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公开(公告)号：CN109889161A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201810366966.5
申请日：2018-04-23
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明涉及一种基于MOS电容调谐结构的环形数控振荡器，由三级差分反馈反相器级联构成，包括结构相同的第一差分反馈反相器τ1、第二差分反馈反相器τ2及第三差分反馈反相器τ3，DCO振荡电路通过改变频率选择控制字输出相应频率的差分振荡信号。频率调谐结构采用由两对反向并联PMOS电容单元组成的阵列极大地提高了DCO输出频率的调谐范围和分辨率，在保证低功耗的前提下进一步减小了DCO电路的量化噪声，改善了电路的整体性能。
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公开(公告)号：CN115903985A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211719447.5
申请日：2022-12-30
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明公开了一种适用于宽输入电压范围LDO电路的限流电路，属于集成电路技术领域。包括：具有宽输入电压范围的LDO反馈控制环路和耐高压限流电路；所述具有宽输入电压范围的LDO反馈控制环路，包括误差放大器、驱动管N1、高低压隔离管HN1、电流采样管HP1、LDO的功率管和反馈电阻R1和R2；所述耐高压限流电路，包括采样电阻R3、电流比较器、偏置电路、高低压隔离电路和限流管N2。本发明的限流电路有效降低了LDO压降区电流，得到了没有尖峰且比稳定输出时小的压降区电流；本发明采用高压管和低压管共同使用的方法使电路可以工作在高压区，保证可靠性的前提下在一定程度上缓解了高压管带来的性能和面积劣势。
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公开(公告)号：CN109884873B
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN201810366965.0
申请日：2018-04-23
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G04F10/00
Abstract: 本发明涉及一种采用动态阈值技术的时间数字转换器，适用于近阈值电源电压环境下，包括游尺延迟线TDC电路和编码器电路，其中游尺延迟线TDC电路判别START和STOP信号的时间差，并以二进制的形式输出相应的结果。由于采用较低的电源电压，晶体管的过驱动电压不足，电路工作的电流会减小，因此游尺延迟线TDC的工作时间将大幅度的延长。本发明采用动态阈值技术，将晶体管的衬底与栅端相连，这样衬底的电位会随着栅电压的变化而变化，晶体管的阈值电压会大幅度降低，源漏电流也会增加，也能最大程度地避免泄露电流的产生，提高了电路的速度和可靠性。
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公开(公告)号：CN108449070A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810213908.9
申请日：2018-03-15
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: H03K3/012 , H03K3/017 , H03K3/0233 , H03K7/08
Abstract: 本发明公开了一种自适应负载变化调节频率的AC-DC振荡器电路，包括时钟信号产生电路和频率调节控制信号产生电路，时钟信号产生电路用于产生时钟信号，包括电容充放电电路、电容电压比较触发电路、反相器、与非门和触发器电路；频率调节控制信号产生电路用于产生时钟频率控制信号，包括钳位电压电路、参考电压产生电路和选择比较电路；本发明通过内置频率调节控制信号产生电路，调节时钟频率，实现随负载的变化输出合适的时钟频率信号，解决PWM型AC-DC转换器不能根据负载调节时钟信号频率的问题，降低了AC-DC转换器的功耗。
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公开(公告)号：CN115756074A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211405174.7
申请日：2022-11-10
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G05F1/569
Abstract: 本发明公开了一种具有高低压连接与保护功能的偏置电路，包括高压偏置模块、高低压连接模块和低压偏置模块，实现高压区域与低压区域的多个偏置电平，同时兼顾电路保护；本发明的偏置电路能提供高压区域与低压区域的连接，并提供保护功能，保证芯片在高压环境下正常运行；而且本发明用于保护的MOS管的同时还用于定义支路电流，并且同时完成了低压区域与高压区域的支路电流定义，节约了芯片面积与制造成本；并且本发明的结构和思想对于分立器件的高低压连接也有一定参考意义。
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公开(公告)号：CN109884873A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201810366965.0
申请日：2018-04-23
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G04F10/00
Abstract: 本发明涉及一种采用动态阈值技术的时间数字转换器，适用于近阈值电源电压环境下，包括游尺延迟线TDC电路和编码器电路，其中游尺延迟线TDC电路判别START和STOP信号的时间差，并以二进制的形式输出相应的结果。由于采用较低的电源电压，晶体管的过驱动电压不足，电路工作的电流会减小，因此游尺延迟线TDC的工作时间将大幅度的延长。本发明采用动态阈值技术，将晶体管的衬底与栅端相连，这样衬底的电位会随着栅电压的变化而变化，晶体管的阈值电压会大幅度降低，源漏电流也会增加，也能最大程度地避免泄露电流的产生，提高了电路的速度和可靠性。
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公开(公告)号：CN118554885A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410686637.4
申请日：2024-05-30
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种双环路CMOS环形振荡器电路，包括第一反相器、第二反相器、施密特触发器、第三反相器、第九晶体管、第十晶体管构成的第一条振荡环路和第一反相器、第二反相器、施密特触发器、第一充放电电容，第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管、第八晶体管构成的第二条振荡环路，两条振荡环路共同产生输出振荡信号，该电路结构输出的振荡信号频率可调节范围宽，占空比易于调节，且电路启动时间短，能满足实际应用的需求。
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公开(公告)号：CN103094350B
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201310049146.0
申请日：2013-02-07
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明提出一种高压LDMOS器件，所述器件通过在每个降场层靠近源区引入一个与降场层相连或重合的相同导电类型半导体重掺杂区；这样就能够在漂移区中部产生一个高的电场峰值，降低了主结处高的电场峰值，优化了漂移区的表面电场分布，从而能够提高器件的反向击穿电压；还能够提高常规降场层结构的LDMOS器件降场层的掺杂浓度，从而提高了器件的最优漂移区浓度，即能够降低器件的正向导通电阻。本发明引入的半导体重掺杂区与相同导电类型半导体体接触区在工艺制备上同时完成，无需增加掩膜板和附加的工艺步骤，工艺简单，成本低廉。
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公开(公告)号：CN103237180A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201310116031.9
申请日：2013-04-03
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 一种高动态范围红外焦平面读出电路，包括像素单元电路、比较计数电路、电荷重新分配控制电路及数字模拟转化电路，像素单元电路的输出分别连接比较计数电路和电荷重新分配控制电路，比较计数电路的一个输出连接像素单元电路，比较计数电路的另一个输出分别连接数字模拟转化电路和电荷重新分配控制电路，数字模拟转化电路的输出连接电荷重新分配控制电路。
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公开(公告)号：CN103094350A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201310049146.0
申请日：2013-02-07
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明提出一种高压LDMOS器件，所述器件通过在每个降场层靠近源区引入一个与降场层相连或重合的相同导电类型半导体重掺杂区；这样就能够在漂移区中部产生一个高的电场峰值，降低了主结处高的电场峰值，优化了漂移区的表面电场分布，从而能够提高器件的反向击穿电压；还能够提高常规降场层结构的LDMOS器件降场层的掺杂浓度，从而提高了器件的最优漂移区浓度，即能够降低器件的正向导通电阻。本发明引入的半导体重掺杂区与相同导电类型半导体体接触区在工艺制备上同时完成，无需增加掩膜板和附加的工艺步骤，工艺简单，成本低廉。
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