一种无卤阻燃非增强尼龙材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN119931330A

    公开(公告)日:2025-05-06

    申请号:CN202411847857.7

    申请日:2024-12-16

    Abstract: 本发明提供一种无卤阻燃非增强尼龙材料及其制备方法,按照质量百分比计,包括如下组分:尼龙6I/6T树脂78%‑82%,阻燃剂18%‑22%;所述制备方法包括如下步骤:按照配方比称取尼龙6I/6T树脂和阻燃剂;将称取的尼龙6I/6T树脂和阻燃剂置于高速混合机中混合均匀,得到混合料;将混合料置于双螺杆挤出机中挤出、造粒,得到所述无卤阻燃非增强尼龙材料。本发明通过采用新型阻燃剂与芳香尼龙材料进行复配改性,使得改性后的尼龙材料能够保持材料良好的抗冲击性能,同时还能够保证尼龙材料具有优异的阻燃性能。

    一种高吸光材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN115386213B

    公开(公告)日:2024-05-03

    申请号:CN202211041887.X

    申请日:2022-08-29

    Abstract: 本发明提供的高吸光材料及其制备方法,涉及改性塑料领域;包括以下重量份数的组分:热塑性树脂85‑95份、增韧剂1‑5份、消光剂0.5‑10份、吸光剂0.5‑1份、抗氧剂0.1‑0.3份、润滑剂0.1‑0.5份;吸光剂选择具有树枝状阵列碳纳米管,该吸光剂在高吸光材料表面均匀分布,使得高吸光材料的表面在微观结构上具有均匀且致密的凸起,形成哑光面。本发明采用树枝状阵列碳纳米管作为吸光剂使得光线入射到碳纳米管上时,会在其中不断偏折和反弹,并最终被吸收,实现可见光和近红外波段高吸光性,大幅度降低材料可见光和红外光反射率。

    一种聚异腈苯乙烯主链/hemiphasmid型液晶基元的侧链液晶高分子

    公开(公告)号:CN114369231B

    公开(公告)日:2024-03-29

    申请号:CN202011108451.9

    申请日:2020-10-16

    Abstract: 本发明公开了一种聚异腈苯乙烯主链/hemiphasmid型液晶基元的侧链液晶高分子(VI‑n,n=4―12),其主链与液晶基元之间通过较短的间隔基相连。随烷基尾链长度增加,聚合物(VI‑n)从层状液晶相(n=4)演变为柱状液晶相(n=8,12)。聚合物(VI‑n)的主链为典型的螺旋高分子,液晶基元的接枝密度高,主链与液晶基元间的间隔基短。这三个结构因素提高了聚合物(VI‑n)的液晶相的热稳定性,以致液晶相在样品分解温度(~350°C)以下稳定存在。因而,本发明聚合物(VI‑n)是一种很好的耐高温液晶材料。

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