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公开(公告)号：CN119401789A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411639452.4
申请日：2024-11-18
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明公开了一种自适应抑制Si IGBT和SiC MOSFET混合并联串扰的驱动电路，包括双边栅极驱动芯片、差分放大电路、模拟乘法器、串扰抑制电路。本发明通过差分放大电路提取对应的延时开关驱动信号，再由模拟乘法器将延时开关驱动信号与并联管经过抬升后的驱动信号进行相乘，生成对应将产生串扰的主功率管的串扰抑制电路开通信号，开启负向串扰抑制电路，另外正向串扰抑制电路中三极管将实时检测驱动电阻两端电压，一旦由正向串扰电流流过驱动电阻，将自动开启正向串扰抑制电路。本发明可以有效的消除串扰给混合并联造成的影响，具自适应性，且响应速度快，实时性好的优点。
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公开(公告)号：CN119051418A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411407976.0
申请日：2024-10-10
Applicant: 南通大学
IPC: H02M1/088 , H02M1/00 , H03K17/687
Abstract: 本发明公开了一种动态开关延时的SiC MOSFET并联均流驱动电路，通过差分放大电路将外部电感电压差值进行信号放大，在SiC MOSFET并联电路电流不均衡时，输出控制信号到开通延时电路，改变栅源电压的变化速率和栅源电压的稳态值，动态调节SiC MOSFET的开通速度，从而抑制开通阶段的不均流现象。关断延时电路利用三极管构成反馈电路，在SiC MOSFET并联电路电流不均衡时，反馈电路输出端产生一个电流信号，在电流信号作用下改变栅源电压的变化速率，动态调节SiC MOSFET的关断速度，从而抑制关断阶段的不均流现象。本发明能够有效抑制器件参数不一致导致的SiC MOSFET并联不均流现象。
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公开(公告)号：CN118944397A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411001255.X
申请日：2024-07-25
Applicant: 南通大学
IPC: H02M1/00
Abstract: 本发明公开了一种针对桥式变流器前后不对称死区设置的电压补偿方法，通过前后不同的死区时间减少变流器运行时的损耗；利用电流传感器采集三相输出电流将其变换至同步旋转坐标系中，再经滤波后再反变换到三相坐标系中来判断电流极性；基于前后不同死区时间设置方法在每个开关周期中实时调节器件的开通关断时刻，结合输出电流极性，补偿输出电压。本发明能够有效地改善因加入死区时间引起的波形畸变，能够补偿由前后不同死区时间设置方法产生的误差电压，提升输出波形质量。
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公开(公告)号：CN119104947A
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202411253731.7
申请日：2024-09-09
Applicant: 南通大学
IPC: G01R31/52 , G01R31/26 , H03K17/687
Abstract: 本发明公开了一种基于SiC MOSFET栅极驱动电阻电荷检测的短路检测方法，为一种通过检测流经驱动电阻上电荷量的变化趋势来检测FUL的方法，将工作时流经SiC MOSFET驱动电阻上的电荷量和SiC MOSFET的栅极电压与设定检测参考点的参考电荷Qref与参考电压Vref进行比较大小，输出比较信号，经逻辑处理判断是否发生短路。本方法能够弥补传统栅极电荷检测法不能检测FUL的缺陷，能保证在快速响应HSF的同时，以较快的速度检测FUL，没有监测盲区，无需设置消隐时间。且由于本发明的监测装置设在驱动回路之中，不会对主功率回路造成影响。
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公开(公告)号：CN118920816A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410982566.2
申请日：2024-07-22
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明公开一种用于抑制移相全桥变换器串扰的驱动电路及控制方法，该变换器的开关管均为SiC MOSFET，移相全桥变换器中的各个变换器开关管分别连接驱动电路，开关管驱动电路在不减慢SiC MOSFET的开关速度的前提下，同时抑制由栅漏电容和共源寄生电感引起的串扰电压，将作为受扰动管的SiC MOSFET栅源电压始终控制在阈值电压和最大负向电压之间。
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