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公开(公告)号：CN116667810A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310470060.9
申请日：2023-04-27
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明属于射频微机电系统(MEMS)器件领域，涉及一种高频兰姆(Lamb)波谐振器及制备方法。本发明提供的Lamb波谐振器，包括具有中部内凹的释放腔且上表面沉积有释放保护层的衬底、上表面为顶部电极结构且下表面为底部电极结构的压电振动结构以及设置于所述电极结构四周的焊盘。本发明申请的高频Lamb波谐振器，通过优化工艺形成边缘剪切角趋近60°的底部低阻硅电极以高质量生长压电振动结构，提高了谐振器的Q值从而使器件的性能得到提升。
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公开(公告)号：CN116505908A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310463272.4
申请日：2023-04-26
Applicant: 南通大学
Abstract: 本申请属于射频MEMS器件领域，涉及一种横向激励的体声波谐振器。包括：压电层结构；顶部叉指双电极结构，配置于压电层结构的上表面；衬底；介质层结构，位于压电层结构与衬底之间；空腔结构，位于压电层结构下方。本申请的横向激励的体声波谐振器，采用叉指双电极结构能够实现高品质因数(Q)、高机电耦合系数(kt2)和抑制寄生模态、提高频谱光滑度的效果，并且其形成的滤波器具有大带宽、低损耗、低功耗以及陡峭的滚降，具有重要的应用前景。
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公开(公告)号：CN117060878A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202310885482.2
申请日：2023-07-19
Applicant: 南通大学
Abstract: 本申请属于射频微机电系统器件领域，涉及一种横向振动的水平剪切波谐振器。本发明提供的横向振动的水平剪切波谐振器，自底向上依次包括衬底、介质层、压电层与顶层金属，顶层金属中电极采用两个边缘电极与叉指电极结合的形式。此外，通过优化声波的传播角度可以减小杂散模态的机电耦合系数，从而达到抑制杂散模态的效果。本发明申请的横向振动的水平剪切波模态谐振器在100MHz～600MHz频率范围内具有高机电耦合系数和杂散模态少的性能特征，为构建大带宽、低损耗的滤波器和低相位噪声的振荡器奠定基础，在射频前端中具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN115955207A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202211623370.1
申请日：2022-12-16
Applicant: 南通大学
Abstract: 本申请属于射频MEMS器件领域，公开了一种基于铌酸锂单晶薄膜的反对称模态谐振器及制备方法。本发明提供的反对称模态谐振器，包括压电振动结构、配置于压电振动结构上表面的顶部电极、衬底及位于压电振动结构与衬底之间的介质层，衬底与介质层配置用于释放压电振动结构的释放腔。本发明申请的铌酸锂单晶薄膜反对称模态谐振器，具有高机电耦合系数和无杂散模态的特点，能够实现高频、大带宽且极小带内纹波的滤波器。
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公开(公告)号：CN114142821A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111472214.5
申请日：2021-12-02
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明公开了一种氮化铝压电谐振器件及其硅衬底结构的制备方法及氮化铝压电谐振器件及其硅衬底结构，硅衬底结构的制备方法的步骤包括：在硅衬底的上表面刻蚀形成用于包围至少部分待释放区域的回流槽；采用高硼硅玻璃在回流槽中形成顶部与硅衬底表面平齐的释放保护层，释放保护层限定出待释放区域。氮化铝压电谐振器件的制备方法的步骤包括制备硅衬底结构；在硅衬底结构上完成压电谐振器件的结构制备；在压电层上刻蚀释放孔并对待释放区域进行释放形成释放腔。本申请的方法能够使得在温度发生变化的时候，整体器件产生的热应力较低，避免导致器件结构变形或断裂使器件性能下降，且能够将释放硅的范围限制在释放保护层内，避免硅衬底受到过度刻蚀。
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