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公开(公告)号：CN119650524A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411747682.2
申请日：2024-12-02
Applicant: 南通尚阳通集成电路有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/495 , H01L21/50 , H01L21/56
Abstract: 本申请涉及功半导体技术领域，公开了一种功率半导体器件及塑封方法。该功率半导体器件包括芯片、导电片以及塑封体。芯片的正面具有源极和栅极；导电片通过焊接层固定在芯片正面，导电片包括与源极连接的源极导电片以及与栅极连接的栅极导电片，源极导电片包括位于芯片之上的源极导电片芯片端以及延伸至芯片之外的源极导电片引脚端，源极导电片芯片端的厚度、焊接层的厚度、芯片的厚度三者之和等于源极导电片引脚端的厚度，栅极导电片包括栅极导电片芯片端以及远离芯片的栅极导电片引脚端。本申请提供的功率半导体器件及塑封方法，能够简化塑封流程，提升塑封效率，减少塑封条件限制，提高产品竞争优势。
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