-
公开(公告)号：CN113725179B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202110849509.3
申请日：2021-07-27
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种弹性子模组及模组化压接型半导体模块，弹性子模组包括：导电片、绝缘弹性件和导电板；导电片为折弯成具有若干凹槽的弯折状导电片，导电片通过其凹槽卡接在绝缘弹性件上端，绝缘弹性件的下端接导电板；模组化压接型半导体模块，包括模块集电极板、芯片子模组、模块发射极板和弹性子模组；芯片子模组包括芯片、集电极导体、发射极导体；模块集电极板、集电极导体、芯片、发射极导体、弹性子模组、模块发射极板从上至下依次连接。优点：通过将芯片模组化的形式，可进一步降低热阻，提高模块的功率密度及电流等级；将芯片子单元模组化还能够降低物料成本与减少加工工序。
-
公开(公告)号：CN112560318B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202011530910.2
申请日：2020-12-22
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: G06F30/23 , G06F30/28 , G06F30/367 , G06F113/08 , G06F119/14 , G06F119/08
Abstract: 本发明公开了一种不同工况下IGBT器件各物理层温度监测仿真方法，通过三维制图软件，建立IGBT器件的3D热仿真模型；将3D热仿真模型导入Icepak仿真软件，对3D热仿真模型进行瞬态CFD模拟计算；将CFD模拟计算结果作为Simplorer仿真软件的输入，创建降阶模型；使用Simplorer建立IGBT动态封装模型；基于封装模型在Simplorer中搭建单相PWM逆变电路拓扑模型，通过PWM控制所述拓扑模型，得到IGBT器件动态封装模型的电压和电流数据；将所述电压和电流数据输入降阶模型，得到IGBT、二极管的结温以及IGBT器件各物理层的温度随时间变化的曲线。本发明大大减少了仿真计算的时间。
-
公开(公告)号：CN112560318A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011530910.2
申请日：2020-12-22
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: G06F30/23 , G06F30/28 , G06F30/367 , G06F113/08 , G06F119/14 , G06F119/08
Abstract: 本发明公开了一种不同工况下IGBT器件各物理层温度监测仿真方法，通过三维制图软件，建立IGBT器件的3D热仿真模型；将3D热仿真模型导入Icepak仿真软件，对3D热仿真模型进行瞬态CFD模拟计算；将CFD模拟计算结果作为Simplorer仿真软件的输入，创建降阶模型；使用Simplorer建立IGBT动态封装模型；基于封装模型在Simplorer中搭建单相PWM逆变电路拓扑模型，通过PWM控制所述拓扑模型，得到IGBT器件动态封装模型的电压和电流数据；将所述电压和电流数据输入降阶模型，得到IGBT、二极管的结温以及IGBT器件各物理层的温度随时间变化的曲线。本发明大大减少了仿真计算的时间。
-
公开(公告)号：CN112234055B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202011260802.8
申请日：2020-11-12
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: H10D80/20
Abstract: 本发明公开了一种单开关IGBT模块的芯片布局结构，由三组IGBT芯片组构成；每组IGBT芯片组由8颗IGBT芯片和反并联的4颗续流二极管FRD芯片构成；所述每组IGBT芯片组均焊接在上下两个DBC衬板上；上下两个DBC衬板上，位于左上和右上位置的IGBT芯片的栅极位于IGBT芯片的下部中间位置；位于左下和右下位置的IGBT芯片的栅极位于IGBT芯片的上部中间位置；反并联的续流二极管FRD芯片位于同一个DBC衬板的上下两颗IGBT芯片之间。本发明结构中IGBT芯片的结温温升降低约2℃，芯片结温温升的降低，有利于芯片的长期稳定运行。
-
公开(公告)号：CN112951790A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110112529.2
申请日：2021-01-27
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: H01L23/495 , H01L23/49
Abstract: 本发明公开了一种半导体模块，包括模块集电极、模块发射极、子模组、子单元、导电承压体和导电片；所述子单元包括芯片、集电极导体、发射极导体，将芯片通过焊接、烧结或者压接的方式设在集电极导体和发射极导体之间；所述子模组包括承压限位框，承压限位框的腔体中设有若干个所述子单元；所述模块集电极与子单元的集电极导体连接，连接处位于所述承压限位框的腔体中；所述子单元的发射极导体底部连接导电承压体，导电承压体底部连接导电片，导电片底部在承压时与模块发射极连接，在未承压时与模块发射极电分离。优点：通过将芯片子单元模组化的形式，能够降低热阻，提高模块的功率密度及电流等级，降低物料成本与减少加工工序。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113013147B
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202110410365.1
申请日：2021-04-16
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
Abstract: 本发明公开了半导体器件封装技术领域的一种半导体模块，采用柔性压接，芯片受力均匀，抗压能力强。包括管壳，所述管壳的一端与模块发射极导电体滑动连接，另一端与模块集电极导电体滑动连接；在所述模块发射极导电体和所述模块集电极导电体之间设有承压限位框，所述承压限位框的一端与所述模块集电极导电体固定连接，所述承压限位框包括多个限位单元，每个所述限位单元内依次设有集电极导电体、芯片、发射极导电体、第一导电体和弹性导电组件，所述集电极导电体上远离芯片的一端抵接在所述模块集电极导电体上，所述弹性导电组件上远离第一导电体的一端抵接在所述模块发射极导电体上。
-
公开(公告)号：CN112951790B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202110112529.2
申请日：2021-01-27
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种半导体模块，包括模块集电极、模块发射极、子模组、子单元、导电承压体和导电片；所述子单元包括芯片、集电极导体、发射极导体，将芯片通过焊接、烧结或者压接的方式设在集电极导体和发射极导体之间；所述子模组包括承压限位框，承压限位框的腔体中设有若干个所述子单元；所述模块集电极与子单元的集电极导体连接，连接处位于所述承压限位框的腔体中；所述子单元的发射极导体底部连接导电承压体，导电承压体底部连接导电片，导电片底部在承压时与模块发射极连接，在未承压时与模块发射极电分离。优点：通过将芯片子单元模组化的形式，能够降低热阻，提高模块的功率密度及电流等级，降低物料成本与减少加工工序。
-
公开(公告)号：CN113725179A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202110849509.3
申请日：2021-07-27
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种弹性子模组及模组化压接型半导体模块，弹性子模组包括：导电片、绝缘弹性件和导电板；导电片为折弯成具有若干凹槽的弯折状导电片，导电片通过其凹槽卡接在绝缘弹性件上端，绝缘弹性件的下端接导电板；模组化压接型半导体模块，包括模块集电极板、芯片子模组、模块发射极板和弹性子模组；芯片子模组包括芯片、集电极导体、发射极导体；模块集电极板、集电极导体、芯片、发射极导体、弹性子模组、模块发射极板从上至下依次连接。优点：通过将芯片模组化的形式，可进一步降低热阻，提高模块的功率密度及电流等级；将芯片子单元模组化还能够降低物料成本与减少加工工序。
-
公开(公告)号：CN113013147A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202110410365.1
申请日：2021-04-16
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
Abstract: 本发明公开了半导体器件封装技术领域的一种半导体模块，采用柔性压接，芯片受力均匀，抗压能力强。包括管壳，所述管壳的一端与模块发射极导电体滑动连接，另一端与模块集电极导电体滑动连接；在所述模块发射极导电体和所述模块集电极导电体之间设有承压限位框，所述承压限位框的一端与所述模块集电极导电体固定连接，所述承压限位框包括多个限位单元，每个所述限位单元内依次设有集电极导电体、芯片、发射极导电体、第一导电体和弹性导电组件，所述集电极导电体上远离芯片的一端抵接在所述模块集电极导电体上，所述弹性导电组件上远离第一导电体的一端抵接在所述模块发射极导电体上。
-
公开(公告)号：CN112234055A
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN202011260802.8
申请日：2020-11-12
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: H01L25/18
Abstract: 本发明公开了一种单开关IGBT模块的芯片布局结构，由三组IGBT芯片组构成；每组IGBT芯片组由8颗IGBT芯片和反并联的4颗续流二极管FRD芯片构成；所述每组IGBT芯片组均焊接在上下两个DBC衬板上；上下两个DBC衬板上，位于左上和右上位置的IGBT芯片的栅极位于IGBT芯片的下部中间位置；位于左下和右下位置的IGBT芯片的栅极位于IGBT芯片的上部中间位置；反并联的续流二极管FRD芯片位于同一个DBC衬板的上下两颗IGBT芯片之间。本发明结构中IGBT芯片的结温温升降低约2℃，芯片结温温升的降低，有利于芯片的长期稳定运行。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
11
records
(took 0.031 seconds)
