨电子科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种在材料分析过程中保护半导体试片的方法，S1：将半导体试片放置在操作平台上；S2：利用去层的方式，将半导体试片去层至特定需要分析的层级；S3：将胶水浇筑在半导体试片去层后裸漏在外的层级上并加热；S4：当加热温度达到指定温度时，停止加热并使胶水固化成胶体，让胶体完全地贴附在去层后的半导体试片裸漏在外的层级上。本发明将胶体制备在去层后的半导体试片表面上，通过加热胶体达到指定温度，利用溶融态的胶体会完全贴附在去层后的半导体试片表面上的特性，可以防止外界水气或氧气进入试片表面与铜产生金属氧化物，且由于胶体在室温会固化，可以大大提升去层后的半导体试片的机械强度，拿取方便，且不容易损毁。
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