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公开(公告)号：CN115043374B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202210547989.2
申请日：2022-05-18
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于电场作用的液滴成型法微纳复合结构制备方法，首先通过电场作用诱导电晕放电的离子风作用得到第一聚合物微液滴阵列，然后通过电荷注入复合作用的主动制冷蒸气凝结法在第一聚合物微液滴阵列表面上凝结自组装得到第二纳液滴阵列，接着引入第二聚合物，最后固化第一或第二聚合物，得到第一微结构阵列，由于第二纳液滴阵列压印作用，在第一微结构阵列表面得到与第二纳液滴阵列对应的曲面第二纳结构阵列，从而获得微纳复合结构阵列。本发明采用电场作用的微纳复合液滴成型实现微纳复合结构阵列，通过微纳复合液滴成型工艺参数调节实现微纳复合结构形貌参数的灵活调控，本发明技术方案具有工艺简单、成本低和形貌参数灵活可控的优点。
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公开(公告)号：CN114388675B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202111568088.3
申请日：2021-12-21
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种GaN基微型LED芯片及其制备方法，所述LED芯片从下至上依次包括：基板、键合金属层、P型电极层、介质层、P型半导体层、有源层、N型半导体层、N型电极层。所述LED芯片的径向尺寸在40μm以下。在所述介质层上设有若干小孔，P型电极层通过小孔与P型半导体层接触。通过调整介质层表面的小孔边缘到台面边缘的距离，结合芯片边缘区域设置的电隔离区域，本发明能够实现高光反射率，且可以调制电流扩展长度，限制电流部分远离表面缺陷，减弱载流子在侧壁面产生非辐射复合，最终可以提高微型LED芯片的电光转换效率。
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公开(公告)号：CN117111420A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202311099718.6
申请日：2023-08-30
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于制备金属凸点的双层正性光刻胶剥离方法：S1，外延片清洗；S2，在外延片上旋涂底层的第一类型正性光刻胶；S3，软烘，对第一类型正性光刻胶进行固化；S4，在第一类型正性光刻胶表面旋涂顶层的第二类型正性光刻胶；S5，软烘，对第二类型正性光刻胶进行固化；S6，曝光，使用光刻机对双层光刻胶进行曝光；S7，后烘焙；S8，显影，使用碱性显影液对双层光刻胶进行显影；S9，金属沉积，使用金属沉积设备沉积金属膜；S10，使用光刻胶剥离液对双层光刻胶进行剥离；S11，在外延片表面制备得到金属凸点。本发明通过双层正性光刻胶实现Lift‑off工艺，解决了Micro‑LED微显示器件中小尺寸金属凸点难以制备的问题，可实现间距小且厚度高的金属凸点制备。
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公开(公告)号：CN116465844A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310438492.1
申请日：2023-04-21
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC: G01N21/31
Abstract: 本发明公开了一种测量量子阱材料吸收系数的方法，该方法包括：（1）在衬底上生长含量子阱结构的外延层；（2）获得量子阱层的总厚度；（3）将外延片制备成样品，并获得样品中外延层的上、下界面的反射率；（4）测试得到量子阱结构内产生的光生载流子被100%收集时的外量子效率曲线，根据外量子效率曲线，分析剥离出仅为量子阱结构光响应的内量子效率曲线；（5）求解吸收系数与内量子效率、反射率、量子阱层的总厚度的关系式得到吸收系数。本方法为获得量子阱材料的吸收系数提供了途径，具有简单实用、对衬底材料无要求、准确度高等优点，避免了传统椭偏法不适用于测量量子阱结构和透射法要求衬底透明的缺点，对于器件设计具有重要意义。
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公开(公告)号：CN116404074A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310235069.1
申请日：2023-03-13
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种高光效单面低面积比例出光的微型LED芯片制备方法，对于单面出光且出光面积比例小于80%的微型LED芯片，在制备方法上，在衬底上先生长过渡层，进而获得晶体质量较好的第一半导体层、有源层、第二半导体层，这样能提升材料质量和器件的内量子效率；另外，在LED初始外延与永久基板完成键合并去除衬底后，去除过渡层、部分第一半导体层获得的效果，一是在外延被减薄后，LED芯片的纵向尺寸减小，横向尺寸不变，增大了LED芯片正向的出光角，而又由于LED芯片的侧壁存在挡光的第一电极层，在侧壁出光占比减小的情况下，LED芯片的正向出光性得到了提升，二是减少了这些部分对发射光的吸收；最终，结合粗化表面，能大幅度提升LED芯片的光提取效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116314481A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310130572.0
申请日：2023-02-17
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种RGB三色集成的Mini‑LED芯片及其制造方法、显示面板，该RGB三色集成的Mini‑LED芯片的制造方法包括刻蚀外延片获得分别含RGB三色的Mini‑LED阵列的外延片，在Mini‑LED阵列上制备P型反射电极层和第一粘结层，通过键合的方式依次将三种颜色的Mini‑LED阵列转移至支撑基板，沉积绝缘材料钝化侧壁并蒸发形成N型电极。本发明通过刻蚀一定厚度的硅衬底，在键合转移过程中，后转移的Mini‑LED阵列的硅衬底不会接触到已经转移的Mini‑LED阵列，实现大量Mini‑LED芯片的精准转移，有效解决键合转移过程中的对位精度和转移效率的问题。且在芯片制造过程中即可实现单个像素中RGB三色Mini‑LED芯片的集成，可简化后续的封装工艺，制程简单，降低了Mini‑LED的制造成本。
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公开(公告)号：CN115084333A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210504290.8
申请日：2022-05-10
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种倒装式GaN基Micro‑LED显示模组及其制备方法，GaN基Micro‑LED显示模组包括GaN基R/G/B Micro‑LED芯片阵列和电路基板；其中，在电路基板上设有一系列相互垂直但不相交叉的正电极条和负电极条；然后分三次将不同颜色的GaN基Micro‑LED芯片集成到电路基板上，每次集成后去除Micro‑LED芯片的衬底。本发明通过设计特殊的Micro‑LED芯片结构和与其配套的电路基板，有效地解决了采用被动式寻址的Micro‑LED显示器件中金属电极交叉处因钝化困难而造成发光芯片漏电、串色的问题。
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公开(公告)号：CN114855270A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210423243.0
申请日：2022-04-21
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC: C30B25/12 , C30B25/16 , C30B25/18 , C30B29/40 , C23C14/02 , C23C14/18 , C23C14/32 , C23C14/50 , C23C14/54 , C23C14/58
Abstract: 本发明为一种类分子束外延设备，包括：反应腔体、束源炉、加热装置、气体离化装置、样品台装置、真空系统；其中，气体离化装置为电容耦合等离子源；气体离化装置包括上极板和下极板，其中一极板与外部射频源连接，另一极板接地；束源炉具有金属蒸发区；上极板和下极板之间具有等离子体产生区；金属蒸发区与等离子体产生区在空间上相分离。
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公开(公告)号：CN114844564A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210262654.6
申请日：2022-03-17
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC: H04B10/116 , H04B10/516
Abstract: 本发明公开了一种多基色LED可见光通信光源的调制方法，包括以下步骤：首先，发射端对各单基色的LED输出随机独立的二进制传输数据流，编码模块对二进制传输数据流中的每一位数据进行扩码，将一位数据扩为两位不同的数据，生成新的调制编码。然后，新调制编码加载于多个基色的LED上进行调制，产生多路并行的光信号，光信号经光电转换模块转换为电信号。最后，接收端将所接收的电信号经解调模块解调，输出解调信号，译码模块对解调信号译码，译码按原扩码方式进行反向还原，获得原始二进制传输数据流，输出新的译码。本发明简单易实现，使得单独电路控制的多基色LED合成的白光光源发光颜色亮度趋于稳定，在通信的同时其照明质量能得到有效的保障。
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公开(公告)号：CN119816042A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411854576.4
申请日：2024-12-17
Applicant: 南昌大学 , 南昌实验室 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC: H10H29/01 , H10H20/813 , H10H20/812 , H10H20/831 , H10H29/34
Abstract: 本发明提供一种微型LED多色芯片及其制备方法，通过在同一衬底上集成红、绿、蓝三种颜色的发光单元，可以避免将不同颜色的芯片分多次转移至驱动电路基板，简化了转移工艺的复杂性，同时提高了生产效率，并且便于制备小尺寸的全彩像素，有利于提高LED显示屏的分辨率。在芯片阵列制备时通过选择性刻蚀分别露出全彩像素的每个发光单元的阳极接触面和阴极接触面，然后将每个全彩像素的每个发光单元的阴极接触面通过金属粘结叠层形成共阴连接，降低了布线和集成工艺的难度，易于将本发明直接应用于规模生产。
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