公开(公告)号：CN119855259A

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202411790055.7

申请日：2024-12-06

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 卫家奇 ,  郑婉华 ,  曹澎 ,  彭红玲 ,  宋春旭

IPC: H10F30/225 ,  H10F30/29 ,  H10F71/00 ,  H10F77/124 ,  H10F77/12

Abstract: 本发明提供一种雪崩光电探测器及其制备方法，涉及光电探测器和光电子材料技术领域，该雪崩光电探测器自下而上依次包括：InP衬底、第一欧姆接触层、缓冲层、倍增层、电荷控制层、渐变层、吸收层、第二欧姆接触层以及包层；其中，倍增层采用AlGaAsSb制成；渐变层采用Al组分渐变、In的组分保持不变的InxAlyGa1‑x‑yAs制成；吸收层采用多组周期交替层叠生长的InxGa1‑xAs和GaAsySb1‑y制成。本发明可以实现拓展波长的短波红外探测和较高的信噪比，并有效减少带隙差异引起的载流子捕获，减少界面处的晶格应变，从而降低缺陷密度，优化载流子从吸收层到倍增层的注入效率，因而提高器件性能。

公开(公告)号：CN119836036A

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202411960455.8

申请日：2024-12-30

Applicant: 天津蓝天太阳科技有限公司

Inventor： 郭宏亮 ,  张宝 ,  马长金 ,  万荣华 ,  高伟 ,  刘长喜

IPC: H10F71/00 ,  H10F77/16 ,  H10F77/124 ,  H10F77/30 ,  H10F10/10

Abstract: 本发明公开了一种外延速率调制的薄层扭转的应变调控结构及其制备方法，包括以下步骤：在应变调控层的生长初期，MOCVD的温度调控为t1，V/III为调控为n1；在应变调控层的生长后期，MOCVD的温度调控为t2，V/III为调控为n2；其中t1比t2高5～25℃，n2为n1的1.5～5倍，V/III为V族源的通量和III族源的通量的比。所述应变调控结构比传统多层渐变缓冲层结构更薄、更高效率实现晶格渐变，得到太阳电池的位错密度更低，同时也缩短了外延工艺时间。

公开(公告)号：CN119403251B

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202411976907.1

申请日：2024-12-31

Applicant: 清华大学

Inventor： 叶敏杰 ,  陈少敏 ,  刘泽文

IPC: H10F30/295 ,  G01T1/24 ,  H10F77/124 ,  H10F77/20 ,  H10F71/00

Abstract: 本申请提供了一种高性能垂直GaN基α粒子探测器及其制备方法，包括层叠设置的第二接触电极、GaN衬底、GaN外延层、第一接触电极、保护环和钝化层。通过将GaN衬底设置为重Si掺杂GaN衬底，GaN外延层设置为轻Si掺杂GaN外延层，以及将第一接触电极的厚度进行优化设计，并设计保护环，以提升α粒子探测器在灵敏度、电荷收集效率、能量分辨率、响应速度及长期可靠性等方面的关键性能指标，为高性能GaN基α粒子探测器的实际应用提供了可靠的技术支持和广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN119653925A

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202411814027.4

申请日：2024-12-11

Applicant: 南昌工学院 ,  江西五十铃汽车有限公司

Inventor： 朱君 ,  邓建明 ,  林孙龙 ,  余子贵

IPC: H10F77/30 ,  H10F77/20 ,  H10F77/124 ,  H10F77/48 ,  H10F10/163

Abstract: 本发明公开了一种基于光子晶体和ITO/Ag/ITO透明电极的高效超薄GaAs太阳能电池，其特征在于，底层为Al基底，第二层为AlGaAs光子晶体,其结构为四方晶格，晶格常数为a，圆柱的半径为R，厚度为h，被SiO2包裹，第三层用Al0.3Ga0.7As作为电子传输层，第四层为GaAs吸收层，第五层用Al0.75Ga0.25As作为空穴传输层，顶层为SiO2和ITO/Ag/ITO透明电极。这种结构的太阳能电池具有体积小、光吸收和光电转化效率高的特点。

公开(公告)号：CN119545969A

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202311058129.3

申请日：2023-08-22

Applicant: 郑州大学

Inventor： 史志锋 ,  马敬丽 ,  张梦瑶 ,  顿聪慧

IPC: H10F77/12 ,  H10F77/124 ,  H10F30/222 ,  H10F71/00

Abstract: 本发明提供了一种自供电紫外双波段光电探测器及其制备方法，在GaN层上沉积Cs3BiCl6层，且GaN与Cs3BiCl6层形成异质结，在未被Cs3BiCl6层覆盖的GaN层上沉积第二接触电极，在Cs3BiCl6层上沉积第一接触电极。本发明利用Cs3BiCl6层丰富的表面缺陷态复合光生载流子以实现对200–250纳米和330–350纳米波段光的“过滤”，并与吸收截止边为375纳米的GaN相结合，实现了对250–330纳米和350–375纳米的双波段光探测；借助Cs3BiCl6与GaN构建的内建电场实现了在零偏压下光生载流子的快速分离和传输，从而制备出高性能无滤光片的自供电紫外双波段光电探测器。

公开(公告)号：CN118226497B

公开(公告)日：2025-02-21

申请号：CN202410263066.3

申请日：2024-03-08

Applicant: 奕瑞新材料科技(太仓)有限公司

Inventor： 梅云俭 ,  孙磊 ,  王伟 ,  刘柱

IPC: G01T1/20 ,  G01T1/24 ,  H10F77/124 ,  H10F30/29

Abstract: 本发明属于辐射探测技术领域，具体涉及一种双PN结X射线辐照闪烁体探测器。本发明提供的探测器包括依次连接的第一PN结、隧道结、第二PN结，在第一PN结端部设有闪烁体和P型电极，在第二PN结端部设有N型电极；闪烁体为钨酸镉闪烁体，第一PN结是InGaP基材料的PN结，第二PN结是GaAs基材料的PN结。本发明的探测器具有光利用率高、发热少、高温稳定性强等优势，尤其适于太空探索等极端环境下使用。

公开(公告)号：CN119403284A

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202411491791.2

申请日：2024-10-24

Applicant: 环晟光伏(江苏)有限公司

Inventor： 陈曙鑫 ,  明伟辉 ,  叶文兰 ,  王丹萍

IPC: H10F77/124 ,  H10F77/12 ,  H10F77/14 ,  H10F10/14 ,  H10F71/00

Abstract: 本发明提供了一种含窗口层的双面Poly太阳能电池及其制备方法，涉及光伏电池技术领域。所述含窗口层的双面Poly太阳能电池包括P型硅基体；且所述P型硅基体的正面包括依次层叠的正面隧穿氧化层、N型多晶硅层和正面减反射层；其中，所述N型多晶硅层和正面减反射层之间设置有窗口层，且所述窗口层为AlGaAs膜。本发明通过设置AlGaAs膜作为窗口层，增加了Poly太阳能电池对高能光子吸收效果，降低热载流子效应，从而有效地提升了双面Poly太阳能电池的效率。

公开(公告)号：CN115513328B

公开(公告)日：2025-01-28

申请号：CN202211328205.3

申请日：2022-10-27

Applicant: 中科爱毕赛思(常州)光电科技有限公司

Inventor： 徐志成 ,  李光昊

IPC: H10F30/222 ,  H10F77/124 ,  H10F77/14 ,  H10F71/00 ,  H10F77/20

Abstract: 本发明提供一种具有改良势垒的高温红外探测器，包括：在衬底上依次外延生长的缓冲层、第一N型欧姆接触层，N型长波吸收层、改良超晶格势垒层、第二N型欧姆接触层；改良超晶格势垒层覆盖了N型长波吸收层和第二N型欧姆接触层所形成的异质结的空间电荷区。本发明公开的结构通过器件结构的设计实现了可在高温下保持较低暗电流水平的红外探测器，结构简单；通过改良超晶格势垒层的设计和优化，大幅度抑制了器件中的产生‑复合暗电流和隧穿暗电流的同时，提高了探测器的量子效率。本发明还提供一种具有改良势垒的高温红外探测器的制作方法。

公开(公告)号：CN119907317A

公开(公告)日：2025-04-29

申请号：CN202510037301.X

申请日：2025-01-09

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 郝宏玥 ,  牛智川 ,  张世豪 ,  徐应强 ,  吴东海 ,  王国伟 ,  蒋洞微 ,  倪海桥 ,  苏向斌 ,  王硕

IPC: H10F30/21 ,  H10F71/00 ,  H10F77/14 ,  H10F77/124 ,  H10F77/20 ,  H10F77/30

Abstract: 本发明涉及红外光电材料与器件技术领域，尤其涉及一种基于磷化铟衬底的短波双波段红外探测器及其制备方法，以N型掺杂磷化铟衬底作为器件的基础，在N型掺杂磷化铟衬底上依次生长磷化铟吸收层、第一P型接触层、第二P型接触层、短波红外超晶格吸收层、N型接触层。金属下电极与N型掺杂磷化铟衬底接触，金属上电极N型接触层接触，其中心有通光孔。本发明通过利用N型掺杂磷化铟衬底自身的带隙特性来参与光谱吸收，转化为电信号进行探测，同时采用背靠背二极管结构，可以通过调节偏压实现对短波双波段红外的不同响应，由于N型掺杂磷化铟衬底参与了光吸收，因此不需要像传统方法那样去掉衬底，外延结构简单，降低了制作成本并简化了工艺流程。

公开(公告)号：CN119894153A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202510223166.8

申请日：2025-02-27

Applicant: 扬州乾照光电有限公司

Inventor： 吴真龙

IPC: H10F77/12 ,  H10F77/124 ,  H10F77/20 ,  H10F10/142 ,  H10F71/00

Abstract: 本申请公开了一种多结太阳能电池结构及其制备方法，涉及太阳能电池技术领域，该多结太阳能电池结构包括第一衬底和位于第一衬底一侧沿背离第一衬底的方向层叠的第一欧姆接触层、多个子电池以及第二欧姆接触层，第二欧姆接触层包括沿背离第一衬底的方向层叠的第一子层和第二子层，第一子层为含In的材料层，第二子层为GaAs层或GaAsSb层，即在含In的第一子层上还覆盖有不含In的GaAs层或GaAsSb层作为第二子层，减少或避免含In的第一子层向反应腔室挥发In原子，减少反应腔室中的驻留In原子，减小驻留In原子对反应腔室的污染和影响，提高多结太阳能电池结构的制备良率，且第二子层可以和金属电极形成良好的欧姆接触。