一种基于二氧化钒的温控可调太赫兹吸收开关

    公开(公告)号:CN119270532A

    公开(公告)日:2025-01-07

    申请号:CN202411667579.7

    申请日:2024-11-21

    Abstract: 本发明公开了一种基于温控相变材料二氧化钒薄膜电导率可调的太赫兹波开关器件。其特征在于,包括自下而上依次叠接的金反射层、二氧化硅耗尽层和二氧化钒图案层。耗尽层会导致入射电磁波的损失。反射层将入射的电磁波反射到耗尽层。金属激发的SPP会引起周围电磁场的局部增强。二氧化钒图案设计的引入使局部电场增强效应,从而增强吸收器的吸收率。这种开关装置具有体积小、响应快、制备过程简单,可大规模生产的特点,通过调整温度快速实现开关功能。

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