公开(公告)号：CN118944397A

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202411001255.X

申请日：2024-07-25

Applicant: 南通大学

Inventor： 张雷 ,  杨素素 ,  任磊 ,  姚志远 ,  郭润东 ,  郑一专 ,  柏树根 ,  钟键

IPC: H02M1/00

Abstract: 本发明公开了一种针对桥式变流器前后不对称死区设置的电压补偿方法，通过前后不同的死区时间减少变流器运行时的损耗；利用电流传感器采集三相输出电流将其变换至同步旋转坐标系中，再经滤波后再反变换到三相坐标系中来判断电流极性；基于前后不同死区时间设置方法在每个开关周期中实时调节器件的开通关断时刻，结合输出电流极性，补偿输出电压。本发明能够有效地改善因加入死区时间引起的波形畸变，能够补偿由前后不同死区时间设置方法产生的误差电压，提升输出波形质量。

公开(公告)号：CN118920816A

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202410982566.2

申请日：2024-07-22

Applicant: 南通大学

Inventor： 张雷 ,  郭润东 ,  任磊 ,  姚志远 ,  郑一专 ,  杨素素 ,  柏树根 ,  钟键

IPC: H02M1/00 ,  H02M1/08 ,  H02M1/088 ,  H02M1/32

Abstract: 本发明公开一种用于抑制移相全桥变换器串扰的驱动电路及控制方法，该变换器的开关管均为SiC MOSFET，移相全桥变换器中的各个变换器开关管分别连接驱动电路，开关管驱动电路在不减慢SiC MOSFET的开关速度的前提下，同时抑制由栅漏电容和共源寄生电感引起的串扰电压，将作为受扰动管的SiC MOSFET栅源电压始终控制在阈值电压和最大负向电压之间。