一种具有梯度合金壳的新型显示用量子点、制备方法及应用

    公开(公告)号:CN114276812A

    公开(公告)日:2022-04-05

    申请号:CN202210114251.7

    申请日:2022-01-30

    Abstract: 本发明提供一种具有梯度合金壳的新型显示用量子点、制备方法及应用,涉及新型显示材料技术领域,其制备方法通过高温注射法将30wt%‑50wt%锌铜原料液、25wt%‑35wt%硒‑硫源在320‑340℃条件下依次注入到含有CdSe量子点溶液的反应釜中反应制得CdSe@CdZnCuSeS梯度合金壳量子点,梯度合金壳CdZnCuSeS厚度为3‑4nm;其中,CdSe量子点溶液是在N2环境下,通过热注入法将5wt%‑10wt%硒前驱体在290‑320℃条件下快速注入到含有10wt%‑20wt%镉络合物、40wt%‑50wt%十八烯和20wt%‑30wt%配位溶剂的反应釜中反应得到;本发明制得的量子点量子产率达95%以上,尺寸分布均匀,光电性能优异,量子点不仅能应用于Mini LED上,还可更广泛地应用于虚拟现实、可穿戴设备、航空航天显示器件和远程医疗协作等新型显示领域。

    一种具有梯度合金壳的新型显示用量子点、制备方法及应用

    公开(公告)号:CN114276812B

    公开(公告)日:2023-04-07

    申请号:CN202210114251.7

    申请日:2022-01-30

    Abstract: 本发明提供一种具有梯度合金壳的新型显示用量子点、制备方法及应用,涉及新型显示材料技术领域,其制备方法通过高温注射法将30wt%‑50wt%锌铜原料液、25wt%‑35wt%硒‑硫源在320‑340℃条件下依次注入到含有CdSe量子点溶液的反应釜中反应制得CdSe@CdZnCuSeS梯度合金壳量子点,梯度合金壳CdZnCuSeS厚度为3‑4nm;其中,CdSe量子点溶液是在N2环境下,通过热注入法将5wt%‑10wt%硒前驱体在290‑320℃条件下快速注入到含有10wt%‑20wt%镉络合物、40wt%‑50wt%十八烯和20wt%‑30wt%配位溶剂的反应釜中反应得到;本发明制得的量子点量子产率达95%以上,尺寸分布均匀,光电性能优异,量子点不仅能应用于Mini LED上,还可更广泛地应用于虚拟现实、可穿戴设备、航空航天显示器件和远程医疗协作等新型显示领域。

Patent Agency Ranking