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发明公开
一种基于多点成核的快速、无污染制备外延硅片的方法审中-实审

公开(公告)号：CN118516761A

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN202410395660.8

申请日：2024-04-02

Applicant: 南京邮电大学 , 镇江南京邮电大学研究院 , 江苏晶菲尔德半导体科技有限公司

Inventor： 王静 , 纪升奥 , 刘上

IPC: C30B29/06 , C30B23/02 , C30B23/00

Abstract: 本发明属于薄膜材料制备的领域，本发明公开了一种基于多点成核的快速、无污染制备外延硅片的方法，根据新发现的多点成核、单一取向结晶的原理，采用磁控溅射设备在各取向的硅衬底上生成致密、单一取向的单晶硅薄膜。本发明的优点在于：工艺简单、成本低、效率高、安全无污染、薄膜均匀致密。通过本发明制备的薄膜具有缺陷少、界面性能优、耐高温、耐腐蚀、平整度高的特点，可广泛用于集成电路、光伏、生物医疗，航天航空，传感电路等领域。

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