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公开(公告)号：CN118472128A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410695961.2
申请日：2024-05-31
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
Abstract: 本发明公开了一种垂直结构Micro‑LED发光模组及其制备方法，包括：在硅衬底GaN基外延层上制备第一反射电极层和金属掩膜层；刻蚀获得金属掩膜层阵列和第一反射电极层阵列；刻蚀制备出完全独立的Micro‑LED像素单元和牺牲层阵列；侧壁制备侧壁钝化层，在侧壁钝化层的间隙填充第一隔离层，在金属掩膜层阵列的表面制备第一键合金属层阵列；在驱动电路基板的表面制备第二键合金属层阵列，并在阵列间隙填充第二隔离层；第一键合金属层阵列与第二键合金属层阵列键合；去除硅衬底和牺牲层阵列，并在第二电极接触层阵列和第一隔离层的表面制备第二电极层，最终获得Micro‑LED发光模组。本发明的制备方法能够简化垂直结构Micro‑LED发光模组制备工艺流程，提高生产效率，有利于实际生产及应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118782696A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410931016.8
申请日：2024-07-12
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
Abstract: 本申请提供了一种基于硅衬底GaN基外延片制备Micro LED微显示模组的方法。所述方法包括：在硅衬底GaN基外延片上获得GaN阵列，在GaN阵列上制备金属凸点点阵，像素区以外制作四周环状金属，在金属凸点点阵的间隙，及四周环状金属以外的区域制备第一特种光刻胶层，制成硅衬底GaN基Micro LED芯片；在CMOS驱动基板上制备像素区金属凸点点阵，像素区以外的区域覆盖金属，在像素区金属凸点点阵的间隙制备第二特种光刻胶层；硅衬底GaN基Micro LED芯片与CMOS驱动基板对准键合；湿法去除芯片端的硅衬底；制备CMOS驱动基板的焊盘，制成Micro LED微显示模组。本发明采用湿法去除GaN基Micro LED芯片的硅衬底，保护CMOS驱动基板不受酸腐蚀液侵蚀，成本低，腐蚀速度快，可批量操作。
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公开(公告)号：CN116207190A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202211619675.5
申请日：2022-12-16
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种AlN薄膜保护硅衬底Micro‑LED阵列键合转移的方法，所述Micro‑LED阵列表面有一层保护层AlN薄膜，在Micro‑LED阵列与驱动基板键合转移以及去除硅衬底的过程中，保护驱动基板不被破坏。本发明具有如下特点：1、AlN薄膜能起到很好的选择保护的效果；2、作为保护层的AlN薄膜能完全填充Micro‑LED阵列之间的间隙，能最大程度上实现对驱动基板表面的键合金属层及金属焊盘的保护，在干法刻蚀去除硅衬底的过程中可以很好地避免和减少刻蚀产物的附着积累，从而为后续Micro‑LED多次键合转移提供一个比较干净的键合金属表面；3、由于对驱动基板未邦定的区域具有很好的选择保护效果，如果在Micro‑LED阵列上留有足够的间隙，允许进行多次键合，从而能制备双色甚至多色全彩的器件。
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公开(公告)号：CN110813277A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201911036296.1
申请日：2019-10-29
Applicant: 南昌大学
IPC: B01J23/30 , C02F1/30 , C02F1/32 , C02F101/30
Abstract: 本发明涉及半导体光催化剂制备技术领域，具体公开了一种光热协同增强全光谱响应异质结构光催化剂及其制备。该催化剂的化学组成式为K0.2MxWO3，其中M＝Li或Na，0.3≤x≤0.4，并含有钾钨青铜K0.2WO3相、碱金属钨酸盐Li2W2O7相或Na2W2O7相构成的异质结构。其制备方法包括：S1计算与称量；S2制备三氧化钨前驱体；S3制备钾钨青铜K0.2WO3；S4制备异质结构光催化剂K0.2MxWO3等步骤。该催化剂能大幅度提高光催化剂催化效率，在处理有机染料水污染方面具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN118280818A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410410912.X
申请日：2024-04-08
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
IPC: H01L21/033 , H01L21/027 , H01L21/3065
Abstract: 本申请提供了一种复合掩膜刻蚀Si基GaN图形阵列结构的方法，涉及半导体器件制造领域。该复合掩膜刻蚀Si基GaN图形阵列结构的方法具体包括制备：提供Si基GaN外延片，在Si基GaN外延片上进行光刻，在待刻蚀区域表面形成光刻胶层；在所述光刻胶层和非刻蚀GaN窗口区域的表面制备复合掩膜层，复合掩膜层的层与层之间直接接触，制备过程连续；光刻后留下非刻蚀GaN窗口区域表面的复合掩膜层，利用所述复合掩膜层保护非刻蚀区域，将待刻蚀区域的GaN外延片刻蚀到指定深度获得Si基GaN图形阵列结构。本发明能够解决保持刻蚀深度的同时，控制掩膜厚度尽可能薄，提高掩膜图案精度。在刻蚀多种材料时无需要换用不同掩膜，从而减小刻蚀工艺难度及其复杂性，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN110813277B
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN201911036296.1
申请日：2019-10-29
Applicant: 南昌大学
IPC: B01J23/30 , C02F1/30 , C02F1/32 , C02F101/30
Abstract: 本发明涉及半导体光催化剂制备技术领域，具体公开了一种光热协同增强全光谱响应异质结构光催化剂及其制备。该催化剂的化学组成式为K0.2MxWO3，其中M＝Li或Na，0.3≤x≤0.4，并含有钾钨青铜K0.2WO3相、碱金属钨酸盐Li2W2O7相或Na2W2O7相构成的异质结构。其制备方法包括：S1计算与称量；S2制备三氧化钨前驱体；S3制备钾钨青铜K0.2WO3；S4制备异质结构光催化剂K0.2MxWO3等步骤。该催化剂能大幅度提高光催化剂催化效率，在处理有机染料水污染方面具有广阔的应用前景。
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