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公开(公告)号：CN110263588B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN201910667328.1
申请日：2019-07-23
Applicant: 南方电网科学研究院有限责任公司 , 中国南方电网有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种物理不可克隆函数电路，包括至少两个串联光刻蚀结构和运算放大器，串联光刻蚀结构包括相互串联的第一光刻蚀结构和第二光刻蚀结构，第一光刻蚀结构与第二光刻蚀结构之间形成有连接点，运算放大器的两个输入端分别与两个串联光刻蚀结构的连接点连接。第一光刻蚀结构具体通过第一预设版图光刻蚀而成，第一预设版图的第一遮蔽图形包括第一遮蔽指，第二光刻蚀结构具体通过第二预设版图光刻蚀而成，第二预设版图的第三遮蔽图形包括第二遮蔽指。上述物理不可克隆函数电路仅由串联光刻蚀结构和运算放大器构成，其结构非常简单。本发明还提供了一种物理不可克隆函数电路的制备方法及一种集成电路，同样具有上述有益效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110277372A
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201910667327.7
申请日：2019-07-23
Applicant: 南方电网科学研究院有限责任公司 , 中国南方电网有限责任公司
IPC: H01L23/544 , H01L21/027 , G03F7/00 , G03F1/80
Abstract: 本发明公开了一种集成电路光刻蚀结构，包括第一导体和第二导体，第一导体与第二导体均通过预设版图光刻蚀而成；预设版图包括对应第一导体的第一遮蔽图形，以及对应第二导体的第二遮蔽图形；第一遮蔽图形包括至少一个沿预设方向延伸的遮蔽指。在光刻蚀工艺中由于光学邻近效应会使得版图中的拐角处发生畸变，由于受制备工艺中随机扰动的影响，该畸变具有较强的随机性，使得集成电路光刻蚀结构的寄生电容值也不相同。该集成电路光刻蚀结构可以较好的捕获集成电路生产过程中的工艺随机扰动，可用于生成集成电路的标识信息；使用该集成电路光刻蚀结构的制作成本很低。本发明还提供了一种制备方法及一种集成电路，同样具有上述有益效果。
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公开(公告)号：CN110263588A
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201910667328.1
申请日：2019-07-23
Applicant: 南方电网科学研究院有限责任公司 , 中国南方电网有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种物理不可克隆函数电路，包括至少两个串联光刻蚀结构和运算放大器，串联光刻蚀结构包括相互串联的第一光刻蚀结构和第二光刻蚀结构，第一光刻蚀结构与第二光刻蚀结构之间形成有连接点，运算放大器的两个输入端分别与两个串联光刻蚀结构的连接点连接。第一光刻蚀结构具体通过第一预设版图光刻蚀而成，第一预设版图的第一遮蔽图形包括第一遮蔽指，第二光刻蚀结构具体通过第二预设版图光刻蚀而成，第二预设版图的第三遮蔽图形包括第二遮蔽指。上述物理不可克隆函数电路仅由串联光刻蚀结构和运算放大器构成，其结构非常简单。本发明还提供了一种物理不可克隆函数电路的制备方法及一种集成电路，同样具有上述有益效果。
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公开(公告)号：CN110277372B
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN201910667327.7
申请日：2019-07-23
Applicant: 南方电网科学研究院有限责任公司 , 中国南方电网有限责任公司
IPC: H01L23/544 , H01L21/027 , G03F7/00 , G03F1/80
Abstract: 本发明公开了一种集成电路光刻蚀结构，包括第一导体和第二导体，第一导体与第二导体均通过预设版图光刻蚀而成；预设版图包括对应第一导体的第一遮蔽图形，以及对应第二导体的第二遮蔽图形；第一遮蔽图形包括至少一个沿预设方向延伸的遮蔽指。在光刻蚀工艺中由于光学邻近效应会使得版图中的拐角处发生畸变，由于受制备工艺中随机扰动的影响，该畸变具有较强的随机性，使得集成电路光刻蚀结构的寄生电容值也不相同。该集成电路光刻蚀结构可以较好的捕获集成电路生产过程中的工艺随机扰动，可用于生成集成电路的标识信息；使用该集成电路光刻蚀结构的制作成本很低。本发明还提供了一种制备方法及一种集成电路，同样具有上述有益效果。
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公开(公告)号：CN209821833U
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201921169078.0
申请日：2019-07-23
Applicant: 南方电网科学研究院有限责任公司 , 中国南方电网有限责任公司
Abstract: 本实用新型公开了一种物理不可克隆函数电路，包括至少两个串联光刻蚀结构和运算放大器，串联光刻蚀结构包括相互串联的第一光刻蚀结构和第二光刻蚀结构，第一光刻蚀结构与第二光刻蚀结构之间形成有连接点，运算放大器的两个输入端分别与两个串联光刻蚀结构的连接点连接。第一光刻蚀结构具体通过第一预设版图光刻蚀而成，第一预设版图的第一遮蔽图形包括第一遮蔽指，第二光刻蚀结构具体通过第二预设版图光刻蚀而成，第二预设版图的第三遮蔽图形包括第二遮蔽指。上述物理不可克隆函数电路仅由串联光刻蚀结构和运算放大器构成，其结构非常简单。本实用新型还提供了一种集成电路，同样具有上述有益效果。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN210073834U
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201921169734.7
申请日：2019-07-23
Applicant: 南方电网科学研究院有限责任公司 , 中国南方电网有限责任公司
IPC: H01L23/544 , H01L21/027 , G03F7/00 , G03F1/80
Abstract: 本实用新型公开了一种集成电路光刻蚀结构，包括第一导体和第二导体，第一导体与第二导体均通过预设版图光刻蚀而成；预设版图包括对应第一导体的第一遮蔽图形，以及对应第二导体的第二遮蔽图形；第一遮蔽图形包括至少一个沿预设方向延伸的遮蔽指。在光刻蚀工艺中由于光学邻近效应会使得版图中的拐角处发生畸变，由于受制备工艺中随机扰动的影响，该畸变具有较强的随机性，使得集成电路光刻蚀结构的寄生电容值也不相同。该集成电路光刻蚀结构可以较好的捕获集成电路生产过程中的工艺随机扰动，可用于生成集成电路的标识信息；使用该集成电路光刻蚀结构的制作成本很低。本实用新型还提供了一种制备方法及一种集成电路，同样具有上述有益效果。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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