一种具有高低压连接与保护功能的偏置电路

    公开(公告)号:CN115756074A

    公开(公告)日:2023-03-07

    申请号:CN202211405174.7

    申请日:2022-11-10

    Abstract: 本发明公开了一种具有高低压连接与保护功能的偏置电路,包括高压偏置模块、高低压连接模块和低压偏置模块,实现高压区域与低压区域的多个偏置电平,同时兼顾电路保护;本发明的偏置电路能提供高压区域与低压区域的连接,并提供保护功能,保证芯片在高压环境下正常运行;而且本发明用于保护的MOS管的同时还用于定义支路电流,并且同时完成了低压区域与高压区域的支路电流定义,节约了芯片面积与制造成本;并且本发明的结构和思想对于分立器件的高低压连接也有一定参考意义。

    适用于宽输入电压范围LDO电路的限流电路

    公开(公告)号:CN115903985A

    公开(公告)日:2023-04-04

    申请号:CN202211719447.5

    申请日:2022-12-30

    Abstract: 本发明公开了一种适用于宽输入电压范围LDO电路的限流电路,属于集成电路技术领域。包括:具有宽输入电压范围的LDO反馈控制环路和耐高压限流电路;所述具有宽输入电压范围的LDO反馈控制环路,包括误差放大器、驱动管N1、高低压隔离管HN1、电流采样管HP1、LDO的功率管和反馈电阻R1和R2;所述耐高压限流电路,包括采样电阻R3、电流比较器、偏置电路、高低压隔离电路和限流管N2。本发明的限流电路有效降低了LDO压降区电流,得到了没有尖峰且比稳定输出时小的压降区电流;本发明采用高压管和低压管共同使用的方法使电路可以工作在高压区,保证可靠性的前提下在一定程度上缓解了高压管带来的性能和面积劣势。

    一种双环路CMOS环形振荡器电路
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118554885A

    公开(公告)日:2024-08-27

    申请号:CN202410686637.4

    申请日:2024-05-30

    Abstract: 本发明公开了一种双环路CMOS环形振荡器电路,包括第一反相器、第二反相器、施密特触发器、第三反相器、第九晶体管、第十晶体管构成的第一条振荡环路和第一反相器、第二反相器、施密特触发器、第一充放电电容,第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管、第八晶体管构成的第二条振荡环路,两条振荡环路共同产生输出振荡信号,该电路结构输出的振荡信号频率可调节范围宽,占空比易于调节,且电路启动时间短,能满足实际应用的需求。

    一种负压电平移位电路
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118677432A

    公开(公告)日:2024-09-20

    申请号:CN202411012283.1

    申请日:2024-07-26

    Abstract: 本发明公开了一种负压电平移位电路,包括钳位电路、电平移位主体电路、输出整形电路;所述钳位电路,设置为对输入电源VEE进行钳位;所述电平移位主体电路,设置为将输入的高低电平信号INN、INP转变为不同电平的输出;所述输出整形电路,设置为对所述电平移位电路输出信号进行整形输出。本发明所述的负压电平移位电路,结构简单容易实现并且输出稳定可以调节,响应速度快,精度高。

    一种具有滞回特性的电源切换电路

    公开(公告)号:CN118554925A

    公开(公告)日:2024-08-27

    申请号:CN202410686638.9

    申请日:2024-05-30

    Abstract: 本发明公开了一种具有滞回特性的电源切换电路,包括滞回模块、偏置模块、比较模块、开关组合以及使能控制电路;所述滞回模块,设置为对所述比较模块的输出信号产生电压迟滞量,避免在临界状态时产生振荡;所述偏置模块,设置为向所述比较模块提供偏置电流;所述比较模块,设置为由源端作为输入端的比较器结构;所述开关组合,设置为向输出信号VOUT切换较大的电源电压;所述使能控制电路,设置为在使能信号CE高电平有效时电源切换电路开始正常工作。本发明所设计的电源切换电路在工作电压较低的情况下,仍然保持稳定工作,且功耗低,响应速度快,精度高,翻转阈值电压可调、迟滞宽度可调。

    一种超低功耗的欠压保护电路
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118487220A

    公开(公告)日:2024-08-13

    申请号:CN202410582957.5

    申请日:2024-05-11

    Abstract: 本发明公开了一种超低功耗的欠压保护电路设计,涉及电源管理电路领域,该电路由耗尽管M1和M6以及其他增强管组成,耗尽管M1、M6采用栅源短接的接法提供稳定的电流偏置,通过增强管M5、M7和M8开启时的电源电压不同来产生迟滞效果;本发明的技术方案,通过阈值电压比较控制不同晶体管导通和关断从而实现电压翻转以及迟滞功能。该电路不需要其他模块提供基准偏置电压,而且避免使用电压比较器,简化电路的同时也减小了工艺失调对欠压保护模块精度与速度的影响,同时本发明使用全MOS晶体管实现,避免了使用电阻,减小了功耗,节省版图面积。本发明欠压保护电路结构简单易于实现,功耗低,并且实现欠压阈值、迟滞宽度可调,满足不同场景下的需求。

    一种CMOS振荡器电路
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116827268A

    公开(公告)日:2023-09-29

    申请号:CN202310775111.9

    申请日:2023-06-28

    Abstract: 本发明公开了一种CMOS振荡器电路,包括振荡主体电路、输出缓冲电路;所述振荡主体电路,设置为由两支路共同产生振荡信号;所述输出缓冲电路,设置为对所述振荡主体电路输出信号进行整形输出。本发明振荡器电路结构简单容易实现,输出稳定,频率及占空比易于控制。

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