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公开(公告)号：CN118866506A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411348282.4
申请日：2024-09-26
Applicant: 南通正海磁材有限公司 , 烟台正海磁性材料股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种发蓝稀土永磁体及其制备方法和应用，所述发蓝稀土永磁体包括稀土永磁体基体，以及包覆在稀土永磁体基体表面的铁的氧化物薄膜；其中，铁的氧化物薄膜中，氧元素和铁元素的质量比为（0.33‑0.40）:1。本发明通过控制工艺参数来控制稀土永磁体基体表面的氧化层厚度，即控制产品表面氧/铁含量比，来控制产品表面呈均匀蓝色。
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公开(公告)号：CN118866506B
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202411348282.4
申请日：2024-09-26
Applicant: 南通正海磁材有限公司 , 烟台正海磁性材料股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种发蓝稀土永磁体及其制备方法和应用，所述发蓝稀土永磁体包括稀土永磁体基体，以及包覆在稀土永磁体基体表面的铁的氧化物薄膜；其中，铁的氧化物薄膜中，氧元素和铁元素的质量比为（0.33‑0.40）:1。本发明通过控制工艺参数来控制稀土永磁体基体表面的氧化层厚度，即控制产品表面氧/铁含量比，来控制产品表面呈均匀蓝色。
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公开(公告)号：CN113593802A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110774881.2
申请日：2021-07-08
Applicant: 烟台正海磁性材料股份有限公司 , 江华正海五矿新材料有限公司
Abstract: 本发明提供一种耐腐蚀、高性能钕铁硼烧结磁体及其制备方法和用途。本发明的钕铁硼烧结磁体由钕铁硼烧结磁体组合物经制粉、成型、烧结制得，所述钕铁硼烧结磁体包含：含量为28.5wt％以上且32.5wt％以下的R；含量为0.88wt％以上且0.94wt％以下的B；含量为0.1wt％以上且0.3wt％以下的Ga；含量为1.0wt％以上且3.0wt％以下的Co；含量为400ppm以上且1000ppm以下的O。本发明通过进行加氧操作，能够获得抑制矫顽力降低、并且提高矫顽力的钕铁硼烧结磁体，同时可以改善磁体的耐腐蚀能力。
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公开(公告)号：CN113593802B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202110774881.2
申请日：2021-07-08
Applicant: 烟台正海磁性材料股份有限公司 , 江华正海五矿新材料有限公司
Abstract: 本发明提供一种耐腐蚀、高性能钕铁硼烧结磁体及其制备方法和用途。本发明的钕铁硼烧结磁体由钕铁硼烧结磁体组合物经制粉、成型、烧结制得，所述钕铁硼烧结磁体包含：含量为28.5wt％以上且32.5wt％以下的R；含量为0.88wt％以上且0.94wt％以下的B；含量为0.1wt％以上且0.3wt％以下的Ga；含量为1.0wt％以上且3.0wt％以下的Co；含量为400ppm以上且1000ppm以下的O。本发明通过进行加氧操作，能够获得抑制矫顽力降低、并且提高矫顽力的钕铁硼烧结磁体，同时可以改善磁体的耐腐蚀能力。
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公开(公告)号：CN118197727A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202211600057.6
申请日：2022-12-13
Applicant: 烟台正海磁性材料股份有限公司
Abstract: 本发明涉及R‑T‑B系永磁材料及其制备方法和应用。本发明通过M的化合物对R‑T‑B系合金粉末的附着或包覆，在钕铁硼粉末表面形成均匀的包裹层，能够实现R‑T‑B系合金粉末的圆化改造，从而在显著降低基材中重稀土金属用量的情况下，提高R‑T‑B系合金粉末的浸润性。并且，本发明所述R‑T‑B系永磁材料的晶界中存在M‑R和/或M‑T‑R的晶界相，能够显著改善晶界相的理化性质，有助于改善晶界相的分布并对晶界进行强化，可避免形成反核壳结构，更有利于重稀土元素的渗透，因此有助于改善R‑T‑B系永磁材料的Hcj。
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