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公开(公告)号：CN117660925A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202211027180.3
申请日：2022-08-25
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种化学气相沉积制备二维α相氧化铋纳米片的方法。所述方法先将Bi2O3粉末和NaCl颗粒混合后置于第一温区，通过混合载气Ar/O2将反应后的前驱体粉末输送到放置有衬底的第二温区，在衬底上沉积生长，制得α‑Bi2O3纳米片。本发明通过调控生长参数，温度、压强、载气流量等，得到不同厚度、不同直径尺寸大小的α‑Bi2O3圆形纳米片，且制备的α‑Bi2O3圆形纳米片的形状规则、成核密度大、物理化学性质稳定。
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公开(公告)号：CN112323143B
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202011095266.0
申请日：2020-10-14
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本申请提供了一种化学气相沉积制备二维氧化铋纳米片的方法，包括：将氧化铋粉末和氯化钠颗粒混合均匀，得到第一混合料；将所述第一混合料放置于双温区CVD管式炉第一温区内；将衬底放置于所述双温区CVD管式炉第二温区内；使所述双温区CVD管式炉内充盈预设纯度的且压强为175Pa～185Pa的第一惰性气体；对所述第一温区进行加热，对所述第二温区进行加热，将氩气和氧气以110～130:30～60的流量比通入至所述双温区CVD管式炉内进行退火。利用这种化学气相沉积制备二维氧化铋纳米片的方法可以制备得到化学稳定性佳的六边形氧化铋纳米片，并且这种方法在175Pa～185Pa的压强下进行，制备方法安全简单。
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公开(公告)号：CN115876854A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202111125704.8
申请日：2021-09-26
Applicant: 南京理工大学
IPC: G01N27/327 , C12Q1/68 , G01N33/483
Abstract: 本发明公开了一种基于InSe FET的核酸检测传感器及其在新冠病毒检测中的应用。所述传感器的构建包括：(1)将机械剥离得到的超薄InSe材料作为FET传感器的沟道材料；(2)将SiO2/Si衬底上的超薄InSe通过ALD沉积Al2O3；(3)旋涂PMMA胶，利用EBL技术在PMMA层上构建电极图案；(4)通过EBE得到高质量的源、漏电极；(5)再次沉积Al2O3钝化层；(6)通过低镀率EBE沉积得到均匀分布的Au纳米颗粒作为探针位点；(7)利用EBL在沟道处制造窗口用于DNA探针修饰；(8)将器件孵育在含有DNA探针的磷酸缓冲液中。本发明的InSe FET传感器的电学性能良好，检测灵敏度高，可应用于新冠病毒的超低浓度核酸检测，同时具有核酸变异判断能力。
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公开(公告)号：CN109607470B
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201811377586.8
申请日：2018-11-19
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种锑烯纳米片的制备方法。所述方法以纯锑粉末为前驱体，多晶铜箔片为衬底，常压下，设置气体氛围流量比为Ar:H2＝100～300:10～50sccm，在640～690℃下进行物理气相沉积3～19min，衬底温度为150～250℃，得到生长在多晶铜箔片上的三角形或梯形的锑烯纳米片。本发明方法操作简单，在常压下进行，制备的三角形或梯形锑烯纳米片形核密度大，纯度高，化学性质稳定，长度为25nm～10um，厚度可以调控在2nm～110nm。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113690145A
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202111149055.5
申请日：2021-09-29
Applicant: 南京理工大学
IPC: H01L21/336 , H01L21/02 , H01L21/465 , H01L29/24 , H01L29/772
Abstract: 本发明公开了一种二维Bi2O2Se薄膜厚度的调控方法，包括如下步骤：通过化学气相沉积方法在第一衬底上制得具有第一厚度的二维Bi2O2Se薄膜；采用等离子体刻蚀工艺将所述二维Bi2O2Se薄膜的厚度调控至第二厚度，其中，所述等离子体刻蚀工艺的刻蚀设备真空度为6.4×10‑4Pa，射频功率为120W，中和器电流为500mA，离子束电流范围为80mA至100mA，离子束电压为从200V至280V，Ar流量为10sccm，O2流量为6sccm，刻蚀时间为6‑20秒。该方法操作简单，重复性好，对二维Bi2O2Se薄膜材料实现均匀减薄。
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公开(公告)号：CN112323143A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN202011095266.0
申请日：2020-10-14
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本申请提供了一种化学气相沉积制备二维氧化铋纳米片的方法，包括：将氧化铋粉末和氯化钠颗粒混合均匀，得到第一混合料；将所述第一混合料放置于双温区CVD管式炉第一温区内；将衬底放置于所述双温区CVD管式炉第二温区内；使所述双温区CVD管式炉内充盈预设纯度的且压强为175Pa～185Pa的第一惰性气体；对所述第一温区进行加热，对所述第二温区进行加热，将氩气和氧气以110～130:30～60的流量比通入至所述双温区CVD管式炉内进行退火。利用这种化学气相沉积制备二维氧化铋纳米片的方法可以制备得到化学稳定性佳的六边形氧化铋纳米片，并且这种方法在175Pa～185Pa的压强下进行，制备方法安全简单。
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公开(公告)号：CN119753623A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202410023492.X
申请日：2024-01-08
Applicant: 南京理工大学
IPC: C23C16/30 , C23C16/448 , C23C16/52 , C23C16/455 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种非晶SiO2衬底上制备大晶畴尺寸单层MoS2薄膜的方法。所述方法将S粉、MoO3粉末、洁净的SiO2/Si衬底分别放置于第一温区、第二温区和第三温区，调控两粉末的间距以及MoO3粉末与衬底之间的距离，将各温区升温至设定温度，通过第一温区依次流向第二温区和第三温区的Ar/O2混合载气气流将S粉和MoO3粉末输送到衬底上并发生化学反应，在SiO2/Si衬底生长得到大晶畴尺寸单层MoS2薄膜。本发明采用化学气相沉积方法，在SiO2/Si衬底上，制备了均匀性好、晶畴尺寸大、高质量结晶性的单层MoS2薄膜，其平均晶畴尺寸可达20μm~78μm，该方法操作简单、成本低、可重复性好。
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公开(公告)号：CN119059555A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202310642364.9
申请日：2023-06-01
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种过渡金属原子掺杂二维氧化铋纳米片的制备方法。所述方法以二维单层过渡金属硫化物或过渡金属硒化物作为母体材料，将Bi2O3粉末和NaCl颗粒均匀混合放入石英舟中置于双温区CVD管式炉中第一温区，将生长有二维单层过渡金属硫化物或过渡金属硒化物的蓝宝石衬底放置在第二温区，使用混合载气Ar/O2，通过调控升温速率、保温时间、压强、总载气流量，得到不同形貌和厚度的过渡金属原子掺杂二维氧化铋纳米片。本发明方法制得的过渡金属原子掺杂二维氧化铋纳米片的厚度和尺寸可调控，且化学性质稳定，适用于开发高性能过渡金属原子掺杂的二维Bi2O3半导体材料并应用于电子器件。
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公开(公告)号：CN109607470A
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201811377586.8
申请日：2018-11-19
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种锑烯纳米片的制备方法。所述方法以纯锑粉末为前驱体，多晶铜箔片为衬底，常压下，设置气体氛围流量比为Ar:H2＝100～300:10～50sccm，在640～690℃下进行物理气相沉积3～19min，衬底温度为150～250℃，得到生长在多晶铜箔片上的三角形或梯形的锑烯纳米片。本发明方法操作简单，在常压下进行，制备的三角形或梯形锑烯纳米片形核密度大，纯度高，化学性质稳定，长度为25nm～10um，厚度可以调控在2nm～110nm。
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