公开(公告)号：CN118053933A

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202410273817.X

申请日：2024-03-11

Applicant: 南昌大学 ,  南昌硅基半导体科技有限公司 ,  南昌实验室

Inventor： 王小兰 ,  刘梦宇 ,  张建立 ,  杨小霞

IPC: H01L31/12 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0304 ,  H01L33/00 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明涉及半导体器件，具体涉及具有光探测与发光双功能的光电器件及其制备方法。所述具有光探测与发光双功能的光电器件包括依次层叠的以下各层：N型GaN层；光吸收层，所述光吸收层为Si掺杂的InxGa1‑xN/GaN超晶格，其中0.01≤x≤0.16；发光层，所述发光层为Si掺杂的InyGa1‑yN/GaN量子阱，其中0.16≤y≤0.4；P型AlGaN层；以及P型GaN层。

公开(公告)号：CN118473525A

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202410600856.6

申请日：2024-05-15

Applicant: 南昌大学 ,  南昌硅基半导体科技有限公司 ,  南昌实验室

Inventor： 王小兰 ,  龙建玺 ,  张建立 ,  刘梦宇 ,  高江东 ,  杨小霞 ,  李丹 ,  潘拴

IPC: H04B10/116

Abstract: 本发明公开了一种可见光通信系统，包括：发射端，用于发射光信号；发射端电源，用于向发射端提供脉冲信号；接收端，用于接收发射端发射的光信号；接收端电源，用于向接收端提供正向电流；电压表，用于测量接收端的电压响应值；所述发射端和接收端为LED，所述发射端的LED主波长小于所述接收端的LED主波长。本发明的可见光通信系统支持信号接收端正常的照明显示功能，不需要专门的探测器，使用LED即可实现对光信号的探测，节约成本；对于双向可见光通信而言，不需要单刀双掷开关或额外的一套发射器和探测器，增大了通信速率和降低了系统成本。

公开(公告)号：CN118782592A

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202410108848.X

申请日：2024-01-26

Applicant: 南昌大学 ,  南昌硅基半导体科技有限公司 ,  南昌实验室

Inventor： 王小兰 ,  刘梦宇 ,  张建立 ,  郭醒 ,  杨小霞

IPC: H01L25/04 ,  H01L31/02

Abstract: 本发明公开了一种可见光通信用的TO型封装阵列式光电探测器，阵列式光电探测器的芯片是由所有的单元芯片通过预设的电极线以并联的方式汇聚在公共的N型触点上，单元芯片以阵列形式分布在阵列式光电探测器的基底上，单元芯片的外延层为N‑GaN、InGaN/GaN量子阱、P‑GaN、互补电极、金属反射镜、钝化层、N电极和硅衬底；所述阵列式光电探测器为TO型封装结构，该结构包括TO管座、2个与TO管座径向相平行的圆孔形状的接地引脚和导通引脚以及玻璃镜片光窗尺寸可调的TO管帽，接地引脚和N型触点之间通过金丝键合线相连接。阵列式光电探测器芯片结合TO型封装能够有效提高光电探测器的性能，并且保障信号在进行光电转换时尽可能减小干扰，提高可见光通信的通信速率。

公开(公告)号：CN116364800A

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202310083226.1

申请日：2023-02-08

Applicant: 南昌大学 ,  南昌硅基半导体科技有限公司

Inventor： 王小兰 ,  刘梦宇 ,  张建立 ,  高江东 ,  郑畅达 ,  莫春兰 ,  潘拴 ,  江风益

IPC: H01L31/109 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0304

Abstract: 本发明公开了一种兼具响应度和响应速度的InGaN可见光探测器外延结构，生长全过程是在MOCVD设备中进行的，外延结构包括衬底、依次形成于衬底之上的缓冲层、n型GaN层、V形坑开启层、InGaN/GaN量子阱层、p型AlxGa1‑xN层和p型GaN层；其中，在V形坑开启层沿着位错线开启V形坑，V形坑包含平台和侧壁，InGaN/GaN量子阱层在V形坑侧壁的In组分小于平台。InGaN量子阱层在V形坑侧壁的厚度相比平台更薄，可以缩短光生载流子的传输距离，并且光生载流子在V形坑的有源区中更容易分离，可以加快光生载流子离开有源区的速度，从而达到提高响应速度的目的，同时，V形坑的存在使得耗尽层加厚，增加了对光的有效吸收和光生载流子的收集效率，光电流增大，进而提高响应度。