公开(公告)号：CN116251962B

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN202310385579.7

申请日：2023-04-12

Applicant: 南昌航空大学

Inventor： 陈玉华 ,  张体明 ,  胡锦扬 ,  王善林 ,  臧义虎 ,  尹立孟

IPC: B22F10/22 ,  B22F12/00 ,  B22F12/50 ,  B33Y10/00 ,  B33Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  B22F3/00

Abstract: 本发明公开了一种非晶/纳米晶材料的制造方法及其制造装置，涉及增材制造技术领域。本发明包括如下步骤：S1、原料通过送料机构移送；S2、脉冲电源使原料在电火花或短电弧的作用下产生金属熔滴；S3、金属熔滴在传输介质的作用下被移送到飞板下方；S4、飞板上的电磁脉冲线圈产生磁场力驱动飞板将金属熔滴撞击到基板表面形成致密的非晶/纳米晶材料；S5、重复S1～S4。本发明利用脉冲电源使原料在电火花或短电弧的作用下产生金属熔滴，并在传输介质的作用下移动至飞板下方，飞板上的电磁脉冲线圈产生磁场力驱动飞板将金属熔滴高速撞击到基板表面形成致密的非晶/纳米晶材料。

公开(公告)号：CN116251962A

公开(公告)日：2023-06-13

申请号：CN202310385579.7

申请日：2023-04-12

Applicant: 南昌航空大学

Inventor： 陈玉华 ,  张体明 ,  胡锦扬 ,  王善林 ,  臧义虎 ,  尹立孟

IPC: B22F10/22 ,  B22F12/00 ,  B22F12/50 ,  B33Y10/00 ,  B33Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  B22F3/00

Abstract: 本发明公开了一种非晶/纳米晶材料的制造方法及其制造装置，涉及增材制造技术领域。本发明包括如下步骤：S1、原料通过送料机构移送；S2、脉冲电源使原料在电火花或短电弧的作用下产生金属熔滴；S3、金属熔滴在传输介质的作用下被移送到飞板下方；S4、飞板上的电磁脉冲线圈产生磁场力驱动飞板将金属熔滴撞击到基板表面形成致密的非晶/纳米晶材料；S5、重复S1～S4。本发明利用脉冲电源使原料在电火花或短电弧的作用下产生金属熔滴，并在传输介质的作用下移动至飞板下方，飞板上的电磁脉冲线圈产生磁场力驱动飞板将金属熔滴高速撞击到基板表面形成致密的非晶/纳米晶材料。