公开(公告)号：CN119059555A

公开(公告)日：2024-12-03

申请号：CN202310642364.9

申请日：2023-06-01

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 陈翔 ,  李林芸 ,  熊云海 ,  刘本强 ,  赵桐 ,  吴林祥

IPC: C01G29/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种过渡金属原子掺杂二维氧化铋纳米片的制备方法。所述方法以二维单层过渡金属硫化物或过渡金属硒化物作为母体材料，将Bi2O3粉末和NaCl颗粒均匀混合放入石英舟中置于双温区CVD管式炉中第一温区，将生长有二维单层过渡金属硫化物或过渡金属硒化物的蓝宝石衬底放置在第二温区，使用混合载气Ar/O2，通过调控升温速率、保温时间、压强、总载气流量，得到不同形貌和厚度的过渡金属原子掺杂二维氧化铋纳米片。本发明方法制得的过渡金属原子掺杂二维氧化铋纳米片的厚度和尺寸可调控，且化学性质稳定，适用于开发高性能过渡金属原子掺杂的二维Bi2O3半导体材料并应用于电子器件。

公开(公告)号：CN117660925A

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202211027180.3

申请日：2022-08-25

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 陈翔 ,  李旭升 ,  熊云海 ,  李林芸 ,  石晓琴

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/44 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种化学气相沉积制备二维α相氧化铋纳米片的方法。所述方法先将Bi2O3粉末和NaCl颗粒混合后置于第一温区，通过混合载气Ar/O2将反应后的前驱体粉末输送到放置有衬底的第二温区，在衬底上沉积生长，制得α‑Bi2O3纳米片。本发明通过调控生长参数，温度、压强、载气流量等，得到不同厚度、不同直径尺寸大小的α‑Bi2O3圆形纳米片，且制备的α‑Bi2O3圆形纳米片的形状规则、成核密度大、物理化学性质稳定。