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发明公开
一种多芯片CoWoS封装的结温预测方法审中-实审

公开(公告)号：CN117470902A

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN202311327131.6

申请日：2023-10-13

Applicant: 南通大学

Inventor： 孙海燕 , 仓冬青 , 赵继聪 , 蔡志匡

IPC: G01N25/20 , G06F17/10

Abstract: 本发明属于芯片封装技术领域，提供了一种多芯片CoWoS封装结温预测方法。方法包括：根据传导热阻计算公式计算所述芯片和有机载板的热阻；根据对流热阻计算公式计算所述有机载板的上表面对流换热热阻与下表面对流换热热阻；计算求得TSV转接板的等效热导率以及TSV转载板的等效热阻；求得所述焊料的等效热阻；根据以下公式计算TSV转接板下表面的等效对流换热系数；计算各个所述芯片的耦合扩散热阻；计算各个所述芯片的结温。本方法考虑各个芯片之间的热耦合效应，提高了结温预测的精度，与有限元仿真结果作比较，误差不超过2.1％。

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